针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSp...针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSpice模型进行仿真后的结果表明,此款带隙基准电路在较宽范围内温漂不超过4 mV。展开更多
为在HSPICE中建立一种计算简单且精度较高的碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistor,CNTFET)模型,在CNTFET半经典建模方法的基础上,分析了自洽电势与载流子密度之间的关系,提出用线性近似进行拟合,并推导了自洽电势...为在HSPICE中建立一种计算简单且精度较高的碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistor,CNTFET)模型,在CNTFET半经典建模方法的基础上,分析了自洽电势与载流子密度之间的关系,提出用线性近似进行拟合,并推导了自洽电势的显式表达式,从而避免了积分方程的迭代求解过程.然后在HSPICE中建立了相应的CNTFET模型,通过仿真比较,结果表明该模型具有较高的精度,用其构建的逻辑门电路能够实现相应逻辑功能,且运算时间大为减少.展开更多
文摘针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSpice模型进行仿真后的结果表明,此款带隙基准电路在较宽范围内温漂不超过4 mV。
文摘为在HSPICE中建立一种计算简单且精度较高的碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistor,CNTFET)模型,在CNTFET半经典建模方法的基础上,分析了自洽电势与载流子密度之间的关系,提出用线性近似进行拟合,并推导了自洽电势的显式表达式,从而避免了积分方程的迭代求解过程.然后在HSPICE中建立了相应的CNTFET模型,通过仿真比较,结果表明该模型具有较高的精度,用其构建的逻辑门电路能够实现相应逻辑功能,且运算时间大为减少.
基金the Jilin Science and Technology Development Foundation of China(20050515)the Science and Technology Development Plan of Zhuhai(PC20051011,PC20061009)the National Natural Science Foundation of China(60476024)~~
