期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
硼酸缓冲溶液中pH值和Cl^-浓度对Cu腐蚀行为的影响 被引量：8
1
作者 王长罡 董俊华 +1 位作者 柯伟 陈楠 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期354-360,共7页
在硼酸缓冲溶液中,采用动电位极化、电化学阻抗谱(EIS)和半导体电容分析方法分别研究了Cu电极的极化行为及其表面人工Cu_2O钝化膜的化学稳定性.结果表明,低pH值、高Cl^-浓度均造成Cu_2O钝化膜的破坏和溶解.高Cl^-浓度时,Cu_2O钝化膜的... 在硼酸缓冲溶液中,采用动电位极化、电化学阻抗谱(EIS)和半导体电容分析方法分别研究了Cu电极的极化行为及其表面人工Cu_2O钝化膜的化学稳定性.结果表明,低pH值、高Cl^-浓度均造成Cu_2O钝化膜的破坏和溶解.高Cl^-浓度时,Cu_2O钝化膜的半导体性质由p型转变为n型,使Cl^-更容易进入钝化膜与Cu^+络合,并破坏钝化膜从而加速腐蚀.高pH值、低Cl^-浓度有利于Cu_2O钝化膜稳定. 展开更多
关键词 高放废物地质处置 Cu_2O钝化膜 稳定性 电化学阻抗谱(EIS) mott-schottky方法
原文传递
RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 被引量：5
2
作者 钟庆东 王艳珍 +2 位作者 李红蕊 M.Rohwerder M.Strattman 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期85-90,共6页
为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019m-3... 为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019m-3。随着浸泡时间的延长,RTV涂膜的导电行为从初期的p型半导体转变为绝缘体,RTV涂膜的空间电荷层电容CSC变化不大。随着测试频率的增加,RTV涂膜的CSC则逐渐减小。这一现象对RTV涂料的应用有一定指导意义。 展开更多
关键词 电位-电容法 mott-schottky分析 RTV涂膜 半导体转变 P型 N型
下载PDF
ZnO-Bi_2O_3二元陶瓷粉体电化学行为研究 被引量：3
3
作者 王艳珍 钟庆东 +1 位作者 巫欣欣 施利毅 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第15期1743-1748,共6页
采用电化学阻抗谱和电位-电容测试及Mott-Schottky分析技术研究了ZnO-Bi2O3粉体电极在0.5mol/LNaCl溶液中的电化学行为.研究表明,ZnO-Bi2O3粉体表现为n型半导体;随着Bi2O3含量的增加或混合时间的延长,粉体的阻抗增大,空间电荷层电容Csc... 采用电化学阻抗谱和电位-电容测试及Mott-Schottky分析技术研究了ZnO-Bi2O3粉体电极在0.5mol/LNaCl溶液中的电化学行为.研究表明,ZnO-Bi2O3粉体表现为n型半导体;随着Bi2O3含量的增加或混合时间的延长,粉体的阻抗增大,空间电荷层电容Csc减小,载流子浓度ND减小;经高温烧结成二元压敏陶瓷,随着混合时间的延长,电阻片综合电性能越好.该方法可有效评价二元陶瓷粉体混合均匀性. 展开更多
关键词 电化学阻抗谱 电位-电容法 mott-schottky分析 载流子浓度
原文传递
磷酸铁锂掺杂改性中Li位和Fe位掺杂效果分析 被引量：3
4
作者 张俊喜 许明玉 +5 位作者 曹小卫 宋锴焱 梅颖 严锦程 杨希 王保峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期699-702,共4页
对LiFePO4的不同位金属离子掺杂改性进行了研究,采用共沉淀法合成Li位和Fe位Mg2+、Mo6+掺杂的LiFePO4正极材料,通过XRD、XPS、充放电曲线以及CV、Mott-Schottky对材料进行表征和测试,主要分析了金属离子在Li位和Fe位掺杂对材料性能的影... 对LiFePO4的不同位金属离子掺杂改性进行了研究,采用共沉淀法合成Li位和Fe位Mg2+、Mo6+掺杂的LiFePO4正极材料,通过XRD、XPS、充放电曲线以及CV、Mott-Schottky对材料进行表征和测试,主要分析了金属离子在Li位和Fe位掺杂对材料性能的影响。结果表明Mg2+和Mo6+可以分别在Fe位和Li位掺杂,且不会影响磷酸铁锂的橄榄石结构,掺杂可以改善材料的电化学性能。从掺杂效果来看,Fe位掺杂比Li位掺杂更优越,从材料的晶体结构和半导体性质着手对掺杂机理作了分析讨论。 展开更多
关键词 LIFEPO4 掺杂 Li位 Fe位 mott-Schott-ky测试
下载PDF
纳米TiO_2对RTV硅橡胶涂膜导电的影响 被引量：1
5
作者 钟庆东 李红蕊 +1 位作者 王艳珍 王超 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期2107-2112,共6页
为了解纳米二氧化钛(TiO2)对室温硫化(RTV)硅橡胶涂膜半导体导电行为影响的规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了在硫酸钠的质量分数w(Na2SO4)=5%的硫酸钠溶液中纳米二氧化钛对RTV硅橡胶涂膜的导电行为的影响。研究发现... 为了解纳米二氧化钛(TiO2)对室温硫化(RTV)硅橡胶涂膜半导体导电行为影响的规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了在硫酸钠的质量分数w(Na2SO4)=5%的硫酸钠溶液中纳米二氧化钛对RTV硅橡胶涂膜的导电行为的影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体后,RTV硅橡胶涂膜的空间电荷层电容Csc减小,该涂膜的空间电荷层厚度增加。随着浸泡时间的延长,涂膜的空间电荷层电容Csc逐渐增加,表明涂膜的空间电荷层厚度随浸泡时间延长而有逐渐减小的趋势。添加纳米二氧化钛粉体,可促进RTV硅橡胶涂膜的导电行为由n型半导体导电特征转变为p型半导体导电特征,当所添加的纳米二氧化钛的质量分数w(TiO2)=2%时,RTV硅橡胶涂膜转变为绝缘态。 展开更多
关键词 电位-电容法 mott-schottky分析 纳米二氧化钛 RTV硅橡胶涂膜 半导体转变 N型 P型
下载PDF
纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响
6
作者 钟庆东 李红蕊 +1 位作者 王艳珍 施利毅 《中国粉体工业》 2008年第4期5-10,共6页
本文研究目的是了解纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响规律。本文采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术,研究了纳米二氧化钛对RTV涂膜在5%硫酸钠溶液中的导电行为影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体,RTV涂膜Csc减小,其... 本文研究目的是了解纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响规律。本文采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术,研究了纳米二氧化钛对RTV涂膜在5%硫酸钠溶液中的导电行为影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体,RTV涂膜Csc减小,其涂膜空间电荷层厚度增加。随着浸泡时间的延长,涂膜空间电荷电容Csc逐渐增加,表明涂膜中空间电荷层厚度随浸泡时间延长有逐渐减小趋势。添加纳米二氧化钛粉体,可促进RTV涂膜的导电行为由n型半导体导电特征转变为p型半导体导电特征,在添加量达2%时,转变为绝缘态。提出了RTV涂膜失效的半导体转变模型,纳米二氧化钛的作用正好与之相反。 展开更多
关键词 电位-电容法 mott-schottky分析 纳米 二氧化钛 RTV涂膜 半导体转变 N型 P型
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部