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60%电光效率高功率激光二极管阵列 被引量：5
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作者 王俊 白一鸣 +6 位作者 崇锋 刘媛媛 冯小明 王勇刚 张广泽 刘素平 马骁宇 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1323-1327,共5页
设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗... 设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。 展开更多
关键词 半导体激光器 电光效率 ingaas/gaasp量子阱 大光腔
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