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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜
被引量：
2
1
作者
袁泽亮
侯晓远
王迅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期170-175,共6页
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。
关键词
表面钝化
硫钝化
Ⅲ-Ⅴ族半导体
半导体薄膜技术
下载PDF
职称材料
在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜
2
作者
张权林
苏龙兴
+5 位作者
吴天准
王玉超
祝渊
陈明明
桂许春
汤子康
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1171-1177,共7页
利用Mg O和低温Zn O的缓冲层技术,在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的Zn O单晶薄膜。通过XRD测试,Zn O薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4 arcsec,(102)方...
利用Mg O和低温Zn O的缓冲层技术,在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的Zn O单晶薄膜。通过XRD测试,Zn O薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4 arcsec,(102)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)为1 150 arcsec,显示了外延薄膜极高的晶体质量。另外从扫描电子显微测试结果和原子力显微测试结果来看,Zn O薄膜具有极为平整的表面,3μm×3μm面积内的均方根粗糙度仅为0.842 nm,接近原子级的平整。拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)测试结果显示,Zn O薄膜样品内部的应力基本释放,而且具有极低的点缺陷密度。高质量Zn O单晶薄膜的实现为Zn O基的光电器件的制备提供了坚实的基础。
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关键词
缓冲层
应力
缺陷
ZNO
高质量薄膜
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职称材料
题名
硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜
被引量：
2
1
作者
袁泽亮
侯晓远
王迅
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期170-175,共6页
文摘
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。
关键词
表面钝化
硫钝化
Ⅲ-Ⅴ族半导体
半导体薄膜技术
Keywords
Surface
Passivation
Sulfur
Passivation
Technique
Ⅲ-Ⅴ
Semiconductor
high
-
quality
thin
films
Density
of
Surface
States
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜
2
作者
张权林
苏龙兴
吴天准
王玉超
祝渊
陈明明
桂许春
汤子康
机构
中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室
中国科学院深圳先进技术研究院
西昌卫星发射中心
香港科技大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1171-1177,共7页
基金
"973"国家基础科学研究计划(2011CB302000)
国家自然科学基金(51232009
51202299)资助项目
文摘
利用Mg O和低温Zn O的缓冲层技术,在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的Zn O单晶薄膜。通过XRD测试,Zn O薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4 arcsec,(102)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)为1 150 arcsec,显示了外延薄膜极高的晶体质量。另外从扫描电子显微测试结果和原子力显微测试结果来看,Zn O薄膜具有极为平整的表面,3μm×3μm面积内的均方根粗糙度仅为0.842 nm,接近原子级的平整。拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)测试结果显示,Zn O薄膜样品内部的应力基本释放,而且具有极低的点缺陷密度。高质量Zn O单晶薄膜的实现为Zn O基的光电器件的制备提供了坚实的基础。
关键词
缓冲层
应力
缺陷
ZNO
高质量薄膜
Keywords
buffer
stress
defects
ZnO
high
quality
thin
film
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜
袁泽亮
侯晓远
王迅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
下载PDF
职称材料
2
在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜
张权林
苏龙兴
吴天准
王玉超
祝渊
陈明明
桂许春
汤子康
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
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