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MO-PECVD SnO_2气敏薄膜的制备及表征 被引量：2
1
作者 阎军锋 何崇斌 +1 位作者 王雪文 张志勇 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期279-282,共4页
目的　探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO... 目的　探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征,对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果　优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论　氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。 展开更多
关键词 mo—pecvd方法 SNO2薄膜 气敏
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SnO_(2-x)透明导电薄膜的制备及其导电性能研究 被引量：1
2
作者 闫军锋 邓周虎 +2 位作者 张志勇 张富春 王雪文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期59-62,共4页
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2–x薄膜。并用XRD、AFM等对样品进行分析。结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间... 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2–x薄膜。并用XRD、AFM等对样品进行分析。结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间为2h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为36.5?/□,紫外–可见光透射率在90%以上。 展开更多
关键词 无机非金属材料 SnO2-x mo-pecvd 透明导电薄膜 密度泛函理论
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