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与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展
被引量：
2
1
作者
陈弘达
孙增辉
+4 位作者
毛陆虹
崔增文
高鹏
陈永权
申荣铉
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期327-330,共4页
本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。
关键词
Si基光发射器件
LE
p
rbs
p
-
n
结
CMOS
Si反偏
p
-
n
结
原文传递
题名
与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展
被引量：
2
1
作者
陈弘达
孙增辉
毛陆虹
崔增文
高鹏
陈永权
申荣铉
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
天津大学电子与信息工程学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期327-330,共4页
基金
国家"863"计划资助项目(2001AA312080
2002AA312240
+1 种基金
2001AA122032)
国家自然科学重大基金项目(69896260)
文摘
本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。
关键词
Si基光发射器件
LE
p
rbs
p
-
n
结
CMOS
Si反偏
p
-
n
结
Keywords
reverse
bias
silicom(
rbs
)
p
-
n
junction
Si
based
led
led
based
o
n
rbs
p
-
n
junction
(
rbs
-
led
)
CMOS
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
TN305
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展
陈弘达
孙增辉
毛陆虹
崔增文
高鹏
陈永权
申荣铉
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
原文传递
已选择
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条
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引用分析
参考文献
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