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基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究
被引量：
2
1
作者
张新
刘梦新
+3 位作者
高勇
洪德杰
王彩琳
邢昆山
《电子器件》
EI
CAS
2006年第2期325-329,共5页
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率...
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时间也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。
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关键词
全耗尽
SOI
CMOS
LDD结构
LDS结构
脉冲测定
下载PDF
职称材料
题名
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究
被引量：
2
1
作者
张新
刘梦新
高勇
洪德杰
王彩琳
邢昆山
机构
西安理工大学自动化学院电子工程系
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第2期325-329,共5页
文摘
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时间也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。
关键词
全耗尽
SOI
CMOS
LDD结构
LDS结构
脉冲测定
Keywords
Fully
Depleted
SOI
CMOS
lightly
doped
Drain
structure
lightly
doped
source
structure
Pulse
Measurement.
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究
张新
刘梦新
高勇
洪德杰
王彩琳
邢昆山
《电子器件》
EI
CAS
2006
2
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职称材料
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