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气相传输平衡技术制备LiGaO_2薄膜
1
作者
张俊刚
夏长泰
+7 位作者
吴锋
裴广庆
李抒智
徐军
周圣明
邓群
徐悟生
史宏声
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期1424-1428,共5页
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气...
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。
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关键词
薄膜光学
复合衬底
gan
外延膜
气相传输平衡技术
β-Ga2O3单晶
LiGaO2薄膜
色心
原文传递
利用光致发光法测定Al_xGa_(1-x)N外延膜中的铝元素含量
被引量：
5
2
作者
王雪蓉
魏莉萍
+3 位作者
郑会保
刘运传
周燕萍
孟祥艳
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2012年第5期138-142,共5页
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm...
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772eV,认为其弯曲因子在1.0eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。
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关键词
薄膜
Al
gan
外延膜
光致发光
弯曲因子
CASTEP软件
原文传递
蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
3
作者
王雪蓉
刘运传
+3 位作者
孟祥艳
周燕萍
王康
王倩倩
《半导体光电》
CAS
北大核心
2016年第4期524-527,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结...
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构,通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数,并由此对应变进行定量分析,四个不同Al组分的Al_xGa_(1-x)N外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小,并且均小于零,在水平方向上均处于压应变状态。
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关键词
铝镓氮外延膜
MOCVD
高分辨X射线衍射
晶格常数
应变
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职称材料
GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究
被引量：
7
4
作者
李志锋
陆卫
+4 位作者
叶红娟
袁先璋
沈学础
G.Li
S.J.Chua
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第8期1614-1619,共6页
用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究 .通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率...
用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究 .通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量 ,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率 .计算结果 ,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致 ,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一 .同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模 ,(LPP)
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关键词
外延薄膜
载流子浓度
迁移率
氧化镓
光谱
原文传递
题名
气相传输平衡技术制备LiGaO_2薄膜
1
作者
张俊刚
夏长泰
吴锋
裴广庆
李抒智
徐军
周圣明
邓群
徐悟生
史宏声
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
通用电气中国研究开发中心有限公司
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期1424-1428,共5页
基金
中国科学院"百人计划"
国家自然科学基金(50472032)资助课题
文摘
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。
关键词
薄膜光学
复合衬底
gan
外延膜
气相传输平衡技术
β-Ga2O3单晶
LiGaO2薄膜
色心
Keywords
thin
film
optics
composite
substrate
gan
epitaxial
film
vapor
transport
equilibration
β-Ga2O3
LiGaO2
film
s
color
center
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
利用光致发光法测定Al_xGa_(1-x)N外延膜中的铝元素含量
被引量：
5
2
作者
王雪蓉
魏莉萍
郑会保
刘运传
周燕萍
孟祥艳
机构
中国兵器工业集团公司第五三研究所
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2012年第5期138-142,共5页
基金
“十一五”化学计量项目资助课题
文摘
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772eV,认为其弯曲因子在1.0eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。
关键词
薄膜
Al
gan
外延膜
光致发光
弯曲因子
CASTEP软件
Keywords
thin
film
s
A1
gan
epitaxial
film
photoluminescence
bowing
parameter
CASTEP
software
分类号
O649.1 [理学—物理化学]
O471.5 [理学—化学]
原文传递
题名
蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
3
作者
王雪蓉
刘运传
孟祥艳
周燕萍
王康
王倩倩
机构
中国兵器工业集团公司第
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2016年第4期524-527,共4页
基金
国防基础科研计划项目(J092009A001)
文摘
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构,通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数,并由此对应变进行定量分析,四个不同Al组分的Al_xGa_(1-x)N外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小,并且均小于零,在水平方向上均处于压应变状态。
关键词
铝镓氮外延膜
MOCVD
高分辨X射线衍射
晶格常数
应变
Keywords
A1
gan
epitaxial
film
MOCVD
high
resolution
X-ray
diffraction
crystallattice
constant
strain
分类号
O649.1 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究
被引量：
7
4
作者
李志锋
陆卫
叶红娟
袁先璋
沈学础
G.Li
S.J.Chua
机构
中国科学院上海技术物理研究所
InstituteofMaterialsResearchandEngineering
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第8期1614-1619,共6页
文摘
用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究 .通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量 ,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率 .计算结果 ,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致 ,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一 .同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模 ,(LPP)
关键词
外延薄膜
载流子浓度
迁移率
氧化镓
光谱
Keywords
α-
gan
epitaxy
thin
film
,
IR
reflection
spectra,
carrier
contration,
mobility,
LO
phonon
plasmon
coupling
mode,
Raman
spectra
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气相传输平衡技术制备LiGaO_2薄膜
张俊刚
夏长泰
吴锋
裴广庆
李抒智
徐军
周圣明
邓群
徐悟生
史宏声
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
原文传递
2
利用光致发光法测定Al_xGa_(1-x)N外延膜中的铝元素含量
王雪蓉
魏莉萍
郑会保
刘运传
周燕萍
孟祥艳
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2012
5
原文传递
3
蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析
王雪蓉
刘运传
孟祥艳
周燕萍
王康
王倩倩
《半导体光电》
CAS
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
4
GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究
李志锋
陆卫
叶红娟
袁先璋
沈学础
G.Li
S.J.Chua
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
7
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