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A wideband LC-VCO with small VCO gain variation and adaptive power control
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作者 李斌 樊祥宁 王志功 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第10期103-108,共6页
A wideband LC tank voltage-controlled-oscillator(VCO) is proposed.To solve the impacts of wideband operation on VCO gain(K_(VCO)) variation and start-up constraint,a binary-weighted varactor array and a binary-w... A wideband LC tank voltage-controlled-oscillator(VCO) is proposed.To solve the impacts of wideband operation on VCO gain(K_(VCO)) variation and start-up constraint,a binary-weighted varactor array and a binary-weighted negative resistance array all with optimal unit values are designed.Implemented in a 0.18μm CMOS process,the proposed VCO shows a frequency tuning range from 1.9 to 3.1 GHz,with a current consumption varying accordingly from 14.2 to 4 mA from a 1.8 V supply.With the proposed K_(VCO) suppression technique,the K_(VCO) varies from 50 to 60 MHz/V in the entire frequency range.The measured phase noise is -117 dBc/Hz at a 1 MHz offset from a 3 GHz carrier. 展开更多
关键词 lc-vco vco gain adaptive power control CMOS WIDEBAND
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压控振荡器相位噪声的一种建模研究方法 被引量:1
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作者 胡晓莉 李章全 李萍 《信息技术》 2010年第7期36-40,共5页
电感电容压控振荡器(LC-VCO)是无线收发电路中的重要单元,它的频谱纯洁度将直接影响频率合成后的信号频谱,所以相位噪声是VCO的最重要的指标之一。提出了一种研究LC-VCO相位噪声的方法,使用VerilogA语言建立可控噪声和可控寄生电容的晶... 电感电容压控振荡器(LC-VCO)是无线收发电路中的重要单元,它的频谱纯洁度将直接影响频率合成后的信号频谱,所以相位噪声是VCO的最重要的指标之一。提出了一种研究LC-VCO相位噪声的方法,使用VerilogA语言建立可控噪声和可控寄生电容的晶体管模型,通过用所建立的模型代替原有的spice晶体管模型来构成LC-VCO电路并进行仿真,能够对噪声和寄生电容进行开关控制,从而观察不同的噪声源以及不同的寄生特性对电路相位噪声的影响。使用该晶体管模型,仿真验证了噪声滤波理论中差分对管结电容对最优电感值选取的影响以及滤波电感对白噪声和闪烁噪声不同的抑制作用。 展开更多
关键词 lc-vco 相位噪声 寄生电容 噪声滤波理论 VerilogA
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低功耗宽带CMOS LC-VCO设计 被引量:2
3
作者 肖时茂 马成炎 叶甜春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期85-89,共5页
基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO,提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法。通过改变四个累积型可变电容(AMOS)的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿,使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接近线性化,从而实现宽的频率调谐范围。采用... 基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO,提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法。通过改变四个累积型可变电容(AMOS)的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿,使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接近线性化,从而实现宽的频率调谐范围。采用标准0.18/μm 1P6MRFCMOS工艺设计了一款3~3.6GHz频率范围LC-VCO。测试结果表明,整个VCO包含输出缓冲在内,面积为0.45mm^2,工作在1.5V电源下,电流为1.8mA,输出相位噪声在200kHz偏移处为-93dBc/Hz。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 功耗优化 调谐曲线补偿
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低功耗脉冲无线电超宽带3-5 GHz OOK发射机
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作者 李文嘉 黄鲁 +1 位作者 方毅 林福江 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期171-173,177,共4页
设计了一款3~5GHz脉冲无线电超宽带(IR-UWB)的开关键控(OOK)发射机。电路由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC压控振荡器和输出驱动器组成,具有超低功耗和高传输速率。设计的电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。仿真及测试结果表明,... 设计了一款3~5GHz脉冲无线电超宽带(IR-UWB)的开关键控(OOK)发射机。电路由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC压控振荡器和输出驱动器组成,具有超低功耗和高传输速率。设计的电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。仿真及测试结果表明,发射机最高传输速率达到500Mb/s,发射脉冲最大峰峰值达到590mV。该电路在满足FCC频谱规范时消耗的总电流约为0.26mA@40Mb/s,约12pJ/pulse。芯片核心尺寸为0.8mm×0.5mm。 展开更多
关键词 脉冲无线电超宽带 lc-vco 开关键控 发射机
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一种高线性度2.4GHz CMOS LC压控振荡器 被引量:1
5
作者 张鸿 陈贵灿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第7期176-179,共4页
对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.... 对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.45%和1.74%,总调节范围为2.33~2.72 GHz,功耗为15mW,芯片面积为534×540μm2。结果表明,新的电路结构使得VCO的调节非线性度降低到通常只用一对变容管的VCO的一半以下,同时极大地减小了调节范围内相噪声的波动,有效地提高ISM频段内多种无线通信标准的射频收发机的性能。 展开更多
关键词 lc压控振荡器 CMOS射频集成电路 调节线性度 相噪声
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应用于WSN的0.5V 4.8GHz CMOS LC VCO设计 被引量:1
6
作者 李智群 赵晟 《解放军理工大学学报(自然科学版)》 EI 北大核心 2012年第6期611-614,共4页
为设计一个可应用于无线传感网的0.5V4.8GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法... 为设计一个可应用于无线传感网的0.5V4.8GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法来优化VCO的相位噪声性能,保证VCO能在0.5V的低供电电压下稳定工作,相位噪声达到-119.3dBc/Hz@1MHz,VCO的频率调谐范围为4.3~5.3GHz,相位噪声小于-115dBc/Hz@1 MHz,最低可达-121.2dBc/Hz@1 MHz,核心电路电流约为2.6mA,满足无线传感网的应用要求。 展开更多
关键词 CMOS工艺 电感电容压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 升压电路
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GPS/BD接收机中电感电容压控振荡器设计 被引量:1
7
作者 陈顺舟 黄海生 +2 位作者 李鑫 景哏评 王帅 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2016年第3期337-341,共5页
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款宽调谐、低相位噪声、低功耗的电感电容压控振荡器(voltage controlled oscillar,VCO),用于接收北斗卫星导航系统的B1,B2频段信号和全球定位系统(global positioning system,GPS)的L1频段信号的射... 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款宽调谐、低相位噪声、低功耗的电感电容压控振荡器(voltage controlled oscillar,VCO),用于接收北斗卫星导航系统的B1,B2频段信号和全球定位系统(global positioning system,GPS)的L1频段信号的射频接收机中。振荡器中采用了开关固定电容阵列和开关MOS管可变电容阵列,有效地解决了宽频率调谐范围和低相位噪声之间不可兼顾的问题,另外,采用了可变尾电流源的结构,使得振荡器在整个可调频率范围内输出电压的幅度变化不大。利用Cadence软件中Spectre对电路进行仿真。结果表明,振荡器频率调谐在2.958—3.418 GHz和2.318—2.552 GHz这2个频段内,在1.8 V的供电电源电压下,功耗仅为3.06—3.78m W。当振荡器工作在3.2 GHz和2.4 GHz的中心频率时,其在1 MHz频偏处的单边相位噪声分别为-118 d Bc/Hz和-121 d Bc/Hz。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 开关固定电容阵列 开关MOS管可变电容阵列 相位噪声
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适用于蓝牙快速锁定的2.4 GHz频率综合器
8
作者 刘瑞金 杨莲兴 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期96-101,共6页
用TSMC CMOS0.18μm工艺设计了2.4GHz频率综合器,工作频段2.402~2.480GHz,在2.19~2.76GHz范围内能够自动调回到工作频段,VCO的相位噪声是-125.7dBc/Hz@1MHz,环路的相位噪声是-122.2dBc/Hz@1MHz,符合蓝牙协议的要求.
关键词 半导体技术 CMOS频率综合器 lc压控振荡器 锁定时间
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一种调频锁相环电路的改进尝试 被引量:2
9
作者 唐良伟 《电讯技术》 北大核心 2003年第6期55-59,共5页
介绍了一种用LC集成VCO来替换晶体压控振荡器实现调频的锁相环电路并给出了关键技术:双电调端分别实现调频和锁相;环路滤波器的设计及实验结果。该电路不仅具有低的相噪、高稳定的载波,还具有理想的音频调制频响、优良的抗震动性能和温... 介绍了一种用LC集成VCO来替换晶体压控振荡器实现调频的锁相环电路并给出了关键技术:双电调端分别实现调频和锁相;环路滤波器的设计及实验结果。该电路不仅具有低的相噪、高稳定的载波,还具有理想的音频调制频响、优良的抗震动性能和温度性能。理论分析和实践表明,该电路较之改进前的电路更能满足航空电子设备恶劣的环境要求并具有生产性。 展开更多
关键词 调频 锁相环 lc集成vco 环路滤波器 航空电子设备
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GHz VCO分析与设计 被引量:2
10
作者 李月梅 李哲英 《北京联合大学学报》 CAS 2008年第1期64-67,共4页
设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的... 设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的调谐范围,以及符合DCS-1800标准的低的相位噪声,重点是达到了较低的功耗。 展开更多
关键词 低功耗 压控振荡器 负阻lc差分vco 互补交叉耦合对 相位噪声
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用于微波通信的2.4 GHz压控振荡器优化设计 被引量:4
11
作者 段文娟 刘博 +3 位作者 王金婵 张金灿 刘敏 孟庆端 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期461-465,476,共6页
该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合... 该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合性能。基于TSMC 65 nm/1.8 V CMOS工艺进行电路设计和仿真,结合理论建模和小信号等效电路分析,调试关键MOS器件参数。结果表明,改进后的VCO的调谐范围从2.365~2.506 GHz,调谐带宽为141 MHz,-127.272 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声,1.8 V电源电压下功耗低至1.323 mW,综合优值高达-193.84 dBc·Hz-1,优于多数同频段同类型的压控振荡器。 展开更多
关键词 电容电感型压控振荡器(lc-vco) 低功耗 低相位噪声 LS频段 优化设计
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一种用于GPS波段的低相噪VCO设计 被引量:2
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作者 许亚兰 江金光 刘俐 《电子技术应用》 北大核心 2012年第2期47-49,共3页
设计了一种工作频率为1.8 GHz的低相噪频率可调的LC压控振荡器电路。该压控振荡器采用AMOS管作为变容二极管,提高了频率的调谐范围。为了降低电路的相位噪声,设计中采用了PMOS顶部偏置电路代替底部的NMOS偏置电路,并在电路中串联了一个... 设计了一种工作频率为1.8 GHz的低相噪频率可调的LC压控振荡器电路。该压控振荡器采用AMOS管作为变容二极管,提高了频率的调谐范围。为了降低电路的相位噪声,设计中采用了PMOS顶部偏置电路代替底部的NMOS偏置电路,并在电路中串联了一个大电容以滤除电路中的高频噪声。仿真测试结果表明,该电路在1 MHz频偏时其相位噪声为-116.5 dBc/Hz。 展开更多
关键词 GPS 相位噪声 电感电容压控振荡器 互补金属氧化物半导体
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一个低功耗IR-UWB 6~9GHz OOK发射机
13
作者 李文嘉 《中国集成电路》 2016年第4期48-52,56,共6页
本文实现了一款应用于脉冲无线电超宽带系统的低功耗6~9 GHz开关键控(OOK)发射机。发射机由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC电压控制振荡器和输出缓冲器组成;为了便于与片外天线连接,输出缓冲器将差分信号转换成单端信号输出。芯片采用... 本文实现了一款应用于脉冲无线电超宽带系统的低功耗6~9 GHz开关键控(OOK)发射机。发射机由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC电压控制振荡器和输出缓冲器组成;为了便于与片外天线连接,输出缓冲器将差分信号转换成单端信号输出。芯片采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现。测试结果表明最高数据率能达到500MHz,最大发射脉冲峰峰值达到260m V。满足FCC频谱规范时,消耗的电流为2.5m A@500 Mbps,约6p J/pulse。芯片面积为1.21×0.73mm2。 展开更多
关键词 脉冲超宽带 lc-vco、OOK 发射机 0.13μm CMOS
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一种LC-VCO1/f^3相位噪声优化方法
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作者 霍允杰 王海永 陈岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期825-828,855,共5页
建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了... 建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18μm CMOS工艺上获得验证。结果表明,该优化方法可以使频偏在1 k Hz以内的相位噪声改善2~3 d B,可用于开环LC-VCO作为本振的低功耗无线收发机及高性能晶体振荡器的电路设计中。 展开更多
关键词 相位噪声 低功耗 电感电容压控振荡器(lc-vco) 跨导效率 有效截止频率
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A 3.01–3.82 GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator with 6.29% VCO-gain variation for WLAN applications 被引量:2
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作者 刘小龙 张雷 +2 位作者 张莉 王燕 余志平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第7期125-131,共7页
A wideband low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (VCO) with low VCO gain (Kvco) vari- ation for WLAN fractional-N frequency synthesizer application is proposed and designed on a 0.13-μm CMOS process. I... A wideband low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (VCO) with low VCO gain (Kvco) vari- ation for WLAN fractional-N frequency synthesizer application is proposed and designed on a 0.13-μm CMOS process. In order to achieve a low Kvco variation, an extra switched varactor array was added to the LC tank with the conventional switched capacitor array. Based on the proposed switched varactor array compensation technique, the measured Kvco is 43 MHz/V with only 6.29% variation across the entire tuning range. The proposed VCO provides a tuning range of 23.7% from 3.01 to 3.82 GHz, while consuming 9 mA of quiescent current from a 2.3 V supply. The VCO shows a low phase noise of-121.94 dBc/Hz at 1 MHz offset, from the 3.6 GHz carrier. 展开更多
关键词 lc vco vco gain (Kvco low Kvco variation tuning range phase noise CMOS
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一种高性能宽带LCVCO的设计 被引量:4
16
作者 戴惜时 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期47-50,共4页
基于TSMC65nmCMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6~10.7GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LCVCO)。采用差分控制电压方式,减小共模噪声对VCO性能的影响。采用三组可变电容共同作用的方式,减小VC... 基于TSMC65nmCMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6~10.7GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LCVCO)。采用差分控制电压方式,减小共模噪声对VCO性能的影响。采用三组可变电容共同作用的方式,减小VCO增益随振荡频率的变化,同时实现频率的温度补偿。创新性地采用一种新型开关结构,在基本不增加面积的情况下,优化了LCVCO的相位噪声性能。将该LCVCO用于为4.2~5GHz双沿采样DAC提供时钟的锁相环电路,实现了良好的相位噪声性能。 展开更多
关键词 lc vco 相位噪声 温度补偿
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增强型MOS变容管LCVCO增益建模 被引量:1
17
作者 王飞 来金梅 +2 位作者 张海清 孙承绶 章倩苓 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第8期1813-1817,共5页
研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LCVCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered0.35μmCMOS2P4MRF工艺实现的2.4GHzLCVCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.
关键词 lc vco 增强型变容管 大信号分析 vco增益
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一种2.2~5.5G宽带低相位噪声LC VCO设计 被引量:4
18
作者 谷华宝 吴建辉 《电子器件》 CAS 2009年第1期144-147,共4页
论文基于BiCMOS工艺,采用了8个LC VCO并列的工作模式实现了2.2~5.5 GHz的带宽范围的LC VCO,每个LC VCO可以进行单独的调节。在LC VOC的核心电路中采用电阻代替电流镜方式以及在输出处增加了两个三极管限幅,以得到较低的相位噪声。在各个... 论文基于BiCMOS工艺,采用了8个LC VCO并列的工作模式实现了2.2~5.5 GHz的带宽范围的LC VCO,每个LC VCO可以进行单独的调节。在LC VOC的核心电路中采用电阻代替电流镜方式以及在输出处增加了两个三极管限幅,以得到较低的相位噪声。在各个LC VCO的中心频率处其相位噪声优于-96 dBc@100 kHz。当电源电压为5 V时,各个LCVCO的工作电流为3.2 mA^4.2 mA。 展开更多
关键词 宽带 lc压控振荡器 相位噪声
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恒定压控增益的宽带CMOS LC VCO的设计 被引量:2
19
作者 田密 韩婷婷 王志功 《电子技术应用》 北大核心 2017年第1期39-42,共4页
采用SMIC 0.18μm Mixed Signal CMOS工艺设计了恒定压控增益的宽带LC压控振荡器。采用模拟式振幅负反馈的方式,通过模拟电路实现对偏置电流的负反馈控制,同时采用了通过数字控制的单刀双掷开关控制可变电容阵列的调谐,并且对固定电容... 采用SMIC 0.18μm Mixed Signal CMOS工艺设计了恒定压控增益的宽带LC压控振荡器。采用模拟式振幅负反馈的方式,通过模拟电路实现对偏置电流的负反馈控制,同时采用了通过数字控制的单刀双掷开关控制可变电容阵列的调谐,并且对固定电容单元进行开关的方法,从而实现恒定的压控增益且相邻频带之间的频率间隔近似相等。后仿真结果表明,本设计的LC VCO调谐频率范围2.15~3.03 GHz,压控增益在全部频率调谐范围内为70~80 MHz/V,相位噪声在全部频率调谐范围内低于-120.0 d Bc/Hz@1 MHz。 展开更多
关键词 lc vco 振幅负反馈 压控增益
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CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点 被引量:2
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作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期21-25,共5页
在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年... 在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带
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