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Ge_(50)Sn_(50)有序合金压力下电子性质的计算机模拟
1
作者
吕梦雅
陈洲文
刘日平
《燕山大学学报》
CAS
2007年第3期198-200,共3页
使用第一性原理和赝势方法研究了Ge_(50)Sn_(50)有序合金直到9 GPa压力下的能带结构和带隙的压力依赖性。发现该合金的直接带隙随着压力的增大几乎是线性增加,在4.7 GPa时达到最大值0.72 eV;在该压力下发生直接带隙至间接带隙的转变,其...
使用第一性原理和赝势方法研究了Ge_(50)Sn_(50)有序合金直到9 GPa压力下的能带结构和带隙的压力依赖性。发现该合金的直接带隙随着压力的增大几乎是线性增加,在4.7 GPa时达到最大值0.72 eV;在该压力下发生直接带隙至间接带隙的转变,其导带在4.7 GPa-8 GPa时与Ge类似,在高于6.8 GPa压力时与Si类似。同时还研究了自旋轨道耦合作用对合金能带结构的影响。
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关键词
第一性原理
ge
50
sn
50
有序合金
压力系数
带隙
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职称材料
题名
Ge_(50)Sn_(50)有序合金压力下电子性质的计算机模拟
1
作者
吕梦雅
陈洲文
刘日平
机构
燕山大学亚稳材料科学与技术国家重点实验室
燕山大学信息科学与工程学院
出处
《燕山大学学报》
CAS
2007年第3期198-200,共3页
基金
国家杰出青年科学基金项目(No.50325103)
文摘
使用第一性原理和赝势方法研究了Ge_(50)Sn_(50)有序合金直到9 GPa压力下的能带结构和带隙的压力依赖性。发现该合金的直接带隙随着压力的增大几乎是线性增加,在4.7 GPa时达到最大值0.72 eV;在该压力下发生直接带隙至间接带隙的转变,其导带在4.7 GPa-8 GPa时与Ge类似,在高于6.8 GPa压力时与Si类似。同时还研究了自旋轨道耦合作用对合金能带结构的影响。
关键词
第一性原理
ge
50
sn
50
有序合金
压力系数
带隙
Keywords
first-principles
ge
50
sn
50
ordered
alloy
pressure
coefficient
band-gap
分类号
O571 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge_(50)Sn_(50)有序合金压力下电子性质的计算机模拟
吕梦雅
陈洲文
刘日平
《燕山大学学报》
CAS
2007
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职称材料
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