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IC抗辐射加固的方法
被引量:
4
1
作者
陈桂梅
许仲德
苏秀娣
《微处理机》
1998年第4期18-19,32,共3页
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理,并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路,提出了抗辐射加固技术的方法。
关键词
抗辐射加固
l
54
hct
集成电路
CMOS电路
下载PDF
职称材料
题名
IC抗辐射加固的方法
被引量:
4
1
作者
陈桂梅
许仲德
苏秀娣
机构
电子工业部东北微电子研究所
出处
《微处理机》
1998年第4期18-19,32,共3页
文摘
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理,并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路,提出了抗辐射加固技术的方法。
关键词
抗辐射加固
l
54
hct
集成电路
CMOS电路
Keywords
CMOS IC
radiation-hardeness
l
54
hct
分类号
TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IC抗辐射加固的方法
陈桂梅
许仲德
苏秀娣
《微处理机》
1998
4
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