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题名500 V LDMOS研制
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作者
崔金洪
石金成
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机构
深圳方正微电子有限公司
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出处
《电子与封装》
2015年第1期36-40,共5页
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文摘
为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上。由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。
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关键词
LDMOS
漂移区
高压N阱
深N阱
击穿电压
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Keywords
LDMOS
drift religion
hvnwell
deep Nwell
breakdown voltage
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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