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微电子工业对超净高纯化学品的质量要求 被引量:11
1
作者 杨昀 《云南化工》 CAS 2009年第5期35-42,共8页
我国为微电子工业配套使用的高规格超净高纯化学品一直依赖进口,此类化学品研发中的核心技术为德国、日本、美国等国家所垄断,其关键技术的国内外文献报道甚少。为便于国内相关研发单位开展研究工作,围绕微电子工业对超净高纯化学品的... 我国为微电子工业配套使用的高规格超净高纯化学品一直依赖进口,此类化学品研发中的核心技术为德国、日本、美国等国家所垄断,其关键技术的国内外文献报道甚少。为便于国内相关研发单位开展研究工作,围绕微电子工业对超净高纯化学品的质量要求,搜集、整理并分析了近二十年来的相关文献,研究了不同规模集成电路对这类化学品纯度、洁净度的质量规格要求,建议:制定有全球竞争力的超净高纯化学品国家标准;建立相关产品生产管理制度和实施细则;建立能与国际资深实验室进行测试技能交流的有世界公信力的分析检测平台。 展开更多
关键词 电子级 超净 高纯化学品 高纯试剂 mos试剂 湿化学品 工艺化学品
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基于Taurus Workbench的亚微米n沟MOS器件关键工艺参数的优化 被引量:1
2
作者 徐永勋 李惠军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期196-199,共4页
 简要介绍了集成电路虚拟工厂系统TaurusWorkbench。对亚微米n沟MOS工艺的特点进行了分析。在TaurusWorkbench环境下进行亚微米n沟MOS器件关键工艺参数的优化,优化结果印证了新工艺条件对器件性能的改善。
关键词 集成电路 虚拟工厂 亚微米器件 mos工艺 工艺优化 n沟mos器件 TaurusWorkbench
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The optimization of hydrothermal process of MoS2 nanosheets and their good microwave absorption performances 被引量:3
3
作者 Xiaoyu Lin Jing Wang +6 位作者 Zengyong Chu Dongqing Liu Taotao Guo Lingni Yang Zhenyu Huang Sitong Mu Shun Li 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第5期1124-1128,共5页
In this study,flower-like MoS2 constructed by nanosheets was synthesized by a simple hydrothermal method.The hydrothermal process was optimized and the effects of hydrothermal condition,including reaction temperature,... In this study,flower-like MoS2 constructed by nanosheets was synthesized by a simple hydrothermal method.The hydrothermal process was optimized and the effects of hydrothermal condition,including reaction temperature,reaction time and the ratio of Mo source to S source(Mo:S)in precursor,on microwave absorption performances and dielectric properties were investigated.Our results showed that when the reaction temperature was 180℃,the reaction time was 18 h,and the Mo:S was 1:3.5,the synthesized MoS2 had the best performance:Its minimum reflection loss could reach-55.78 dB,and the corresponding matching thickness was 2.30 mm with a wide effective bandwidth of 5.17 GHz.Further researches on the microwave absorption mechanism revealed that in addition to the destructive interference of electromagnetic waves,various polarization phenomena such as defect dipole polarization were the main reasons for microwave loss.We believe that MoS2 is a candidate for a practical microwave absorbent. 展开更多
关键词 mos2 Hydrothermal preparation Microwave absorption performance process optimization Microwave absorption mechanism
原文传递
电离总剂量辐照试验流程阐述 被引量:3
4
作者 王文双 费武雄 《电子产品可靠性与环境试验》 2012年第B05期163-166,共4页
空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐... 空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐照后测试时间的规定等内容进行了详细的分析。 展开更多
关键词 电离总剂量 金属-氧化物-半导体器件 辐照流程 偏置条件
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一个简单的65nm MOSFET失配模型 被引量:2
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作者 吕伟锋 孙玲玲 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1280-1284,共5页
MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的ALPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该... MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的ALPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该模型与BSIM4模型数据相比平均相对误差为1.70%,相对标准差8.26%;再利用该模型并结合偏差传递公式实现了一个简单的65 nm工艺MOS器件电流失配标准差计算模型.实验结果显示,该模型与HSPICE蒙特-卡罗仿真数据相比平均相对误差为7.69%,相对标准差为10.49%.这表明文中模型简单、有效,又能保证精度. 展开更多
关键词 失配 mos模型 工艺波动 纳米器件
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4H-SiC栅氧氮化工艺优化 被引量:1
6
作者 陈喜明 李诚瞻 +2 位作者 赵艳黎 邓小川 张波 《大功率变流技术》 2016年第5期41-45,共5页
为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到... 为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到氮化工艺条件对击穿电压和界面态密度的影响规律。 展开更多
关键词 4H-SIC mos电容 氮化工艺 击穿电压 界面态密度
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浅析MOSFET的特征频率f_T
7
作者 冯军 《电气电子教学学报》 2000年第1期25-26,29,共3页
按与双极型晶体管类比的方法给出MOS场效应管特征频率fT的定义、用PSpice对其进行测试的方法,并对fT进行一些浅显分析。
关键词 mos场效应管 特征频率 测试 mos工艺
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对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟 被引量:1
8
作者 徐维锋 刘三清 +1 位作者 应建华 曹广军 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1997年第10期48-51,共4页
针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给出了不同工艺条件下的模拟结果,并且进行了分析.结... 针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给出了不同工艺条件下的模拟结果,并且进行了分析.结果表明,对接沟道NMOS结构能较好地实现VDMOS与p阱NMOS电路的兼容集成. 展开更多
关键词 BJNmos 杂质分布 数值模拟 Nmos结构 mos器件
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MOS型硅功率器件平面终端结构
9
作者 秦祖新 刘三清 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第2期37-44,共8页
本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。
关键词 硅功率器件 mos器件 终端结构
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Ni-P-MoS_2化学复合镀层的制备及自润滑性能研究 被引量:10
10
作者 曹剑 《机械设计与制造》 北大核心 2010年第8期123-125,共3页
通过金相显微镜,X射线荧光仪和贴滤纸法对复合镀层的表面形貌、结构、孔隙率等性能进行了分析,在PLINT微动疲劳试验机上对复合镀层的自润滑性能进行了测定,结果表明,所述复合镀层的工艺配方能够较好地完成复合镀层的施镀,得到非晶态的镀... 通过金相显微镜,X射线荧光仪和贴滤纸法对复合镀层的表面形貌、结构、孔隙率等性能进行了分析,在PLINT微动疲劳试验机上对复合镀层的自润滑性能进行了测定,结果表明,所述复合镀层的工艺配方能够较好地完成复合镀层的施镀,得到非晶态的镀层,阴离子表面活性剂加非离子表面活性剂能够使微粒更好地分散在镀液中,常温下,Ni-P-MoS2复合镀层具有优异的自润滑性能。 展开更多
关键词 Ni-P-mos2 工艺 化学复合镀 表面活性剂 自润滑性能
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MoS_2颗粒表面包覆Al_2O_3及其在镀层中的应用 被引量:5
11
作者 刘蕴锋 朱永伟 +1 位作者 刘平 刘婷婷 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期97-102,共6页
采用非均匀形核法将Al2O3包覆到MoS2颗粒表面,提高颗粒的亲水性能。研究了溶液pH值、Al(NO3)3的摩尔浓度和预处理工艺对包覆率的影响;采用SEM及EDS分析了包覆前后MoS2颗粒的微观形貌和表面成分;通过测量接触角研究了颗粒表面的亲水性。... 采用非均匀形核法将Al2O3包覆到MoS2颗粒表面,提高颗粒的亲水性能。研究了溶液pH值、Al(NO3)3的摩尔浓度和预处理工艺对包覆率的影响;采用SEM及EDS分析了包覆前后MoS2颗粒的微观形貌和表面成分;通过测量接触角研究了颗粒表面的亲水性。结果表明,颗粒表面均匀包覆了一层Al(OH)3;溶液pH值对包覆率的影响最大,Al(NO3)3的摩尔浓度次之。最佳工艺为:溶液pH值为5.5,Al(NO3)3浓度为0.15mol/L,预处理过程不添加表面活性剂。随着包覆率的提高,MoS2颗粒的亲水性提高。利用包覆Al2O3的MoS2制得了Ni-P-MoS2化学复合镀层,提高了镀层中沉积粒子的均匀致密性。 展开更多
关键词 包覆 非均匀形核 二硫化钼 亲水性 Ni-P-mos2 复合镀层
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一种12位D/A转换器的技术研究 被引量:4
12
作者 杨卫东 李儒章 +3 位作者 刘勇 杨永辉 俞宙 孟华群 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期64-67,共4页
介绍了一种12位带内基准的电压输出型D/A转换器的电路实现原理、线路设计及其制作工艺特点。通过采用优化设计的R-2R电阻开关网络、温度补偿齐纳基准源和带JFET输入级的输出运算放大器等模拟电路单元,基于一种P阱5μm LC2MOS工艺,研制出... 介绍了一种12位带内基准的电压输出型D/A转换器的电路实现原理、线路设计及其制作工艺特点。通过采用优化设计的R-2R电阻开关网络、温度补偿齐纳基准源和带JFET输入级的输出运算放大器等模拟电路单元,基于一种P阱5μm LC2MOS工艺,研制出该12位D/A转换器。它具有转换精度高、线性及微分误差小、功耗低、转换速度快、使用方便等优点。 展开更多
关键词 D/A转换器 齐纳基准电压源 输出运算放大器 LC^2mos标准工艺
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水玻璃对硫氧镁胶凝材料强度稳定性和耐水性的影响 被引量:6
13
作者 巴明芳 薛涛 +2 位作者 朱杰兆 贺智敏 柳俊哲 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期963-970,共8页
为了进一步提高硫氧镁(MOS)胶凝材料的强度稳定性和耐水性,研究了不同掺量水玻璃对MOS胶凝材料力学性能和耐水性能的影响,并采用X射线衍射(XRD)、热重(TG)和扫描电镜(SEM)分析了水玻璃对MOS胶凝材料性能影响的机理.结果表明:水玻璃可以... 为了进一步提高硫氧镁(MOS)胶凝材料的强度稳定性和耐水性,研究了不同掺量水玻璃对MOS胶凝材料力学性能和耐水性能的影响,并采用X射线衍射(XRD)、热重(TG)和扫描电镜(SEM)分析了水玻璃对MOS胶凝材料性能影响的机理.结果表明:水玻璃可以有效降低MOS胶凝材料浆体在水中的分散性,明显提高MOS胶凝材料强度的长期稳定性;水玻璃掺量为轻烧氧化镁粉质量的0.5%~1.0%时,MOS胶凝材料硬化体在水中的质量损失率和强度损失率最低,抗折强度和抗压强度最高;掺加0.5%水玻璃的MOS胶凝材料硬化体系中稳定的碱式硫酸镁相含量增多,无胶凝性Mg(OH)2相的含量明显减少,硬化体结构更加密实;水玻璃会加快MOS胶凝材料的吸热反应,使反应体系中H+浓度增加,促进生成晶相更为稳定的碱式硫酸镁相. 展开更多
关键词 硫氧镁胶凝材料 水玻璃 强度稳定性 耐水性 水化进程
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近球形MoS_(2)负极材料的强化水热合成与电化学性能 被引量:1
14
作者 吴杨 张亮亮 +5 位作者 王伟 范东昇 杨慎慎 白云豪 李继文 刘伟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2893-2900,共8页
分别以钼酸铵和硫脲为钼源和硫源,在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)软模板作用下,采用强化水热法在较短时间内制备出了近球形纯MoS_(2)粉体材料。通过X射线衍射(XRD)、钨灯丝扫描电镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、高分辨透射电镜(HRTEM),X射线... 分别以钼酸铵和硫脲为钼源和硫源,在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)软模板作用下,采用强化水热法在较短时间内制备出了近球形纯MoS_(2)粉体材料。通过X射线衍射(XRD)、钨灯丝扫描电镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)等表征方法,研究了近球形纯MoS_(2)材料的微观形貌、晶体结构、元素组成及表面价态。结果表明:所制备得到的MoS_(2)材料为由片状二硫化钼所构成的球体,尺寸为150 nm左右,经过500℃加热处理2h后,微观形貌不变。经过恒流充放电测试,其在500mA/g的电流密度下,加热处理前的MoS_(2)材料首次放电比容量高达874.7 mAh/g,但存在较大的容量衰减,其循环充放电100次后容量保持率仅为53.3%,并且其首次充放电库伦效率仅为68.88%,直到第47次充放电时才稳定在100%;而经过500℃加热处理2h后的MoS_(2)材料充放电的容量损失较小,循环稳定性增强,经过100次充放电后容量达571.3 mAh/g,容量保持率为83.2%,且库伦效率一直为100%稳定不衰减。加热处理后性能提升的原因一方面在于材料中残留氧化钼挥发,材料内部出现部分空隙,从而增大了活性物质与电解液的接触面积。另一方面加热处理提高了材料的结晶性,可以稳定MoS_(2)的晶体结构,抑制嵌锂-脱嵌过程中的体积膨胀问题。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 强化水热法 近球形mos_(2)
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高压BCDMOS集成电路的工艺集成 被引量:4
15
作者 马旭 邵志标 +1 位作者 姚剑锋 张国光 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期72-75,共4页
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果... 对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符. 展开更多
关键词 高压BCD集成电路 横向双扩散mos器件 工艺集成 工艺兼用
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射频磁控溅射法制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数研究
16
作者 张俊峰 孙再征 +4 位作者 孔腾飞 蔡根旺 李亚平 胡莎 樊志琴 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期271-280,共10页
采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得... 采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS_(2)的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量。当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS_(2)膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。 展开更多
关键词 mos_(2)薄膜 射频磁控溅射 二维材料 正交试验法 工艺参数
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海底用耐腐蚀管线钢X60MOS的开发 被引量:4
17
作者 孙毅 贾改风 +3 位作者 李冠楠 李红俊 裴庆涛 申震 《轧钢》 2021年第3期27-31,共5页
随着油气行业的发展,亟需研发一种成本低、海底用、抗酸、综合性能优良的管线钢。参照API SPEC 5L标准,结合抗酸管线钢和海底管线钢的具体指标要求,以热模拟试验为指导,在管线钢生产基础上,通过采用低C、低Mn、低S的化学成分设计;采用... 随着油气行业的发展,亟需研发一种成本低、海底用、抗酸、综合性能优良的管线钢。参照API SPEC 5L标准,结合抗酸管线钢和海底管线钢的具体指标要求,以热模拟试验为指导,在管线钢生产基础上,通过采用低C、低Mn、低S的化学成分设计;采用连铸凝固末端压下技术;借助X60MOS钢高温应力应变曲线及CCT曲线,制定了合理的加热、轧制及冷却工艺制度,开发出晶粒细小、组织均匀,强韧性匹配优异、综合性能优良的海底用耐腐蚀管线钢X60MOS。 展开更多
关键词 海底用耐腐蚀管线钢X60mos 化学成分设计 轧制工艺 强韧性
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基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计 被引量:2
18
作者 葛优 邹望辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期719-724,共6页
设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更... 设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更为方便地实现对特定位单元进行位粒度的写入和擦除操作。通过常规0.35μm CMOS工艺制作了测试芯片,并搭建测试系统对其进行了测试,对EEPROM单元的写入、擦除、读取以及可靠性等特性进行了详细研究。测试结果表明,存储单元可以在16 V电压下,在小于1 ms时间内被写入,在小于10 ms时间内被擦除;并且在阈值电压窗口保持大于2.5 V的条件下至少循环7000次。 展开更多
关键词 单层多晶硅EEPROM 常规Cmos工艺 mos电容器 位粒度 富勒-诺德海姆隧穿效应 验证芯片
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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究 被引量:3
19
作者 李学宁 唐茂成 +2 位作者 李肇基 李原 刘玉书 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期63-66,共4页
本文对MCT的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM—Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明:获得了优化的器件设计和研制条件。本... 本文对MCT的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM—Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明:获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构DOFM-CT器件,其电流可控能力达134A/cm2。 展开更多
关键词 三重扩散 mos控制晶闸管 工艺 场效应器件
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结合晶体管版图效应分析的模拟集成电路设计 被引量:3
20
作者 刘博 张金灿 +1 位作者 张雷鸣 刘敏 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第2期50-56,108,共8页
为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90 nm/1. 2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路... 为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90 nm/1. 2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路的版图设计中以不同的布局形态呈现。这些晶体管的电气参数被测试并抽取,用以分析和评价其直流性能。以二级模拟运算放大器为实验电路,分别采用晶体管阵列和全定制方式进行版图设计,从工艺波动性和版图面积两方面进行对比。成品实测结果表明:以晶体管阵列方式实现共源共栅运放电路时,10枚TEG芯片的平均失调电压为4. 48 m V,对比手工版图的5. 59 m V,抗波动性能约提升了20%,显示了晶体管阵列版图设计方法的有效性。 展开更多
关键词 模拟集成电路 版图效应 工艺波动 多指栅mos晶体管
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