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铁电存储器在存储测试系统中的应用
被引量：
6
1
作者
张毅
申川
《电子设计工程》
2011年第21期17-20,共4页
为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序...
为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。
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关键词
铁电存储器
M
28
w
640
存储测试系统
片上系统
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职称材料
题名
铁电存储器在存储测试系统中的应用
被引量：
6
1
作者
张毅
申川
机构
中国工程物理研究院总体工程研究所
出处
《电子设计工程》
2011年第21期17-20,共4页
基金
中物院创新发展基金(10CXJ10)
文摘
为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。
关键词
铁电存储器
M
28
w
640
存储测试系统
片上系统
Keywords
FRAM
M
28
w
640
storage measurement system
system on chip
分类号
TN6 [电子电信—电路与系统]
TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
铁电存储器在存储测试系统中的应用
张毅
申川
《电子设计工程》
2011
6
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