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SiGe合金单晶生长研究
被引量：
1
1
作者
刘锋
毛陆虹
+3 位作者
韩焕鹏
王义猛
李丹
何秀坤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期328-332,共5页
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%...
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。
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关键词
锗硅单晶
锗的质量分数
单晶生长
直拉法
位错密度
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职称材料
题名
SiGe合金单晶生长研究
被引量：
1
1
作者
刘锋
毛陆虹
韩焕鹏
王义猛
李丹
何秀坤
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
天津大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期328-332,共5页
基金
国家部委基金资助项目
文摘
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。
关键词
锗硅单晶
锗的质量分数
单晶生长
直拉法
位错密度
Keywords
Si
ge
single
crystal
ge
mass
fraction
dislocation
density
single
crystal
growing
CZ
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiGe合金单晶生长研究
刘锋
毛陆虹
韩焕鹏
王义猛
李丹
何秀坤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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参考文献
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