由于芯片集成度的提高,改善电路性能的同时也导致功率密度增加。为了防止芯片过热,保证芯片可靠、稳定的工作,设计了一款基于电流比较的新型过温保护电路。电路通过产生与绝对温度(正/负温度系数PTAT/CTAT)相关的电流并进行电流比较,输...由于芯片集成度的提高,改善电路性能的同时也导致功率密度增加。为了防止芯片过热,保证芯片可靠、稳定的工作,设计了一款基于电流比较的新型过温保护电路。电路通过产生与绝对温度(正/负温度系数PTAT/CTAT)相关的电流并进行电流比较,输出包含温度信息的逻辑控制信号,实现对芯片工作状态的控制。对电路的工作原理进行了详细的分析和推导,并给出了电路中核心器件的参数设置。基于UMC 0.6μm Bi CMOS工艺进行了流片并对电路进行了测量,热关断、开启温度分别为125℃和114℃,具有11℃的温度滞回量;转换速率26.2 V/℃,具有高灵敏度、高精度的特点;当供电电压发生变化时,电路性能稳定,具有较好的应用前景。展开更多
文摘由于芯片集成度的提高,改善电路性能的同时也导致功率密度增加。为了防止芯片过热,保证芯片可靠、稳定的工作,设计了一款基于电流比较的新型过温保护电路。电路通过产生与绝对温度(正/负温度系数PTAT/CTAT)相关的电流并进行电流比较,输出包含温度信息的逻辑控制信号,实现对芯片工作状态的控制。对电路的工作原理进行了详细的分析和推导,并给出了电路中核心器件的参数设置。基于UMC 0.6μm Bi CMOS工艺进行了流片并对电路进行了测量,热关断、开启温度分别为125℃和114℃,具有11℃的温度滞回量;转换速率26.2 V/℃,具有高灵敏度、高精度的特点;当供电电压发生变化时,电路性能稳定,具有较好的应用前景。
