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题名DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势
被引量：11
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作者
成立
王振宇
高平
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机构
江苏大学电气与信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期1-5,14,共6页
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基金
江苏省高校自然科学研究基金(02KJB510005)
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文摘
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。
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关键词
DRAM
动态随机存取存储器
数字集成电路
FRAM
相变RAM
mram
BICMOS
发展趋势
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Keywords
dynamic random access memory
nonvolatile random access memory
digitalintegrated circuit
microelectronic technology
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分类号
TP333.8
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名21世纪初电子学新进展——评介与展望
被引量：1
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作者
曹黄强
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机构
中国电子科学研究院
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出处
《中国电子科学研究院学报》
2013年第4期358-362,共5页
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文摘
近年来,电子学领域出现了引人注目的重要进展。新的研究成果将会进一步促进电子信息技术的发展。介绍了电子学在这些领域,包括自旋电子学、聚合物电子学、BEC凝聚态激光和巨磁致电阻存储器(MRAM)的研究情况,并对其可能的应用前景进行了讨论。
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关键词
电子学新进展
自旋电子学
聚合物电子学
BEC凝聚态激光
mram磁存储器
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Keywords
the new development of electronics
spin Electronics
Polymer Electronics
BEC laser
mram technology
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分类号
TN0
[电子电信—物理电子学]
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题名磁电子器件及其应用
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作者
马昌贵
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机构
西南应用磁学研究所
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出处
《电子元器件应用》
2003年第1期6-8,共3页
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文摘
介绍磁电子器件的研制及应用动向。具体说明自旋阀——巨磁电阻磁头、磁传感器、磁随机存取存储器和量子化磁盘等器件的结构、工作原理及其应用,展望磁电子器件未来的发展。
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关键词
磁随机存储器
mram
量子化磁盘
QD
纳米制造技术
自旋电子
巨磁电阻
GMR
磁头
磁传感器
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Keywords
Nanometer magnetic materials
Nanofabrication technology
Spin electron GMR effect
Magnetic head
Magnetic sensor
mram
QMD
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分类号
TN6
[电子电信—电路与系统]
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