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连续灰度铁电液晶器件制备 被引量：5
1
作者 乌日娜 李静 +2 位作者 张然 邹忠飞 宣丽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1689-1692,共4页
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了... 采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因. 展开更多
关键词 铁电液晶 ^^n^＊-sc^＊ 相变 电压 “V”字形 半“V”字形 灰度
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具有半“V”字型特性的铁电液晶显示器件制备 被引量：3
2
作者 冯亚云 任娇燕 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期191-194,共4页
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件... 采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件具有较低的饱和电压3.2V,静态对比度达196∶1,上升时间和下降时间分别是526μs和424μs。 展开更多
关键词 铁电液晶 ^^n^＊-sc^＊相变点 连续灰度 表面稳定 半“V”字型
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电场对N^＊-Sc^＊相变序铁电液晶器件层排列的影响
3
作者 乌日娜 岱钦 +2 位作者 姚丽双 彭增辉 宣丽 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期916-918,共3页
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD。控制分子层排列是获得良好器件性能的关键。深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排... N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD。控制分子层排列是获得良好器件性能的关键。深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排列模型,为提高器件性能提供了有益的参考。 展开更多
关键词 铁电液晶 ^^n^＊-sc^＊相变 层排列
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N＊-Sc＊相变序铁电液晶器件层排列研究
4
作者 岱钦 乌日娜 +2 位作者 徐送宁 姜月秋 徐志洁 《沈阳理工大学学报》 CAS 2009年第2期87-89,共3页
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度.并且自发极化值小、视角宽、响应时间为μs量级,适合TFT-LCD,但控制层排列困难.针对此缺点,实验中通过分析直流电压对铁电液晶器件层排列的影响,测量了器件电... N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度.并且自发极化值小、视角宽、响应时间为μs量级,适合TFT-LCD,但控制层排列困难.针对此缺点,实验中通过分析直流电压对铁电液晶器件层排列的影响,测量了器件电光特性,提出了N*-Sc*相变序铁电液晶分子层排列模型. 展开更多
关键词 序铁电液晶 n＊-sc＊相变 层排列 直流电压
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