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超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究 被引量：3
1
作者 高伟 张宝 +2 位作者 薛超 高鹏 王保民 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1069-1070,1142,共3页
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。
关键词 MOCVD技术 器件工艺 GAINP GAINAS ge太阳电池
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