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磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运 被引量：1
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作者 卢卯旺 《湖南科技学院学报》 2006年第11期156-159,共4页
研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质,其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对真实InAs材料系统的计算,发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应,其自旋极化度在共振时超过80%。因此... 研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质,其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对真实InAs材料系统的计算,发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应,其自旋极化度在共振时超过80%。因此,我们的系统可以用于电子自旋过滤器。 展开更多
关键词 自旋电子学 磁调制纳米体系 自旋极化 自旋过滤
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