Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型。该模型直流部分采用VBIC模型中的...Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型。该模型直流部分采用VBIC模型中的直流表达式,交流部分采用经验表达式,使得模型得以简化,参数提取难度大大降低。采用1μm Ga As HBT器件,对本文所提出的经验的Ga As HBT器件模型进行验证。在对模型的参数进行完整提取的基础上,通过将Agilent HBT模型和所提出的经验模型的仿真结果与测试结果相对比,验证了所提出的经验模型的精确性。展开更多
对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明...对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC^20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征。运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能。展开更多
文摘Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型。该模型直流部分采用VBIC模型中的直流表达式,交流部分采用经验表达式,使得模型得以简化,参数提取难度大大降低。采用1μm Ga As HBT器件,对本文所提出的经验的Ga As HBT器件模型进行验证。在对模型的参数进行完整提取的基础上,通过将Agilent HBT模型和所提出的经验模型的仿真结果与测试结果相对比,验证了所提出的经验模型的精确性。
文摘对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC^20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征。运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能。
