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注入光敏器件与MOS场效应结构比较
1
作者
何民才
黄启俊
王海军
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期439-441,445,共4页
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词
光探测器
注入光敏器件
mos
场效应结构
下载PDF
职称材料
题名
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
1
作者
何民才
黄启俊
王海军
机构
武汉大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期439-441,445,共4页
文摘
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词
光探测器
注入光敏器件
mos
场效应结构
Keywords
photodetector
injection
photodetector
mos
field
effect
struet
(
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
何民才
黄启俊
王海军
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000
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