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Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电陶瓷烧结工艺及性能研究 被引量:10
1
作者 王华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1-3,共3页
采用固态反应方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷靶材。利用TG-DTA分析了PbO、ZrO2和TiO2粉末混合物的分解、化合反应,通过XRD研究了烧结工艺对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷的晶相结构的影响。研究表明,采用870℃预烧、1 200℃终烧... 采用固态反应方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷靶材。利用TG-DTA分析了PbO、ZrO2和TiO2粉末混合物的分解、化合反应,通过XRD研究了烧结工艺对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷的晶相结构的影响。研究表明,采用870℃预烧、1 200℃终烧、分别保温2 h和4 h的烧结工艺,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷纯度高 ,致密性好、晶粒均匀,且具有良好的介电与铁电性能。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 铁电材料 烧结工艺 锆钛酸铅
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掺钕钛酸铋铁电陶瓷靶的研制
2
作者 王宁章 李兴教 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期27-29,共3页
用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材。通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线。结果表明,采用在800℃预烧、保温2h,1100℃烧结、保温12h的烧成工艺,所得... 用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材。通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线。结果表明,采用在800℃预烧、保温2h,1100℃烧结、保温12h的烧成工艺,所得的BNT铁电陶瓷具有良好的c轴取向,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在应用电压为5V,测试频率为1MHz下,BNT铁电陶瓷的剩余极化强度(Pr)及矫顽场强(Ec)可分别达到2.2×10–6C/cm2和5×103V/cm。 展开更多
关键词 无机非金属材料 铁电材料 烧结工艺 BNT 晶种
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FM31256在区域火灾报警控制器中的应用 被引量:1
3
作者 廉亚囡 陈彦 《兵工自动化》 2006年第4期77-79,共3页
在区域火灾报警控制器中,FM31256芯片的非易失性数据存储器、实时时钟、看门狗等功能,增强系统可靠性。FM31256芯片利用铁电体技术,其存储区分为系统标志、探测器物理编码、探测器逻辑编码、探测器标志及报警记录区等部分。系统MCU采用8... 在区域火灾报警控制器中,FM31256芯片的非易失性数据存储器、实时时钟、看门狗等功能,增强系统可靠性。FM31256芯片利用铁电体技术,其存储区分为系统标志、探测器物理编码、探测器逻辑编码、探测器标志及报警记录区等部分。系统MCU采用89C52芯片,而89C52芯片分别与FM31256的SCL和SDA引脚相连,并以I2C总线协议实现单片机与FM31256间的数据交换。 展开更多
关键词 FM31256 铁电体技术 区域火灾报警控制器
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钛酸锶钡(BST)薄膜的制备与应用研究进展 被引量:15
4
作者 符春林 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 胡文成 李文远 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期47-50,共4页
介绍了钛酸锶钡(BST)薄膜的四种制备方法(脉冲激光沉积、磁控溅射、溶胶–凝胶、金属有机化学气相沉积)及BST薄膜在介质移相器、动态随机存储器、热释电红外探测器、H2探测器中的应用等方面的研究进展。提出了需进一步开展的研究课题如... 介绍了钛酸锶钡(BST)薄膜的四种制备方法(脉冲激光沉积、磁控溅射、溶胶–凝胶、金属有机化学气相沉积)及BST薄膜在介质移相器、动态随机存储器、热释电红外探测器、H2探测器中的应用等方面的研究进展。提出了需进一步开展的研究课题如:晶粒晶界控制、界面控制、漏电导机制、疲劳机制、非线性效应及大面积高质量薄膜的制备技术等。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 铁电薄膜 制备技术 BST 应用
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PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展 被引量:9
5
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 徐慢 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第10期64-67,共4页
铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的... 铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点。介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向。 展开更多
关键词 厚膜材料 铁电 PZT 集成光学 微电子学 热释电 光电子学 器件 压电
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铁电薄膜及其制备技术 被引量:4
6
作者 王华 《桂林电子工业学院学报》 2001年第2期47-51,共5页
具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性 ,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景 ,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综... 具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性 ,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景 ,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及其制备技术研究的新进展 ,给大家介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用 ,并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点 ,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。 展开更多
关键词 铁电薄膜 制备技术 溅射 脉冲激光沉积
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铁电薄膜材料的制备技术及应用
7
作者 郭旭侠 王江波 周小英 《广东化工》 CAS 2008年第2期27-29,34,共4页
铁电薄膜材料、集成铁电器件以及与之相应的物理问题,引起物理学、材料科学与工程、微电子与光电子学等领域的科学技术人员和学者的关注。文章介绍了铁电薄膜新研究进展,对目前最常用的几种主要制备方法进行了评述,重点分析了铁电薄膜... 铁电薄膜材料、集成铁电器件以及与之相应的物理问题,引起物理学、材料科学与工程、微电子与光电子学等领域的科学技术人员和学者的关注。文章介绍了铁电薄膜新研究进展,对目前最常用的几种主要制备方法进行了评述,重点分析了铁电薄膜不同制备方法的优缺点。并对未来的可能进展作了简单的描述,指出了目前关于铁电薄膜研究中的一些问题,并提出一些解决问题的办法。 展开更多
关键词 集成铁电器件 铁电薄膜 制备技术 研究进展
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铁电液晶显示的交流稳态技术与等效电路模型改进 被引量:5
8
作者 王梦遥 潘炜 +2 位作者 罗斌 张伟利 邹喜华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1968-1972,共5页
针对交流稳态技术提出了一种改进的能体现铁电液晶电学、光学各向异性的等效电路模型.通过将介电张量与电场的耦合作用和由表面定向层引起的锚定能量以等效源的形式表达在电路模型中,成功地将模型拓展到介电各向异性情况下.分别就正、... 针对交流稳态技术提出了一种改进的能体现铁电液晶电学、光学各向异性的等效电路模型.通过将介电张量与电场的耦合作用和由表面定向层引起的锚定能量以等效源的形式表达在电路模型中,成功地将模型拓展到介电各向异性情况下.分别就正、负性介电各向异性及应用交流稳态技术时的光响应特性和动力学机制进行了模拟,并给出了对应的介电扭矩、铁电扭矩和极化反转电流.模拟结果吻合于理论分析及文献报道的结果,表明了电路模型的有效性. 展开更多
关键词 铁电液晶 等效电路模型 交流稳态技术 介电各向异性
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铁电材料负电卡效应的研究进展
9
作者 李建厅 李俊杰 +1 位作者 闫汝清 白洋 《现代技术陶瓷》 CAS 2024年第1期24-43,共20页
基于电卡效应的铁电制冷技术具有制冷效率高、绿色环保、操控便捷、易于小型化等优点,具有广阔的制冷应用场景。电卡效应是指铁电等极性材料在外电场作用下电偶极子状态改变引发的等温熵变或绝热温变,包括正电卡效应和负电卡效应。正(负... 基于电卡效应的铁电制冷技术具有制冷效率高、绿色环保、操控便捷、易于小型化等优点,具有广阔的制冷应用场景。电卡效应是指铁电等极性材料在外电场作用下电偶极子状态改变引发的等温熵变或绝热温变,包括正电卡效应和负电卡效应。正(负)电卡效应是指对铁电体施加(撤去)电场时,铁电体放热;撤去(施加)电场时,铁电体吸热的现象。正、负电卡效应中从外部环境吸收热量的过程均可用于铁电制冷。除优化热释电系数和击穿场强的传统方案外,正、负电卡效应相结合也被认为是提升铁电材料制冷能力的有效手段。然而,负电卡效应存在研究时间短、材料体系少、物理机制不清晰、调控机理不明确等诸多问题,限制了正、负电卡效应的结合及其应用。本文在回顾电卡效应研究进展的基础上,综述了负电卡效应的物理机制和调控机理,讨论了结合正、负电卡效应提升制冷性能的可行性,并对负电卡效应及正、负电卡效应结合的未来研究进行了展望。本文可为负电卡效应研究及提升铁电材料的制冷能力提供新的思路和方向,推动电卡效应的研究。 展开更多
关键词 铁电制冷技术 电卡效应 负电卡效应 物理机制
原文传递
纳米Sb_(2)Se_(3)掺杂PZT铁电陶瓷材料的热电性能 被引量:3
10
作者 吴亚丽 岳彩霞 金宏 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2021年第1期82-85,共4页
采用固相烧结法将Sb2Se3掺杂入PZT铁电陶瓷,以期提升PZT铁电陶瓷的热电性能。对掺杂后的样品材料进行了XRD分析,发现Sb2Se3掺杂融入PZT的效果良好,之后对样品材料的热电性能进行了重点分析。结果表明:随着温度的升高,样品材料的赛贝克... 采用固相烧结法将Sb2Se3掺杂入PZT铁电陶瓷,以期提升PZT铁电陶瓷的热电性能。对掺杂后的样品材料进行了XRD分析,发现Sb2Se3掺杂融入PZT的效果良好,之后对样品材料的热电性能进行了重点分析。结果表明:随着温度的升高,样品材料的赛贝克系数的绝对值均逐渐增大,且均为负值,掺杂样品的赛贝克系数的绝对值较未掺杂样品降低;体积较小的掺杂样品材料的热导率明显低于体积较大的样品热导率;在添加不同量Sb2Se3的PZT铁电陶瓷电导率与温度的阿伦尼乌斯图中可以观察到,随着掺杂量的增大,电导率出现先增大后减小的趋势;掺杂量为0.3的PZT材料在温度为615 K(342℃)时的ZT值最大为0.28。 展开更多
关键词 Sb_(2)Se_(3) PZT铁电陶瓷 热电性能 固相烧结法
原文传递
铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展 被引量:2
11
作者 杨艳 张树人 +1 位作者 刘敬松 杨成韬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期104-107,共4页
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术。简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨... 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术。简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨论了相关工艺对性能的影响。 展开更多
关键词 铁电薄膜 铁电存储器 集成工艺
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An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies(Invited paper)
12
作者 J.M.Portal M.Bocquet +8 位作者 M.Moreau H.Aziza D.Deleruyelle Y.Zhang W.Kang J.-O.Klein Y.-G.Zhang C.Chappert W.-S.Zhao 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2014年第2期173-181,共9页
Low power consumption is a major issue in nowadays electronics systems. This trend is pushed by the development of data center related to cloud services and soon to the Internet of Things (IoT) deployment. Memories ... Low power consumption is a major issue in nowadays electronics systems. This trend is pushed by the development of data center related to cloud services and soon to the Internet of Things (IoT) deployment. Memories are one of the major contributors to power consumption. However, the development of emerging memory technologies paves the way to low-power design, through the partial replacement of the dynamic random access memory (DRAM) with the non-volatile stand-alone memory in servers or with the embedded or distributed emerging non-volatile memory in IoT objects. In the latter case, non-volatile flip-flops (NVFFs) seem a promising candidate to replace the retention latch. Indeed, IoT objects present long sleep time and NVFFs offer to save data in registers with zero power when the application is idle. This paper gives an overview of NVFF architecture flavors for various emerging memory technologies. 展开更多
关键词 Emerging memory technology ferroelectric RAM low power magnetic RAM non-volatile flip-flops phase change RAM resistive RAM
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新型PMNT材料红外光传感器数字化低功耗输出技术 被引量:1
13
作者 谢峰 景为平 +1 位作者 鲁华祥 李言谨 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1236-1240,共5页
红外探测器进入商业市场的最大障碍是致冷。它不仅使系统成本提高,而且操作不便[1]。我国科学家最新发现的以PMNT为代表的弛豫铁电单晶在热扩散系数、物化性能等方面具有优异的热释电综合性能,可应用于非致冷器件,用其制成的传感器具有... 红外探测器进入商业市场的最大障碍是致冷。它不仅使系统成本提高,而且操作不便[1]。我国科学家最新发现的以PMNT为代表的弛豫铁电单晶在热扩散系数、物化性能等方面具有优异的热释电综合性能,可应用于非致冷器件,用其制成的传感器具有结构简单,功耗低,系统成本低等优点,具有非常诱人的广泛应用前景。目前,基于弛豫铁电单晶这种新型热释电材料红外光传感器和配套的读出电路芯片正在积极研究[2]。同时将读出电路信号转化成数字信号,可以完成原来读出电路所不能完成的信号的存储、变换、去噪声和数字化传输等方便于应用的功能。所以人们希望把红外焦平面模拟信号转换为数字信号来处理。较低功耗和较低的系统成本是这种新型PMNT材料红外光传感器的优势。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 低频 传感器 数字化技术
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嵌入式Linux下的FRAM驱动程序设计 被引量:1
14
作者 孙宇航 秦贵和 +2 位作者 于新波 范铁虎 和为民 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期264-266,共3页
针对铁电存储器(FRAM)在基于ARM9的嵌入式Linux系统下设备节点的读写及应用问题,研究Linux系统的驱动设计,分析FRAM的工作原理和硬件特性,提出基于Linux系统标准驱动架构与铁电底层预处理、读写、控制等工作机制相结合的FRAM驱动程序设... 针对铁电存储器(FRAM)在基于ARM9的嵌入式Linux系统下设备节点的读写及应用问题,研究Linux系统的驱动设计,分析FRAM的工作原理和硬件特性,提出基于Linux系统标准驱动架构与铁电底层预处理、读写、控制等工作机制相结合的FRAM驱动程序设计与实现流程。底层实现采用内核级基于FRAM的寻址方式,结果证明了该驱动在相应数据存储、传输中的可行性与稳定性。 展开更多
关键词 嵌入式LINUX 铁电存储器 串行外围设备接口 内存技术设备
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铁电材料激光刻蚀系统中的PID微机控制技术
15
作者 夏丽昆 侯阳 +3 位作者 李银柱 太云见 袁俊 莫启元 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第8期489-492,共4页
国内外已研究的网格化技术包括离子束刻蚀和激光化学辅助刻蚀。由于铁电体材料不易减薄至20μm以下,而且像元中心距也在逐步减小,采用离子束刻蚀技术实施网格化很困难。因此,为实现热释电非制冷焦平面探测器的网格化,减小热串音,提高器... 国内外已研究的网格化技术包括离子束刻蚀和激光化学辅助刻蚀。由于铁电体材料不易减薄至20μm以下,而且像元中心距也在逐步减小,采用离子束刻蚀技术实施网格化很困难。因此,为实现热释电非制冷焦平面探测器的网格化,减小热串音,提高器件的空间分辨率,采用了一套基于PID微机控制技术的激光化学辅助刻蚀系统对铁电材料进行了网格化刻蚀,较好地解决了大列阵铁电材料探测器的网状技术这一难题。 展开更多
关键词 铁电材料 激光刻蚀 PID控制技术
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全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元单粒子效应计算机模拟研究
16
作者 沈睿祥 张鸿 +6 位作者 宋宏甲 侯鹏飞 李波 廖敏 郭红霞 王金斌 钟向丽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期363-370,共8页
铁电场效应晶体管具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,是最有前景的新型半导体存储器件之一.为促进铁电场效应晶体管在辐射环境中的应用,本文利用计算机辅助设计软件对全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单... 铁电场效应晶体管具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,是最有前景的新型半导体存储器件之一.为促进铁电场效应晶体管在辐射环境中的应用,本文利用计算机辅助设计软件对全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元的单粒子效应进行研究,分析了重离子不同入射位置及角度和漏极偏置电压对存储单元相关特性的影响.结果表明:重离子入射位置改变不会使氧化铪铁电层中相应的极化状态发生反向,但会影响存储单元输出电压瞬态变化,最敏感区域靠近漏-体结区域;随着重离子入射角度减小,存储单元输出电压峰值增大,读数据“0”时入射角度变化的影响更为明显;存储单元输出电压峰值受漏极偏置电压调制,读数据“1”时调制效应更为明显.本工作为全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元抗单粒子效应加固设计提供理论依据和指导. 展开更多
关键词 全耗尽绝缘体上硅 铁电场效应晶体管 单粒子效应 计算机辅助设计
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铁电材料在电热制冷中的应用进展
17
作者 胡先鹤 赵一洁 孟祥睿 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1456-1460,共5页
简要综述了国内外铁电材料的研究现状,重点讨论了陶瓷材料、薄膜材料和高分子聚合材料在电热制冷中的应用现状。阐述了各种材料的发展现状及研究方向。对迄今为止国内外制作的一系列电热制冷原型机进行了一定的总结。
关键词 电热制冷 铁电材料 高效制冷技术
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一种新的硅基晶体BaH_2SiO_4的结构和性能(英文)
18
作者 陈乾旺 周忠远 +3 位作者 MakC.L. WongK.H. 唐恕一 朱挺 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期45-50,共6页
本文报道了采用水热法生长BaH2SiO4单晶的实验结果,它属三斜晶系,空间群为P1珔,晶包参数为:a=7.079,b=7.362,c=7.5824?,α=89.64°,β=88.785°,γ=88.23°。原子力显微镜(AFM)和P-E铁电回线测量显示该材料具有铁电性,沿(0... 本文报道了采用水热法生长BaH2SiO4单晶的实验结果,它属三斜晶系,空间群为P1珔,晶包参数为:a=7.079,b=7.362,c=7.5824?,α=89.64°,β=88.785°,γ=88.23°。原子力显微镜(AFM)和P-E铁电回线测量显示该材料具有铁电性,沿(010)方向极化强度和娇顽力分别为0.882μC·cm-2and1.12kV·cm-1,研究显示铁电性来源于材料中的氢键。 展开更多
关键词 铁电晶体 硅基材料 水热热核 晶体结构 BaH2SiO4 铁电性 硅酸钡
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基于SoC技术的多通道数据采集系统的设计与应用
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作者 郑凯 方康玲 黄卫华 《自动化博览》 2005年第S1期13-14,18,共3页
文章介绍了基于SoC技术的多通道数据采集系统的设计与应用。
关键词 多通道数据采集 SOC 铁电存储 串行接口
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