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稀土硼酸盐玻璃中Ce^(3+)的光谱性质和荧光衰减 被引量:8
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作者 王晓君 林海 +1 位作者 黄立辉 刘行仁 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期645-647,共3页
合成Ce3+ 掺杂的稀土硼酸盐玻璃,测试了材料的激发和发射光谱及荧光衰减曲线。紫外光激发下,玻璃中的Ce3+ 发射强的蓝紫光,光谱和荧光寿命的分析结果表明,Ce3+ 在这种稀土硼酸盐玻璃中形成两种性质不同的发光中心。C... 合成Ce3+ 掺杂的稀土硼酸盐玻璃,测试了材料的激发和发射光谱及荧光衰减曲线。紫外光激发下,玻璃中的Ce3+ 发射强的蓝紫光,光谱和荧光寿命的分析结果表明,Ce3+ 在这种稀土硼酸盐玻璃中形成两种性质不同的发光中心。Ce3+ 掺杂的稀土硼酸盐玻璃对Ce3+ 荧光玻璃本系是一个有益的补充。 展开更多
关键词 稀土硼酸盐玻璃 光谱 荧光寿命 钸离子 光学玻璃
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Au/(Si/SiO_2)/p型Si结构的可见电致发光研究 被引量:2
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作者 马书懿 王印月 刘雪芹 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期354-356,共3页
Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实... Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主要来自于SiO2 层中的发光中心上的复合发光。 展开更多
关键词 Si/SiO2薄膜 电致发光 发光中心 复合发光
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ZnO-P2O5:Tb^3+玻璃的热释光研究 被引量:2
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作者 沈毅 李锋锋 +1 位作者 张平 曲远方 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期319-323,共5页
采用高温熔融法制备了ZnO-P2O5∶Tb3+玻璃,并以热释光为手段,研究了基质组成、Tb3+掺杂浓度、熔制气氛、Tb3+与其他稀土离子共掺等因素对ZnO-P2O5∶Tb3+玻璃的发光中心、陷阱浓度及陷阱能级分布的影响。结果表明:ZnO含量的增加,使得与Z... 采用高温熔融法制备了ZnO-P2O5∶Tb3+玻璃,并以热释光为手段,研究了基质组成、Tb3+掺杂浓度、熔制气氛、Tb3+与其他稀土离子共掺等因素对ZnO-P2O5∶Tb3+玻璃的发光中心、陷阱浓度及陷阱能级分布的影响。结果表明:ZnO含量的增加,使得与Zn2+配位的氧空位的数量增多,导致50~150℃低温区对应的陷阱浓度增加;还原气氛下,Tb3+掺杂后,一方面形成发光中心使得热释光强度提高,另一方面,可能由于不等价取代基质中的Zn2+离子产生新的缺陷使得陷阱能级加深;空气气氛下,大部分Tb3+被氧化成Tb4+,发光中心浓度降低;Ce3+,Eu3+,Dy3+,Nd3+,Pr3+和Er3+与Tb3+共掺时,陷阱能级深度与陷阱中心的电荷密度发生了不同程度的变化。 展开更多
关键词 ZnO-R05:Tb^3+ 热释光 发光中心 陷阱 稀土
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氧化条件对草酸/硫酸混合电解液中制备的多孔阳极氧化铝膜光致发光的影响
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作者 李守义 马保宏 张军英 《河西学院学报》 2010年第2期16-20,共5页
用电化学阳极氧化工艺,在草酸/硫酸的混合电解液中制备了3个系列的多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜样品,分别考察了阳极氧化电压、氧化时间以及混合电解液中草酸/硫酸浓度比对样品光致发光(PL)特性的影响.结果表明,AAO薄膜在250~480nm波长... 用电化学阳极氧化工艺,在草酸/硫酸的混合电解液中制备了3个系列的多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜样品,分别考察了阳极氧化电压、氧化时间以及混合电解液中草酸/硫酸浓度比对样品光致发光(PL)特性的影响.结果表明,AAO薄膜在250~480nm波长范围内的光致发光与草酸杂质形成的发光中心密切相关,且随阳极电压的增加、氧化时间的延长及混合电解液中草酸浓度的增加,光致发光强度分别依次单调增强,但峰位不变.分析了产生上述现象的原因. 展开更多
关键词 多孔阳极氧化铝 光致发光 阳极氧化 发光中心
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