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机器人技术在智能仓储物流中的应用 被引量：3
1
作者 牛威杨 《集成电路应用》 2023年第4期166-167,共2页
阐述仓储物流机器人的技术特点,机器人在智能仓储物流中的应用,包括自主移动作业机器人、智能仓储物流机器人系统、机器人系统业务流程,探讨智能仓储物流机器人技术的展望。
关键词 机器人 仓储物流 自主移动 业务流程
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法国的城市政策——社会融合作为解决隔离问题的公共手段? 被引量：3
2
作者 克里斯蒂娜.勒勒维耶 耿磊 罗震东 《国际城市规划》 CSSCI 北大核心 2009年第4期28-33,共6页
法国与欧洲其他国家一样,自上个世纪80年代开始实施新的"地区政策",以减少隔离及其在相关城市区域与贫困人群的整合过程中所产生的"消极"影响。即使2003年推行的城市更新计划在城市与社会行动之间引起一定的割裂,... 法国与欧洲其他国家一样,自上个世纪80年代开始实施新的"地区政策",以减少隔离及其在相关城市区域与贫困人群的整合过程中所产生的"消极"影响。即使2003年推行的城市更新计划在城市与社会行动之间引起一定的割裂,但80年代所确立的三个支柱——地域的、综合的以及参与式的政策——却依然适用。作为一种避免"贫困社区"的适当方式,"社会融合"的理念开始越来越多地在不同层面被城市政策所采纳。社会住房问题在城市更新的多样化战略中是一个关键问题,正如《社会团结与城市更新法》所规定的那样,地方政府在社会住房少于20%的情况下应加强社会住房建设。这些社会融合策略的社会影响并不是非常明显,它与迁移进程、地方市场是相关联的,而公共行动对这些因素并没有予以足够重视。 展开更多
关键词 地区政策 贫困社区 城市更新 社会融合 社会影响 迁移进程
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基于GC-IMS技术分析五种市售不同工艺油莎豆油理化品质与风味差异 被引量：4
3
作者 牛志雅 王亚杰 +3 位作者 张高虔 万一来 刘文玉 魏长庆 《食品工业科技》 CAS 北大核心 2024年第1期258-267,共10页
为研究市售不同工艺油莎豆油理化品质与风味的差异性,采用气相离子迁移谱(Gas Chromatography-Ion Mobility Spectroscopy,GC-IMS)技术结合主成分分析法对比不同工艺(物理压榨、热榨、亚临界萃取、高压冷榨和冷榨工艺)油莎豆油挥发性化... 为研究市售不同工艺油莎豆油理化品质与风味的差异性,采用气相离子迁移谱(Gas Chromatography-Ion Mobility Spectroscopy,GC-IMS)技术结合主成分分析法对比不同工艺(物理压榨、热榨、亚临界萃取、高压冷榨和冷榨工艺)油莎豆油挥发性化合物之间的差异性。GC-IMS结果显示,不同工艺油莎豆油中共鉴定出76种挥发性化合物,其中包括酯类12种、醇类16种、醛类29种、酮类9种、酸类5种、呋喃类3种、吡嗪类1种、硫类1种。热榨组醛类、酯类和呋喃类物质相对含量较高(53.54%,13.06%,5.41%)。不同工艺油莎豆油风味差异性主要来源于四种关键风味物质:1-烯-3-辛醇、壬醛、(E)-2-辛烯醛和己醛。主成分分析(Principal Component Analysis,PCA)结果表明PC1和PC2分别为48.7%和30.1%,累计差异贡献率为78.8%,不同工艺油莎豆油风味物质差异显著,能够对不同工艺油莎豆油良好区分。Pearson相关性分析结果表明不同工艺油莎豆油b*值与酸价、过氧化值、p-丙二醛值和1-烯-3-辛醇之间呈显著正相关(0.57<r<0.88,P<0.05)。本研究结对市售油莎豆油生产加工、理论研究和质量检测等领域具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 气相色谱-离子迁移谱(GC-IMS) 油莎豆油 不同工艺 挥发性化合物 主成分分析(PCA)
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RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 被引量：2
4
作者 王建林 刘忠立 +3 位作者 王良臣 曾一平 杨富华 白云霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期390-394,共5页
在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测... 在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测试表明 :在室温下 ,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1 78;PHEMT器件的最大跨导约为 12 0mS/mm ,在Vgs=0 5V时的饱和电流约为 2 70mA/mm .这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础 . 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 集成电路 工艺
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