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题名一种8位1 GS/s折叠内插A/D转换器
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作者
邓红辉
程海玲
汪江
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机构
合肥工业大学微电子设计研究所
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出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第3期304-308,共5页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014HGCH0010)
安徽省科技攻关项目(JZ2014AK KG0430)
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文摘
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,采用两级级联的折叠内插结构,设计了一种8位1GS/s折叠内插A/D转换器。在预放大器阵列输出端引入失调平均网络,优化了预放大器阵列的输入对管尺寸,以补偿边界预放大器的增益衰减。在折叠电路中引入幅度补偿电路,以增加较小的电路功耗为代价改善了电路的带宽限制,提高了增益及输出线性范围。分析了内插平均电阻网路中的高倍内插误差,通过优化内插电阻值,实现了内插输出失调的减小,保证了系统良好的精度特性。仿真结果表明,在采样率为1GS/s、输入正弦波频率为465.82 MHz的条件下,该8位折叠内插A/D转换器的有效位数能够达到7.31位,功耗为290mW。
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关键词
折叠插值A/D转换器
级联结构
粗量化
细量化
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Keywords
Folding and interpolating ADC
Cascade structure
Coarse quantification
fine quantification
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN792
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