为全面分析外电场对分子发光特性的影响,本文采用密度泛函B3P86方法6-31g(d)基组,对SiN分子进行了基态结构的优化,进而使用含时密度泛函方法(time dependent density functional theory,TDDFT),计算了不同方向及大小的外电场情况下SiN...为全面分析外电场对分子发光特性的影响,本文采用密度泛函B3P86方法6-31g(d)基组,对SiN分子进行了基态结构的优化,进而使用含时密度泛函方法(time dependent density functional theory,TDDFT),计算了不同方向及大小的外电场情况下SiN分子的吸收谱、激发能、振子强度、跃迁偶极矩.通过比较发现外电场对该分子的激发能、吸收谱、跃迁振子强度及跃迁偶极矩影响都比较明显,说明了电场对SiN分子的激发特性影响比较复杂,特别是在加场前后分子均有在可见光区波段的吸收谱,这对研究分子的发光很有意义.同时对该分子所发可见光谱的产生机理进行了分析,并与已有实验结果进行比较.展开更多
文摘为全面分析外电场对分子发光特性的影响,本文采用密度泛函B3P86方法6-31g(d)基组,对SiN分子进行了基态结构的优化,进而使用含时密度泛函方法(time dependent density functional theory,TDDFT),计算了不同方向及大小的外电场情况下SiN分子的吸收谱、激发能、振子强度、跃迁偶极矩.通过比较发现外电场对该分子的激发能、吸收谱、跃迁振子强度及跃迁偶极矩影响都比较明显,说明了电场对SiN分子的激发特性影响比较复杂,特别是在加场前后分子均有在可见光区波段的吸收谱,这对研究分子的发光很有意义.同时对该分子所发可见光谱的产生机理进行了分析,并与已有实验结果进行比较.
