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微水导激光划片工艺原理及应用
被引量：
5
1
作者
王宏智
《电子工业专用设备》
2008年第3期27-31,49,共6页
从应用需求出发,介绍了微水导激光划片工艺的主要原理和特点;对其关键工艺机构中的光学聚焦系统、激光在水柱中的全反射传播、激光系统、压力水腔和喷嘴组成的光液耦合器等原理进行了简单分析和介绍;对微水导激光划片工艺的应用前景进...
从应用需求出发,介绍了微水导激光划片工艺的主要原理和特点;对其关键工艺机构中的光学聚焦系统、激光在水柱中的全反射传播、激光系统、压力水腔和喷嘴组成的光液耦合器等原理进行了简单分析和介绍;对微水导激光划片工艺的应用前景进行了总结和展望。
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关键词
微水导激光
光液耦合
划切
微水柱
热熔效应
超薄晶圆
low
—
k
介质层
LED衬底
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职称材料
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
2
作者
罗小蓉
李肇基
张波
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1832-1837,共6页
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化...
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
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关键词
SOI
低
k
介质埋层
纵向电场
击穿电压
自热效应
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职称材料
题名
微水导激光划片工艺原理及应用
被引量：
5
1
作者
王宏智
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2008年第3期27-31,49,共6页
文摘
从应用需求出发,介绍了微水导激光划片工艺的主要原理和特点;对其关键工艺机构中的光学聚焦系统、激光在水柱中的全反射传播、激光系统、压力水腔和喷嘴组成的光液耦合器等原理进行了简单分析和介绍;对微水导激光划片工艺的应用前景进行了总结和展望。
关键词
微水导激光
光液耦合
划切
微水柱
热熔效应
超薄晶圆
low
—
k
介质层
LED衬底
Keywords
Water-Jet-Guided
Laser
Photo-Liquid
Coupling
Scribing
Water
Beam-Riding
Heading
Fuse
Effect
Ultra-Thin
Wafer
low
-
k
dielectric
layer
LED
Substrate
分类号
TN305.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
2
作者
罗小蓉
李肇基
张波
机构
电子科技大学IC设计中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1832-1837,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60436030)
模拟IC国家重点实验室基金(批准号:9140C0903050605)资助项目~~
文摘
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
关键词
SOI
低
k
介质埋层
纵向电场
击穿电压
自热效应
Keywords
SOI
low
k
dielectric
layer
vertical
electric
field
brea
k
down
voltage
self-heating
effect
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微水导激光划片工艺原理及应用
王宏智
《电子工业专用设备》
2008
5
下载PDF
职称材料
2
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
罗小蓉
李肇基
张波
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
已选择
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