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抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs
被引量：
3
1
作者
赵洪辰
海潮和
+1 位作者
韩郑生
钱鹤
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期71-74,共4页
在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用H型栅结构,消除边缘寄生晶体管。结果表明,在经受1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显...
在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用H型栅结构,消除边缘寄生晶体管。结果表明,在经受1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化。
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关键词
SOI
总剂量辐照
氮化
h
2-O2
合成栅介质
h
型栅
原文传递
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
被引量：
1
2
作者
钱聪
张恩霞
+9 位作者
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(...
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
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关键词
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环栅结构
h
型栅结构
原文传递
题名
抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs
被引量：
3
1
作者
赵洪辰
海潮和
韩郑生
钱鹤
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期71-74,共4页
文摘
在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用H型栅结构,消除边缘寄生晶体管。结果表明,在经受1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化。
关键词
SOI
总剂量辐照
氮化
h
2-O2
合成栅介质
h
型栅
Keywords
SOI
total
dose
radiation
N_2O
annealed
h
_2-O_2
grown
dielectric
h
-
gate
structure
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN405
原文传递
题名
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
被引量：
1
2
作者
钱聪
张恩霞
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国航天时代电子公司第
信息产业部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
文摘
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
关键词
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐照效应
环栅结构
h
型栅结构
Keywords
silicon
on
insulator
total
-
dose
irradiation
effect
gate
-
all
-
around
structure
h
-
gate
structure
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs
赵洪辰
海潮和
韩郑生
钱鹤
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
原文传递
2
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究
钱聪
张恩霞
贺威
张正选
张峰
林成鲁
王英民
王小荷
赵桂茹
恩云飞
罗宏伟
师谦
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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