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厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响 被引量：4
1
作者 马锦 马云芳 +1 位作者 宋学萍 孙兆奇 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期7-10,共4页
用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜... 用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜厚度的增加,平均晶粒尺寸随之增大;薄膜的晶格常数在不同厚度下均比标准值稍大。应力分析表明,随着膜厚的增加,ZnS膜的应力差减小,在厚度为768 nm时的选区范围内应力差最小,应力分布较均匀。 展开更多
关键词 ZNS薄膜 射频磁控溅射 膜厚 微结构
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声体波微波延迟线用AlN薄膜制备研究
2
作者 徐阳 张永川 +5 位作者 周勇 朱昌安 田本朗 金成飞 赵明 蔡宏江 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期398-400,404,共4页
采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的... 采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2~4.4GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361ns,插入损耗为-57.3^-60.4dB,3次渡越抑制为28.6dB,直通信号抑制为52.7dB。 展开更多
关键词 氮化铝 压电薄膜 中频磁控溅射 声体波 延迟线
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