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酶预处理对麦草NaOH-AQ制浆性能的影响 被引量:31
1
作者 秦梦华 傅英娟 +3 位作者 邵志勇 李兵云 高培基 赵越 《中国造纸学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期33-38,共6页
利用木聚糖酶、漆酶和纤维素酶在蒸煮前对麦草进行预处理 ,可降低化学浆的卡伯值 ,提高未漂浆的白度。和对照浆相比 ,酶预处理的化学浆尤其是木聚糖酶和漆酶化学浆具有更高的裂断长和撕裂指数。酶法化学浆具有良好的可漂性。漆酶和木聚... 利用木聚糖酶、漆酶和纤维素酶在蒸煮前对麦草进行预处理 ,可降低化学浆的卡伯值 ,提高未漂浆的白度。和对照浆相比 ,酶预处理的化学浆尤其是木聚糖酶和漆酶化学浆具有更高的裂断长和撕裂指数。酶法化学浆具有良好的可漂性。漆酶和木聚糖酶的协同作用使纸浆的卡伯值进一步下降 ,并具有更高的强度性能。 展开更多
关键词 化学浆 卡伯值 麦草 制浆性能 酶预处理 裂断长 AQ 木聚糖酶 漆酶 OH
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SiGe HBT基区渡越时间模型 被引量:11
2
作者 林大松 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期456-461,共6页
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起... 建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响 . 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 锗化硅 hbt 基区渡越时间模型
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SiGe器件及其研究综述 被引量:8
3
作者 孙自敏 董志伟 《半导体情报》 1999年第1期17-21,共5页
阐述了SiGe器件的主要研究方向以及国内外对SiGe材料和器件的研究情况,并对SiGe器件与Si器件和GaAs器件的发展前景进行了比较。
关键词 SIGE器件 hbt 异质结 晶体管 锗化硅
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SiGe半导体技术新进展 被引量:9
4
作者 蒋昌凌 《半导体情报》 2000年第3期26-31,共6页
综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。
关键词 hbt 半导体技术 锗化硅
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SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量:9
5
作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多
关键词 hbt 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅
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高效率高谐波抑制功率放大器的设计 被引量:9
6
作者 陈思弟 郑耀华 章国豪 《电子技术应用》 北大核心 2015年第4期60-62,68,共4页
介绍了一种对功率放大器高次谐波处理的方法 ,该方法通过在输出低通匹配网络中引入多个LC谐振网络来对功率放大器产生的谐波能量进行回收,抑制了负载处的谐波分量,同时也提高了功放的效率。利用该方法采用In Ga P/Ga As HBT工艺设计了... 介绍了一种对功率放大器高次谐波处理的方法 ,该方法通过在输出低通匹配网络中引入多个LC谐振网络来对功率放大器产生的谐波能量进行回收,抑制了负载处的谐波分量,同时也提高了功放的效率。利用该方法采用In Ga P/Ga As HBT工艺设计了一个供电电压为5 V、工作于2 GHz频率的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器的增益为35 d B,饱和输出功率为35.2 d Bm,效率为48%,2次到5次的谐波分量分别为:-53 d Bc、-58 d Bc、-65 d Bc、-60 d Bc。 展开更多
关键词 功率放大器 效率 谐波抑制 INGAP/GAAS hbt
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SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势 被引量:9
7
作者 马羽 王志宽 崔伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期508-514,共7页
介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。
关键词 异质结 SIGE hbt SiGe双极工艺 SIGE BICMOS工艺
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SiGe HBT势垒电容模型 被引量:9
8
作者 吕懿 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 胡辉勇 舒斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3239-3244,共6页
在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容... 在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟 。 展开更多
关键词 SIGE hbt 势垒电容 微分电容 载流子分布 电流密度 异质结双极晶体管
原文传递
微波功率器件及其材料的发展和应用前景 被引量:3
9
作者 文剑 曾健平 晏敏 《电子与封装》 2005年第11期1-8,共8页
本文介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波... 本文介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。 展开更多
关键词 微波功率器件 设计 材料 hbt MESFET HEMT
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Effects of a phase transition on two-pion interferometry in heavy ion collisions at √SNN=2.4-7.7 GeV 被引量:7
10
作者 Pengcheng Li Jan Steinheimer +3 位作者 Tom Reichert Apiwit Kittiratpattana Marcus Bleicher Qingfeng Li 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第3期88-97,共10页
Hanbury-Brown-Twiss(HBT) correlations for charged pions in central Au+Au collisions at √SNN=2.4-7.7 GeV(corresponding to beam kinetic energies in the fixed target frame from Elab=1.23 to 30 GeV/nucleon) are calculate... Hanbury-Brown-Twiss(HBT) correlations for charged pions in central Au+Au collisions at √SNN=2.4-7.7 GeV(corresponding to beam kinetic energies in the fixed target frame from Elab=1.23 to 30 GeV/nucleon) are calculated using the ultra-relativistic quantum molecular dynamics model with different equations of state(EoSs).The effects of a phase transition at high baryon densities are clearly observed in the explored HBT parameters.The results show that the available data on the HBT radii,RO/RSand R^(2)_(O)-R^(2)_(S),in the investigated energy region favor a relatively stiff EoS at low beam energies,which then turns into a soft EoS at high collision energies consistent with astrophysical constraints on the high-density EoS of quantum chromodynamics(QCD).The specific effects of two different phase transition scenarios on RO/RSand R^(2)_(O)-R^(2)_(S)are investigated.A phase transition with a significant softening of the EoS below four times the nuclear saturation density can be excluded using HBT data.Our results highlight that the pion’s RO/RSand R^(2)_(O)-R^(2)_(S)are sensitive to the stiffness of the EoS and can be used to constrain and understand the QCD EoS in a high baryon density region. 展开更多
关键词 heavy ion collisions hbt correlation equation of state
原文传递
自对准GaInP/GaAs HBT器件 被引量:8
11
作者 钱永学 刘训春 +1 位作者 王润梅 石瑞英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期513-516,共4页
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 ( HBT) ,其特征频率 ( ft)达到 5 4 GHz,最高振荡频率 ( fmax)达到 71GHz,并且 ,这种方法工艺简单 ,成品率高 .文中还对该结果进行了分析 。
关键词 异质结双极晶体管 镓铟磷/镓砷 T形发射极 铡向内切 hbt
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SiGe异质结晶体管技术的发展 被引量:8
12
作者 辛启明 刘英坤 贾素梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期672-676,729,共6页
以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术... 以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点。在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用。以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术-SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品。最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍。在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术。 展开更多
关键词 SIGE技术 SiGe外延 SIGE hbt SIGE BICMOS SIGE FET
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高性能pin/HBT集成光接收机前端设计 被引量:4
13
作者 崇英哲 黄辉 +3 位作者 王兴妍 王琦 黄永清 任晓敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期248-250,共3页
 分析了pin/HBTOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(...  分析了pin/HBTOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(大于等于10Gbit/s)和波分复用系统中有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 hbt PIN光探测器 OEIC 光接收机前端
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SiGe HBT大信号等效电路模型 被引量:6
14
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +5 位作者 吕懿 戴显英 侯慧 区健锋 王伟 王喜嫒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期403-408,共6页
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程... 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好. 展开更多
关键词 SIGE hbt 等效电路模型 PSPICE
原文传递
化合物半导体器件与电路的研究进展 被引量:8
15
作者 李岚 王阳 +2 位作者 李晓岚 邵会民 杨瑞霞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第10期650-653,共4页
介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景。回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状。分别讨论了GaAs基HEMT由PHEMT渐变为MHEMT结构和性能的变化,GaAs基HBT在不同电路应用中器件的... 介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景。回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状。分别讨论了GaAs基HEMT由PHEMT渐变为MHEMT结构和性能的变化,GaAs基HBT在不同电路应用中器件的特性,InP基HEMT与HBT的器件结构及工作特性,GaN基HEMT与HBT的器件特性参数。总体而言,化合物半导体器件与电路在高功率和高频电子器件方面发展较快,GaAs,InP和GaN材料所制得的各种器件电路工作在不同的频率波段,其在相关领域发展潜力巨大。 展开更多
关键词 砷化镓(GaAs) 磷化铟(InP) 氮化镓(GaN) HEMT hbt
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用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数 被引量:7
16
作者 石瑞英 刘训春 +1 位作者 钱永学 石华芬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期957-961,共5页
将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1~ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了... 将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1~ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了 Ga0 .4 9In0 .51 P/ Ga As HBT交流小信号等效电路模型的全部 16个参数 ,得到了令人满意的模拟与测量 S参数的比较结果 . 展开更多
关键词 全局优化遗传算法 小信号等效电路 参数提取 hbt 异质结双极型晶体管
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漆酶催化氧化水溶液中三氯生转化的作用机理 被引量:7
17
作者 孙凯 李舜尧 《中国环境科学》 EI CAS CSSCI CSCD 北大核心 2017年第8期2947-2954,共8页
探讨了氧化还原介质(HBT)对漆酶调控水体中三氯生转化的影响,并利用高分辨质谱鉴定了其转化产物,综合地阐明了漆酶催化氧化水溶液中三氯生转化的作用机理.结果表明,平菇Pleurotus ostreatus分泌的胞外漆酶能够有效地去除水溶液中的三氯... 探讨了氧化还原介质(HBT)对漆酶调控水体中三氯生转化的影响,并利用高分辨质谱鉴定了其转化产物,综合地阐明了漆酶催化氧化水溶液中三氯生转化的作用机理.结果表明,平菇Pleurotus ostreatus分泌的胞外漆酶能够有效地去除水溶液中的三氯生,添加HBT显著地促进了漆酶对三氯生的去除效率.反应前期(0~4h),三氯生的转化符合表观假一级动力学方程(R^2≥0.9465);在缺乏或存在HBT条件下,三氯生的转化速率常数(k)分别为0.43和0.95/h,半衰期(T_(1/2))分别为1.60和0.73h.缺乏HBT的反应体系中,漆酶催化氧化三氯生转化的主要机制是通过自由基介导的耦合反应形成低聚物,如二聚体、三聚体和四聚体等;而存在HBT的反应系统中,三氯生转化的主要途径是通过醚键断裂生成2,4-二氯苯酚和3-氯苯酚.该研究结果有利于评估氧化还原介质对漆酶催化氧化抗菌剂在环境中转化过程的影响及机理. 展开更多
关键词 漆酶 三氯生 hbt 转化机制
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半导体材料的发展及现状 被引量:2
18
作者 周立军 《半导体情报》 2001年第1期12-15,共4页
介绍了半导体材料近 1 0年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用 ;对其中一些材料进行了分析比较 ;描述了半导体新型材料的发展前景。
关键词 半导体材料 HEMT MESFET 砷化镓 半导体器件
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高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析 被引量:3
19
作者 吴杰 夏冠群 +2 位作者 束为民 顾伟东 张兴宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期56-63,共8页
建立了Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs 异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟.随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流... 建立了Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs 异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟.随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明,小电流下电流增益的下降主要是由eb 结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的;而大电流下电流增益直至723K 下降仍小于10% .最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响,模拟结果较为符合实际情况,可为研制高性能HBT器件所需材料提供参考依据. 展开更多
关键词 电流增益 hbt ALGAINP GAAS 砷化镓
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微波低噪声SiGe HBT的研制 被引量:3
20
作者 钱伟 张进书 +2 位作者 贾宏勇 林惠旺 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期445-450,共6页
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益... 利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。 展开更多
关键词 微波 低噪声 锗化硅 hbt 晶体管
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