钼薄膜的制备、力学性能和磨损性能 被引量：5

1

作者 许世红 王金清 +1 位作者 刘维民 阎鹏勋 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期11-13,共3页

　采用直流磁控溅射技术在GCr15轴承钢底材上沉积了钼薄膜。利用XRD,AFM对不同负偏压下沉积的钼薄膜的结构和表面形貌进行了表征;利用纳米压痕仪对薄膜的硬度和膜基结合强度进行了测定;最后利用DF PM型动静摩擦系数精密测定仪和扫描电镜... 　采用直流磁控溅射技术在GCr15轴承钢底材上沉积了钼薄膜。利用XRD,AFM对不同负偏压下沉积的钼薄膜的结构和表面形貌进行了表征;利用纳米压痕仪对薄膜的硬度和膜基结合强度进行了测定;最后利用DF PM型动静摩擦系数精密测定仪和扫描电镜(SEM)研究了薄膜的硬度、残余模量与负偏压的关系。结果表明:利用直流磁控溅射法制备的钼薄膜的硬度随负偏压的变化存在最大值,另外负偏压还影响薄膜的微结构、粗糙度以及膜基结合力,但负偏压的改变对钼薄膜的摩擦系数影响不大。 展开更多

关键词 摩擦学 钼薄膜 薄膜硬度 力学性能 磨损性能 微结构 纳米压入 直流磁控溅射法 表面改性

下载PDF 职称材料

CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究 被引量：6

2

作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 曹智睿 田亚萍 屈直 张国君 蒋百灵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期74-77,共4页

利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo... 利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω.cm。 展开更多

关键词 mo薄膜 磁控溅射 XRD SEM

下载PDF 职称材料

基于正交试验的Mo薄膜工艺参数优化 被引量：1

3

作者 王波 沈琦 +3 位作者 张丽霞 王喆 祁超 马玉田 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期79-84,共6页

Mo薄膜是CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料,对薄膜与基底间的结合力提出很大要求.为提高Mo薄膜与基底结合力,借助L_(9)(3^(3))正交表研究基底温度、溅射气压和溅射功率3种影响因素对Mo薄膜结合力的影响,针对每种因素各选取3个水平值.... Mo薄膜是CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料,对薄膜与基底间的结合力提出很大要求.为提高Mo薄膜与基底结合力,借助L_(9)(3^(3))正交表研究基底温度、溅射气压和溅射功率3种影响因素对Mo薄膜结合力的影响,针对每种因素各选取3个水平值.采用压入法衡量薄膜与基底的结合力,结合力的评价指标为压入引起的裂纹的面积,利用改进版龟裂评级法得出裂纹面积.通过极差分析得到基底温度、溅射气压、溅射功率所对应的R值分别为6.51、18.29、5.96;最优水平组合为A_(1)B_(2)C_(3),此时裂纹面积最小,为2.41μm^(2).结果表明:影响Mo薄膜与基底结合力的因素由主到次为溅射气压、基底温度、溅射功率,综合考虑3种影响因素下Mo薄膜的最优制备工艺参数为溅射功率150 W,溅射气压0.5 Pa,基底温度100℃. 展开更多

关键词 mo薄膜 磁控溅射 结合力 参数优化 正交试验 裂纹面积

下载PDF 职称材料

直流磁控溅射厚度对Cu(In_x,Ga_(1-x))Se_2背接触Mo薄膜性能的影响 被引量：1

4

作者 田晶 杨鑫 +3 位作者 刘尚军 练晓娟 陈金伟 王瑞林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期395-401,共7页

采用直流磁控溅射工艺,在一定条件下通过控制溅射时间,在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(Inx,Ga1-x)Se2薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时... 采用直流磁控溅射工艺,在一定条件下通过控制溅射时间,在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(Inx,Ga1-x)Se2薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时间、薄膜微结构、电学性能及力学性能的交互影响.Mo薄膜的厚度与溅射时间呈线性递增关系;随厚度的增大,Mo薄膜(110)和(211)面峰强均逐渐增大,择优生长从(110)方向逐渐向(211)方向转变,方块电阻值只随(110)方向上的生长而急剧减小直到一特定值约2/,电导率随薄膜的(110)择优取向程度的降低而线性减小直到一特定值约0.96×10-4Ω·cm;Mo薄膜内部是一种多孔的长形簇状颗粒和颗粒间隙交织的结构,并处于拉应力态,其内部应变随薄膜厚度的增大而减小. 展开更多

关键词 mo薄膜 CIGS背接触 厚度 微结构

原文传递

不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

5

作者 赵志明 张晓静 +3 位作者 马二云 曹智睿 白力静 蒋百灵 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期410-414,共5页

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜。实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响。分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析... 在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜。实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响。分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析。结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加;不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征;随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm。 展开更多

关键词 磁感应强度分布因子 mo薄膜 磁控溅射 电阻率

原文传递

磁-光显微成像亚表面检测系统的研究

6

作者 程玉华 周秀云 +1 位作者 李平飞 廖百胜 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期606-609,共4页

磁-光显微成像检测由于受到光强的变化、磁-光薄膜磁畴的变化等外界因素影响,检测系统获取的磁-光图像的分辨率不高。文章从涡流激励装置的设计、磁-光薄膜的选择及制备和图像处理的设计出发,分析了影响磁-光图像分辨率的因素,提出了相... 磁-光显微成像检测由于受到光强的变化、磁-光薄膜磁畴的变化等外界因素影响,检测系统获取的磁-光图像的分辨率不高。文章从涡流激励装置的设计、磁-光薄膜的选择及制备和图像处理的设计出发,分析了影响磁-光图像分辨率的因素,提出了相应的改善办法,并进行了大量的试验验证,实验结果验证了该设计方法的可靠性。 展开更多

关键词 磁-光显微成像 分辨率 磁-光薄膜

下载PDF 职称材料

高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能 被引量：5

7

作者 王震东 赖珍荃 +1 位作者 范定环 徐鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1342-1345,共4页

使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它... 使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0.35nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5Ω.cm. 展开更多

关键词 直流磁控溅射 mo薄膜 高择优取向 电学性能

下载PDF 职称材料

金属Y掺杂Mo-N薄膜的机械性能和摩擦学性质研究

8

作者 栾书多 张佳鑫 顾广瑞 《延边大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第2期122-128,共7页

利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质分析显示:薄膜的择优取向由未掺杂时的γ-Mo2N (111)改变为Y掺杂后的γ-Mo2N (200).与未掺杂的Mo-N薄膜... 利用射频磁控和直流磁控共溅射的方法制备了金属Y掺杂的Mo-N薄膜.对制备的薄膜样品进行元素组成、微观结构、表面形貌、摩擦学性质分析显示:薄膜的择优取向由未掺杂时的γ-Mo2N (111)改变为Y掺杂后的γ-Mo2N (200).与未掺杂的Mo-N薄膜相比较,所制备的MoYN薄膜的硬度明显降低,但耐磨性和平均摩擦系数均有所改善.其中Y掺杂含量为9.44at%时,薄膜的耐磨性为最佳,平均摩擦系数为最小(0.283),硬度为(24.13±3.15) GPa. 展开更多

关键词 磁控共溅射 mo-N薄膜 摩擦学性能

下载PDF 职称材料

溅射沉积Cu-Mo薄膜的结构和性能 被引量：6

9

作者 郭中正 孙勇 +2 位作者 周铖 沈黎 殷国祥 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1422-1428,共7页

用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%（摩尔分数）的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪（EDX）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明：Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显... 用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%（摩尔分数）的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪（EDX）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明：Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Mo膜呈纳米晶结构,存在Mo在Cu中的FCC Cu（Mo）非平衡亚稳过饱和固溶体;随Mo含量的增加,Mo固溶度逐渐增加,而薄膜微晶体尺寸则逐渐减小,Mo的最大固溶度为30.6%。与纯Cu膜对比表明,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率随Mo含量的上升而持续增加。经200、400和650℃热处理1 h后,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率均降低,降幅与热处理温度呈正相关;经650℃退火后,Cu-Mo膜基体相晶粒长大,并出现亚微米-微米级富Cu第二相。在Cu-Mo膜的XRD谱中观察到Mo（110）特征峰,Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加Mo引起的晶粒细化效应以及热处理中基体相晶粒的生长。 展开更多

关键词 Cu-mo合金薄膜 纳米晶结构 热处理 显微硬度 电阻率

下载PDF 职称材料

磁控溅射Cu-Nb和Cu-Mo薄膜结构与性能 被引量：5

10

作者 刘国涛 孙勇 +2 位作者 郭中正 吴大平 朱雪婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期49-53,共5页

采用磁控溅射制备含1.16%～15.8%(原子分数)Nb的Cu-Nb及含2.2%～27.8%Mo的Cu-Mo合金薄膜,井采用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻计对薄膜的成分、结构和性能进行研究。结果表明,Nb和Mo的添加分别使Cu-Nb及Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Nb... 采用磁控溅射制备含1.16%～15.8%(原子分数)Nb的Cu-Nb及含2.2%～27.8%Mo的Cu-Mo合金薄膜,井采用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻计对薄膜的成分、结构和性能进行研究。结果表明,Nb和Mo的添加分别使Cu-Nb及Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Nb和Cu-Mo薄膜呈纳米晶结构,存在Nb在Cu中的fcc Cu(Nb)和Mo在Cu中的fcc Cu(Mo)非平衡亚稳过饱和固溶体,固溶度随Nb或Mo含量增加而上升。添加Nb和Mo显著提高Cu-Nb及Cu-Mo薄膜的显微硬度和电阻率,且随Nb或Mo含量增加而升高。经650℃热处理1h后,Cu-Nb和Cu-Mo薄膜显微硬度和电阻率均下降,且分析表明均发生基体相晶粒长大,并出现微米-亚微米级富Cu第二相,Cu-Nb及Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加的Nb、Mo引起的晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度的增大。 展开更多

关键词 Cu-Nb合金薄膜Cu-mo合金薄膜纳米晶结构热处理显微硬度 电阻率

下载PDF 职称材料

钛钼合金膜制备及其吸氘性能

11

作者 占勤 刘城淋 杨洪广 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期114-120,共7页

为提高中子管或中子发生器氚靶钛钼合金膜的吸氘性能,创新的采用钛靶和钼靶双靶磁控溅射方式在钼基片上循环沉积钛膜和钼膜,利用钛钼之间的注入与热扩散得到多层钛钼合金膜,利用辉光放电光谱仪(GDOES)研究了热扩散对多层(5层及10层)钛... 为提高中子管或中子发生器氚靶钛钼合金膜的吸氘性能,创新的采用钛靶和钼靶双靶磁控溅射方式在钼基片上循环沉积钛膜和钼膜,利用钛钼之间的注入与热扩散得到多层钛钼合金膜,利用辉光放电光谱仪(GDOES)研究了热扩散对多层(5层及10层)钛钼合金膜元素分布的影响。结果表明,500℃加热对合金膜中钛钼元素的均匀化扩散作用不明显,通过增大循环次数,减少每次循环各靶溅射时间,可有效提高合金膜的钛钼扩散程度。镀膜沉积循环次数由5次增加至10次,单次钛靶溅射时间由60 min降低至30 min,钼靶溅射时间由5 min降低至2 min,得到的合金膜钼元素含量峰值从39.5 at%降至8.24 at%,450℃下吸氘平衡时间从15 min降至6 min,平均氘钛比从1.05升至1.85。改进工艺后的钛钼合金膜,有效提高了合金膜的钛钼扩散程度及其吸氘性。 展开更多

关键词 磁控溅射 钛钼合金膜 吸氘性能 辉光放电光谱

原文传递

MOCVD制备的Mo_2C膜粗糙度研究 被引量：3

12

作者 郑瑞伦 冉扬强 +1 位作者 陈洪 罗玲 《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期23-27,共5页

介绍了金属有机气相沉积 (MOCVD)制备Mo2 C膜的过程和对膜表面粗糙度的测量结果 ;在测量基础上进行统计 ,找出Mo2 C膜的高差分布 ;应用非平衡统计理论导出表面高差分布公式 .结果表明实际测量与理论推导结果一致 .

关键词 粗糙度 薄膜 碳化二钼膜

下载PDF 职称材料

CVD方法制备Mo_2C膜的化学反应机制和组分含量的热力学计算 被引量：2

13

作者 平荣刚 吕弋 《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期284-289,共6页

报道了采用ＣＶＤ方法制备Ｍｏ２Ｃ膜的方法，在实验上证实了Ｍｏ２Ｃ膜的化学反应机制包括Ｍｏ（ＣＯ）６的分解和Ｍｏ的碳化两个过程，根据自由能极小原理对薄膜中各组分的含量与沉积温度的关系作了计算。

关键词 热力学 组分含量 碳化钼膜 CVD 化学反应

下载PDF 职称材料

Mo_2C膜表面粗糙化规律的计算机模拟 被引量：1

14

作者 冉扬强 郑瑞伦 +2 位作者 陈洪 平荣刚 吕弋 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2000年第4期461-467,共7页

引入晶粒边界修正，改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型，将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况，对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布，确定表面粗糙度随沉积时间和基底温度的变化规律。结果表明：引入晶粒边界... 引入晶粒边界修正，改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型，将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况，对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布，确定表面粗糙度随沉积时间和基底温度的变化规律。结果表明：引入晶粒边界修正大大促进了理论与实验结果的一致， Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化属快速粗造化，粗造度随基底温度升高而非线性地增大。 展开更多

关键词 mo2C膜 计算机模拟 表面粗造度 表面形态

下载PDF 职称材料

Mo_2C膜脱附激活能随沉积温度的变化规律

15

作者 郑瑞伦 张浩波 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期106-109,共4页

介绍了用金属有机气相沉积(MOCVD)制备Mo2C膜的过程和对膜的颗粒粒径的测量结果,建立物理模型,导出粒子脱附激活能的计算公式,探讨了Mo2C膜的脱附激活能随沉积温度的变化。结果表明:沉积温度低于380℃时,Mo2C膜的脱附激活能随温度升高... 介绍了用金属有机气相沉积(MOCVD)制备Mo2C膜的过程和对膜的颗粒粒径的测量结果,建立物理模型,导出粒子脱附激活能的计算公式,探讨了Mo2C膜的脱附激活能随沉积温度的变化。结果表明:沉积温度低于380℃时,Mo2C膜的脱附激活能随温度升高而增大较快;而高于380℃时,激活能随温度升高而增大的速度变小。 展开更多

关键词 mo2C膜 脱附激活能 沉积温度

下载PDF 职称材料