低温合成ZnO-Li_2O-B_2O_3-SiO_2系陶瓷材料 被引量：3

1

作者 王少洪 周和平 陈克新 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期433-438,共6页

采用微晶玻璃工艺,制备出一种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系材料可在900℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频... 采用微晶玻璃工艺,制备出一种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系材料可在900℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频多层片式电感领域. 展开更多

关键词 烧结温度 介电常数 介电损耗 高频MLCI ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料 微晶玻璃工艺 低温合成

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高频多层片式电感器用陶瓷材料的研究 被引量：3

2

作者 王少洪 周和平 乔梁 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期17-20,共4页

研究了CaO B2O3 SiO2体系微晶玻璃烧结工艺、烧结性能和微观结构等。结果表明,该体系陶瓷材料能够在低温850℃烧结,烧结性能良好;烧结体微观结构为大量尺寸和分布均匀的纳米晶粒、一定量残余玻璃相和少量气孔,烧结体的主晶相为CB(CaO
... 研究了CaO B2O3 SiO2体系微晶玻璃烧结工艺、烧结性能和微观结构等。结果表明,该体系陶瓷材料能够在低温850℃烧结,烧结性能良好;烧结体微观结构为大量尺寸和分布均匀的纳米晶粒、一定量残余玻璃相和少量气孔,烧结体的主晶相为CB(CaO·B2O3)、6C4S(6CaO·4SiO2)以及少量CS(CaO·SiO2)。该烧结体在高频下具有低介电常数(εr=5.058,1GHz)、低介电损耗(tgδ=0.0013,1GHz)。该材料能够在900℃和Au、Ag/Pd、Cu等电极材料共烧,是制造高频多层片式电感器的理想材料。 展开更多

关键词 高频式电感器 低介电低损耗 低温烧结

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固相法制备低温烧结B_2O_3-P_2O_5-SiO_2系低介陶瓷材料 被引量：2

3

作者 李勃 岳振星 +2 位作者 周济 桂治轮 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期974-978,共5页

采用传统的电子陶瓷生产工艺，制备出一种Ｂ２Ｏ３－Ｐ２Ｏ５－ＳｉＯ２系瓷料．该体系材料加入少量助烧剂可在９００℃，空气气氛中烧结，获得低介电常数陶瓷．得到烧结体的介电常数ε≤５、介电损耗ｔａｎδ≤３×１０－３（１Ｍ... 采用传统的电子陶瓷生产工艺，制备出一种Ｂ２Ｏ３－Ｐ２Ｏ５－ＳｉＯ２系瓷料．该体系材料加入少量助烧剂可在９００℃，空气气氛中烧结，获得低介电常数陶瓷．得到烧结体的介电常数ε≤５、介电损耗ｔａｎδ≤３×１０－３（１ＭＨｚ）；有望用于超高频叠层片式电感领域． 展开更多

关键词 介电常数 片式电感 低温烧结 固相法 陶瓷材料 氧化硼 五氧化二磷 二氧化硅

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MgF_2对低温烧结75氧化铝陶瓷性能的影响 被引量：5

4

作者 董伟霞 包启富 顾幸勇 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期25-27,33,共4页

采用复合烧结助剂MgO-CaO-ZnO-SiO2-MgF2降低氧化铝陶瓷烧结温度并保持优良的力学性能,着重研究了MgF2对材料烧结性能、力学性能和显微结构的影响。结果表明:MgF2与MgO-CaO-ZnO-SiO2助烧剂相作用进一步促进了氧化铝陶瓷烧结。当添加剂M... 采用复合烧结助剂MgO-CaO-ZnO-SiO2-MgF2降低氧化铝陶瓷烧结温度并保持优良的力学性能,着重研究了MgF2对材料烧结性能、力学性能和显微结构的影响。结果表明:MgF2与MgO-CaO-ZnO-SiO2助烧剂相作用进一步促进了氧化铝陶瓷烧结。当添加剂MgF2为2%(质量分数)时,氧化铝复相陶瓷样品在1270～1330℃抗折强度达165 MPa,体积密度为3.18g/cm3。 展开更多

关键词 低温烧结 MGF2 75氧化铝陶瓷 体积密度 抗折强度

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固有烧结温度低的微波介质陶瓷 被引量：5

5

作者 田中青 陈维玲 崔丽丽 《山东陶瓷》 CAS 2008年第2期17-21,共5页

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了... 微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能,同时也指出了研究中存在的一些问题。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 低温烧结 微波介电性能

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粒级组配工艺制备高磁导率Ni-Cu-Zn铁氧体 被引量：1

6

作者 王依琳 赵梅瑜 吴文骏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期926-930,共5页

介绍了一种采用物理方法降低Ni-Cu-Zn铁氧体材料烧结温度的工艺一粒级组配工艺。通过纳米粉体与微米粉体的合理匹配,使材料的致密化过程加速,有效地降低了材料的烧结温度,并使材料的初始磁导率保持较高值。当纳米粉体含量为10％时,Ni0.1... 介绍了一种采用物理方法降低Ni-Cu-Zn铁氧体材料烧结温度的工艺一粒级组配工艺。通过纳米粉体与微米粉体的合理匹配,使材料的致密化过程加速,有效地降低了材料的烧结温度,并使材料的初始磁导率保持较高值。当纳米粉体含量为10％时,Ni0.13Cu0.26Zn0.64Fe1.98O4铁氧体的烧结温度为900℃,初始磁导率达764。 展开更多

关键词 软磁铁氧体 低温烧结 纳米粉体

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磷酸盐低温烧结高强度SiC泡沫陶瓷及性能研究 被引量：3

7

作者 孙文飞 刘卫 黎阳 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期1038-1042,共5页

通过有机模板复制法,以磷酸二氢铝为粘结剂,950℃烧成制备了高强度SiC泡沫陶瓷。研究了浆料中SiC含量和磷酸二氢铝含量对SiC泡沫陶瓷微观结构与性能的影响。结果表明:SiC微粉由A型Al(PO_3)3粘结起来,烧成泡沫陶瓷通孔结构良好,开气孔率... 通过有机模板复制法,以磷酸二氢铝为粘结剂,950℃烧成制备了高强度SiC泡沫陶瓷。研究了浆料中SiC含量和磷酸二氢铝含量对SiC泡沫陶瓷微观结构与性能的影响。结果表明:SiC微粉由A型Al(PO_3)3粘结起来,烧成泡沫陶瓷通孔结构良好,开气孔率介于75%~91%之间。随着磷酸二氢铝含量的增加,烧成泡沫陶瓷的线收缩率、体积密度和抗折强度均逐渐增加,而开气孔率则逐渐减小;随着SiC含量的增加,烧成泡沫陶瓷的线收缩率和开气孔率均逐渐减小,而体积密度和抗折强度则逐渐增加。磷酸二氢铝含量为40%、SiC含量为60%时,泡沫陶瓷的抗折强度达(2.22±0.26)MPa。 展开更多

关键词 磷酸二氢铝 碳化硅泡沫陶瓷 低温烧结 抗折强度

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氮化铝陶瓷低温真空热压烧结研究 被引量：2

8

作者 崔珊 王芬 《陶瓷》 CAS 2010年第8期7-10,共4页

以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响。用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征。研究表明:粉体粒径、烧结工... 以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响。用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征。研究表明:粉体粒径、烧结工艺、烧结助剂对AlN陶瓷低温烧结真空热压烧结性能有很大影响;含烧结助剂的真空热压烧结能够有效降低AIN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,使烧结体的结构致密。烧结温度1 550℃条件下,真空热压烧结90 min时,得到的AIN陶瓷的致密度最高。 展开更多

关键词 AIN陶瓷 低烧结温度 真空热压烧结

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高导NiZn铁氧体的微波烧结及其性能 被引量：2

9

作者 胡军 钟立军 倪哲明 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第S2期434-437,共4页

采用微波烧结技术,在900～1000℃的低烧结温度下制备具有(Ni0.20Zn0.60Cu0.20)Fe1.98O4的NiZn铁氧体,并研究微波烧结对其显微组织及其性能的影响。研究表明:与传统烧结相比,微波烧结的烧结时间更短、烧结效率更高,其样品具有较高的烧结... 采用微波烧结技术,在900～1000℃的低烧结温度下制备具有(Ni0.20Zn0.60Cu0.20)Fe1.98O4的NiZn铁氧体,并研究微波烧结对其显微组织及其性能的影响。研究表明:与传统烧结相比,微波烧结的烧结时间更短、烧结效率更高,其样品具有较高的烧结密度、粗大的晶粒和均匀的晶粒分布。通过使用微波烧结,可在980℃的低烧结温度下获得磁导率高达2000,而比损耗系数(tanδ/μi)仅为8.7×10-6(100kHz)的铁氧体。 展开更多

关键词 NIZN铁氧体 微波烧结 高磁导率 低烧结温度

原文传递

Bi-Mo复合掺杂对MgCuZn铁氧体烧结特性和磁性能的影响 被引量：1

10

作者 邓联文 冯则坤 +2 位作者 黄小忠 周克省 杨兵初 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期669-672,共4页

为改善MgCuZn铁氧体的低温烧结特性并提高其软磁性能,采用传统氧化物法制备MgCuZn铁氧体材料,研究了Bi-Mo复合掺杂对其烧结特性和软磁性能的影响.结果表明;复合掺杂Bi_2O_3和MoO_3适量时(分别为0.6wt%和0.1wt%),在较低的烧结温度(1020℃... 为改善MgCuZn铁氧体的低温烧结特性并提高其软磁性能,采用传统氧化物法制备MgCuZn铁氧体材料,研究了Bi-Mo复合掺杂对其烧结特性和软磁性能的影响.结果表明;复合掺杂Bi_2O_3和MoO_3适量时(分别为0.6wt%和0.1wt%),在较低的烧结温度(1020℃)就能获得较高的烧结密度(≥4.75g/cm^3),起始磁导率可达1240,且具有较高的品质因数(100kHz下为33.8).通过主成分优选、有效的掺杂技术及工艺条件可以提高MgCuZn铁氧体的综合性能,使其可应用于多层片式电感中. 展开更多

关键词 MGCUZN铁氧体 Bi—Mo复合掺杂 低温烧结 起始磁导率

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钛酸锌镁介质陶瓷的制备与介电性能 被引量：2

11

作者 张火光 付振晓 +2 位作者 唐浩 宋永生 莫方策 《电子工艺技术》 2015年第1期47-50,共4页

采用固相合成法制备了Mg0.22Zn0.78TiO3(简称MZT)化合物陶瓷粉体,研究了烧结助剂及Ca O掺杂对MZT介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的Ca O能改善MZT陶瓷的介电性能,加入质量分数为10%烧结助剂,能获得一种能在较低... 采用固相合成法制备了Mg0.22Zn0.78TiO3(简称MZT)化合物陶瓷粉体,研究了烧结助剂及Ca O掺杂对MZT介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的Ca O能改善MZT陶瓷的介电性能,加入质量分数为10%烧结助剂,能获得一种能在较低温度下烧结的MZT系瓷料,烧结温度为1 000℃时,测得陶瓷样品的最佳介电性能:相对介电常数约为21,介质损耗小于1.5×10-4,介电常数温度系数符合C0G瓷料的要求。 展开更多

关键词 介质陶瓷 掺杂 介电性能 多层陶瓷电容器 低温烧结

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ZST微波陶瓷在介质振荡器上的应用研究 被引量：2

12

作者 吴坚强 付江盛 +1 位作者 李燕荪 陈志雪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期683-685,共3页

用传统固相法制备ZST(氧化锆-氧化锡-氧化钛)系微波陶瓷,研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行研究,实验结果表明:少量掺Bi2O3的ZST系陶瓷材料可把烧结... 用传统固相法制备ZST(氧化锆-氧化锡-氧化钛)系微波陶瓷,研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行研究,实验结果表明:少量掺Bi2O3的ZST系陶瓷材料可把烧结温度降低至1 260℃,微波介电性能较好;掺入量大于2%(质量分数)时,ZST系微波陶瓷在晶界偏析形成了Bi2Ti2O7新相,微波性能下降。用微波介电性能较好的ZST系陶瓷制成的介质振荡器进行测试,其电性能满足设计要求。 展开更多

关键词 介质振荡器 ZST系微波陶瓷 低烧结温度

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V_2O_5含量对MoO_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响 被引量：1

13

作者 陈涛 许启明 冯唐福 《陶瓷学报》 CAS 2008年第1期1-5,共5页

用传统陶瓷工艺制备了(Ni_0.16Cu_0.2Zn_0.64O)1.02(Fe_2O_3)_0.98铁氧体材料,研究了MoO_3-V_2O_5复合添加对烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加MoO_3-V_2O_5能促进样品致密化,提高起始磁导率,并能降低功耗。当MoO_3为0.15wt%、... 用传统陶瓷工艺制备了(Ni_0.16Cu_0.2Zn_0.64O)1.02(Fe_2O_3)_0.98铁氧体材料,研究了MoO_3-V_2O_5复合添加对烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加MoO_3-V_2O_5能促进样品致密化,提高起始磁导率,并能降低功耗。当MoO_3为0.15wt%、V_2O_5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi>800)、功耗(305kW/m^3)、密度(5.12g/cm^3)都达到较大值。其值比同样配方只掺杂MoO_3的NiCuZn材料明显提高。 展开更多

关键词 NICUZN铁氧体 MoO3-V2O5复合添加 起始磁导率 低温烧结

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MnO2对BiFeO3掺杂PZT-PFW-PMN陶瓷的电性能与温度特性研究

14

作者 晁小练 杨祖培 安伟伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1242-1246,共5页

采用传统工艺制备了PbZrO_3-PbTiO_3-Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_-Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-BiFeO_3(简称PZT-PFW-PMN-BF)四元系压电陶瓷.研究了MnO_2掺杂对PZT-PFW-PMN-BF陶瓷的显微结构、烧结温度、电性能与温度稳定性的影响.结果表明,当Mn... 采用传统工艺制备了PbZrO_3-PbTiO_3-Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_-Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-BiFeO_3(简称PZT-PFW-PMN-BF)四元系压电陶瓷.研究了MnO_2掺杂对PZT-PFW-PMN-BF陶瓷的显微结构、烧结温度、电性能与温度稳定性的影响.结果表明,当MnO_2的掺杂量为0.10 wt%时,陶瓷的烧结温度从1020℃降到了950℃,并得到了较好的综合性能和温度特性,分别为d_(33)=394 pC/N,K_p=0.54,Q_m=1180、ε_r=1480,△f_r/f_(r25℃)=1.68%和△K_p/K_(p25℃)=-1.06%. 展开更多

关键词 压电陶瓷 低温烧结 电性能

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自还原体系银导电墨水的制备与低温印制导电图形的研究

15

作者 曹洪银 唐耀 +2 位作者 王守绪 何为 毛英捷 《印制电路信息》 2013年第5期109-112,共4页

总结了开发一种简便快捷的可印制在挠性基板上于低温条件实现烧结形成高导电性线路的自还原型银导电墨水的制备方法。该导电墨水通过混合二乙醇胺溶液和银氨溶液制备得到。印制在塑料基材上后,在75℃下固化形成导电线路。这是因为在碱... 总结了开发一种简便快捷的可印制在挠性基板上于低温条件实现烧结形成高导电性线路的自还原型银导电墨水的制备方法。该导电墨水通过混合二乙醇胺溶液和银氨溶液制备得到。印制在塑料基材上后,在75℃下固化形成导电线路。这是因为在碱性环境与高于50℃的温度下,二乙醇胺可分解生成甲醛并自发地与银氨溶液发生反应。随后还原出银原子并让其吸附在基材上形成银薄膜。用该方法印制得到的银线其导电率可达到金属银导电率的20%,通过继续改进可应用于各种印制电子技术中。 展开更多

关键词 导电墨水 低固化温度 银薄膜

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超低温烧结微波介质陶瓷制备工艺的研究进展 被引量：2

16

作者 李晓萌 薛仙 +1 位作者 汪宏 郭靖 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期907-920,共14页

传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1000℃以上高温,不仅工艺周期长、能量消耗高,而且难以实现多种材料体系的集成共烧.如今,无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求,低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术... 传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1000℃以上高温,不仅工艺周期长、能量消耗高,而且难以实现多种材料体系的集成共烧.如今,无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求,低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术被开发和广泛应用.研究烧结温度更低、烧结效率更高,且微波介电性能优异的节能环保型绿色制备工艺,已经成为全球范围内研究热点之一.液相烧结、热压烧结、微波烧结、放电等离子体烧结、闪烧等烧结工艺的提出促进了低温烧结微波介质陶瓷的发展.最近,又出现了一种新的超低温烧结工艺—冷烧结技术.冷烧结具有极低的烧结温度(一般≤300℃)、可在短时间内实现陶瓷高致密化,且在物相稳定性、复合共烧以及晶界控制等方面有着优势,为超低温烧结工艺以及微波介质材料体系的开发提供了新的契机. 展开更多

关键词 微波介质 陶瓷 低温共烧陶瓷 超低温共烧陶瓷 超低温烧结工艺 冷烧结

原文传递

聚碳硅烷低温烧结碳化硅网眼多孔陶瓷的研制 被引量：11

17

作者 姚秀敏 黄政仁 谭寿洪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期168-172,共5页

通过有机模板复制法,以聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为粘结剂和烧结助剂,通过离心工艺二次挂浆制备出低温烧结高强度碳化硅网眼多孔陶瓷.系统地研究了烧结温度、保温时间等工艺参数对制得的碳化硅网眼多孔体微观结构与性能的影响.研... 通过有机模板复制法,以聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为粘结剂和烧结助剂,通过离心工艺二次挂浆制备出低温烧结高强度碳化硅网眼多孔陶瓷.系统地研究了烧结温度、保温时间等工艺参数对制得的碳化硅网眼多孔体微观结构与性能的影响.研究结果表明:最佳烧结温度为1100℃,合适的保温时间为1h,且所制备的网眼多孔体的孔筋厚度均匀.用10PPI(pores per inch)和25PPI有机模板制得的网眼多孔体抗压强度分别为(1.08±0.21)MPa和(2.19±0.32)MPa,耐火温度高达1690℃,而且抗热震性能优良.当淬冷温度大约为1400℃,用25PPI有机模板,经PCS浆料二次挂浆制备的网眼多孔体的热震损伤参数(Dts)仅为0.36. 展开更多

关键词 碳化硅网眼陶瓷 聚碳硅烷 低温烧成 抗压强度 抗热震性能

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固有烧结温度低的低介电常数陶瓷材料研究进展 被引量：3

18

作者 陈康 郑勇 +3 位作者 董作为 徐静 高璐 刘子利 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期115-120,124,共7页

固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料在低温共烧陶瓷(LTCC)中具有重要的应用前景。着重介绍了钨酸盐、磷酸盐、碲酸盐、钼酸盐、钒酸盐、铌酸盐和硼酸盐等固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料的研究进展,并指出低温共... 固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料在低温共烧陶瓷(LTCC)中具有重要的应用前景。着重介绍了钨酸盐、磷酸盐、碲酸盐、钼酸盐、钒酸盐、铌酸盐和硼酸盐等固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料的研究进展,并指出低温共烧陶瓷材料目前存在的问题。 展开更多

关键词 低温共烧陶瓷 微波介质陶瓷 低固有烧结温度 低介电常数

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BNT基无铅压电陶瓷研究进展 被引量：3

19

作者 张燕杰 初瑞清 +3 位作者 徐志军 刘泳 陈倩 臧国忠 《聊城大学学报（自然科学版）》 2010年第4期63-67,共5页

Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)基无铅压电陶瓷,以其良好的电学性能和较高的居里温度等特点而倍受关注.近年来,对该体系陶瓷材料进行研究的报道越来越多.本文结合近年有关BNT基无铅压电陶瓷的报道,从离子掺杂,外掺氧化物及添加烧结助剂三... Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)基无铅压电陶瓷,以其良好的电学性能和较高的居里温度等特点而倍受关注.近年来,对该体系陶瓷材料进行研究的报道越来越多.本文结合近年有关BNT基无铅压电陶瓷的报道,从离子掺杂,外掺氧化物及添加烧结助剂三个方面介绍了最新研究进展,并展望了BNT基压电陶瓷的发展趋势. 展开更多

关键词 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 掺杂改性 低温烧结

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叶蜡石在低温制备钙长石质陶瓷基片中的应用研究 被引量：1

20

作者 顾幸勇 姜文炜 史继霞 《陶瓷学报》 CAS 2000年第3期141-146,共6页

研究了用叶蜡石、碳酸钙与适量的氧化铝 ,在加入添加剂的条件下 ,用原位反应烧结法制备出低温烧结 ( 12 0 0℃ )的新型钙长石质陶瓷基片材料。在满足使用强度条件下 ,与目前常用的氧化铝质陶瓷基片相比 ,叶蜡石制备出的低温烧结钙长石... 研究了用叶蜡石、碳酸钙与适量的氧化铝 ,在加入添加剂的条件下 ,用原位反应烧结法制备出低温烧结 ( 12 0 0℃ )的新型钙长石质陶瓷基片材料。在满足使用强度条件下 ,与目前常用的氧化铝质陶瓷基片相比 ,叶蜡石制备出的低温烧结钙长石质陶瓷基片的介电常数小 ,电绝缘性能好 ;体积密度轻 ,对减轻电器设备的质量有利 ;特别是烧成温度低 ,对于采用高导电率导体 ,像铜、银、金等引线的要求十分有利 ,且原料价格低 ,有很好的经济效益。并讨论了CaCO3 原料适当的引入粒度和Al2 O3 的加入量的影响。 展开更多

关键词 叶蜡石 低温烧结 钙长石 陶瓷基片 氧化铝

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