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表面活性剂作用下谷胱甘肽单分子膜的离子门响应 被引量：3
1
作者 王俊 曾百肇 +1 位作者 方程 周性尧 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1552-1554,共3页
将谷胱甘肽自组装在金电极表面 ,在表面活性剂存在下 ,以铁氰化钾及苯醌作为探针 ,用循环伏安法研究了修饰在金电极表面的谷胱甘肽单分子膜的电化学行为 .实验发现在阳离子表面活性剂作用下 ,谷胱甘肽膜存在离子门行为 ,修饰电极表面的... 将谷胱甘肽自组装在金电极表面 ,在表面活性剂存在下 ,以铁氰化钾及苯醌作为探针 ,用循环伏安法研究了修饰在金电极表面的谷胱甘肽单分子膜的电化学行为 .实验发现在阳离子表面活性剂作用下 ,谷胱甘肽膜存在离子门行为 ,修饰电极表面的电子传输随阳离子表面活性剂浓度的增加而增加 . 展开更多
关键词 谷胱甘肽 自组装单分子层膜 离子门效应 电化学
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