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推拉电子取代基对二茂铁衍生物性质及电子结构的影响 被引量:13
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作者 柴向东 姜月顺 +4 位作者 杨文胜 张东 曹云伟 诸真家 李铁津 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期1890-1903,共14页
根据前线轨道理论分析3种具有推拉电子取代基的二茂铁衍生物循环伏安曲线、电子吸收光谱及光谱电化学行为,并给出了分子轨道能级图,实验结果表明,PⅡ有两对可逆氧化还原峰,E1、E2分别为0.33、0.59V,第一氧化态PⅡ... 根据前线轨道理论分析3种具有推拉电子取代基的二茂铁衍生物循环伏安曲线、电子吸收光谱及光谱电化学行为,并给出了分子轨道能级图,实验结果表明,PⅡ有两对可逆氧化还原峰,E1、E2分别为0.33、0.59V,第一氧化态PⅡ+ ̄(D—Fc ̄+—R)在613nm有强的LMCT(ligand-to-metal-charge-transfer)带,是一种良好的光学特性氧化还原开关.PⅡ在354nm处出现强的LMCT带,PⅢ在356nm和320nm处分别出现强的LMCT和π→πCT带,应具有较高的二阶分子极化系数,应当是较好的SHG材料. 展开更多
关键词 二茂铁衍生物 推拉电子取代基 电子结构 光谱
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Cd掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究 被引量:29
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作者 唐鑫 吕海峰 +2 位作者 马春雨 赵纪军 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1066-1072,共7页
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨... 采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制.随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象.此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致CdxZn1-xO禁带宽度变小的原因之一. 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子结构 Cd掺杂ZnO
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Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究 被引量:20
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作者 唐鑫 吕海峰 +2 位作者 马春雨 赵纪军 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7806-7813,共8页
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be2s电子与Zn4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶(VBM)始终由O2... 采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be2s电子与Zn4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶(VBM)始终由O2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一. 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子结构 Be掺杂ZnO
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黄铁矿(100)表面性质的密度泛函理论计算及其对浮选的影响 被引量:22
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作者 李玉琼 陈建华 +1 位作者 陈晔 郭进 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期919-926,共8页
采用密度泛函理论(DFT)平面波赝势方法计算理想黄铁矿(100)表面的结构弛豫、原子的Mulliken布居以及电子结构,并解释黄铁矿体相中电荷分布异常的原因。从浮选角度分析表面结构和性质对黄铁矿浮选行为的影响。结果表明:黄铁矿(100)表面... 采用密度泛函理论(DFT)平面波赝势方法计算理想黄铁矿(100)表面的结构弛豫、原子的Mulliken布居以及电子结构,并解释黄铁矿体相中电荷分布异常的原因。从浮选角度分析表面结构和性质对黄铁矿浮选行为的影响。结果表明:黄铁矿(100)表面弛豫较小,表面Fe-S相互作用相对于体相增强;表面5配位的铁原子具有较高的活性;表面层铁硫原子的能隙降低;表面层的导电性强于体相的,表面的电化学活性增强。 展开更多
关键词 黄铁矿表面 密度泛函理论计算 Mulliken布居 电子结构 浮选
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Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质 被引量:21
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作者 高小奇 郭志友 +1 位作者 张宇飞 曹东兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期509-514,共6页
基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子... 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。 展开更多
关键词 Al-N共掺杂 ZNO 电子结构 光学特性
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CVD growth of fingerprint-like patterned 3D graphene film for an ultrasensitive pressure sensor 被引量:17
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作者 Kailun Xia Chunya Wang +2 位作者 Muqiang Jian Qi Wang Yingying Zhang 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第2期1124-1134,共11页
With the rapid development of wearable devices, flexible pressure sensors with high sensitivity and wide workable range are highly desired. In nature, there are many well-adapted structures developed through natural s... With the rapid development of wearable devices, flexible pressure sensors with high sensitivity and wide workable range are highly desired. In nature, there are many well-adapted structures developed through natural selection, which inspired us for the design of biomimetic materials or devices. Particularl3 human fingertip skin, where many epidermal ridges amplify external stimulations, might be a good example to imitate for highly sensitive sensors. In this work, based on unique chemical vapor depositions (CVD)-grown three-dimensional (3D) graphene films that mimic the morphology of fingertip skin, we fabricated flexible pressure sensing membranes, which simultaneously showed a high sensitivity of 110 (kPa)-1 for 0-0.2 kPa and wide workable pressure range (up to 75 kPa). Hierarchical structured polydimethylsiloxane (PDMS) films molded from natural leaves were used as the supporting elastic films for the graphene films, which also contribute to the superior performance of the pressure sensors. The pressure sensor showed a low detection limit (0.2 Pa), fast response (〈 30 ms), and excellent stability for more than 10,000 loading/unloading cycles. Based on these features, we demonstrated its applications in detecting tiny objects, sound, and human physiological signals, showing its potential in wearable electronics for health monitoring and human/machine interfaces. 展开更多
关键词 electronic skin flexible pressure sensor three-dimensional (3D)graphene film fingertip skin hierarchical structures
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Anderson型和Waugh型杂多阴离子的电子结构及其催化性能研究 被引量:3
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作者 杨胜勇 肖慎修 陈天朗 《高等学校化学学报》 CSCD 北大核心 1994年第9期1369-1372,共4页
使用SCC-DV-Xα法研究了两种杂多阴离子──(IMo_6O_(24))^(5-)(Anderson型)和(NiMo_9O_(32))^(6-)(Waugh型)的电子结构,并探讨了它们的催化性能。结果表明,两类杂多阴离子... 使用SCC-DV-Xα法研究了两种杂多阴离子──(IMo_6O_(24))^(5-)(Anderson型)和(NiMo_9O_(32))^(6-)(Waugh型)的电子结构,并探讨了它们的催化性能。结果表明,两类杂多阴离子均具有催化活性,但不如Keggin结构强,(IMo_6O_(24))^(5-)的催化活性中心是端氧O_t和中心八面体氧O_c。(NiMo_9O_(24))^(6-)的催化活性中心是一配位端氧O_t、四配位中心氧和中心杂原子Ni,两类杂多阴离子中,二配位桥氧均不作为催化活性中心. 展开更多
关键词 安德森 沃格 杂多阴离子 电子结构
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ZnS掺Ag与Zn空位缺陷的电子结构和光学性质 被引量:15
8
作者 李建华 曾祥华 +3 位作者 季正华 胡益培 陈宝 范玉佩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期607-613,共7页
本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理.计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因.详细分析了其... 本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理.计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明在Ag掺杂与Zn空位ZnS体系中,由于缺陷能级的引入,禁带宽度有所减小,在可见光区电子跃迁明显增强. 展开更多
关键词 硫化锌 缺陷 电子结构 光学性质
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Mg_2Ni合金及其氢化物的电子结构及成键特性的第一原理计算 被引量:9
9
作者 马树元 黄丹 +2 位作者 郑定山 肖荣军 郭进 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期118-123,共6页
采用第一原理方法对Mg2Ni及其氢化物电子结构进行计算。计算结果表明:在Mg2Ni合金中,原子间的相互作用主要发生在Ni原子层附近,而沿c轴方向Mg原子与Ni1、Ni2原子相互作用很弱,沿着a、b轴原子间的相互作用强于沿c轴的相互作用;在Mg2Ni氢... 采用第一原理方法对Mg2Ni及其氢化物电子结构进行计算。计算结果表明:在Mg2Ni合金中,原子间的相互作用主要发生在Ni原子层附近,而沿c轴方向Mg原子与Ni1、Ni2原子相互作用很弱,沿着a、b轴原子间的相互作用强于沿c轴的相互作用;在Mg2Ni氢化物中,Ni原子轨道与H原子轨道在成键区存在较强的s-p-d杂化作用;Mg2Ni合金氢化物在LT→HT的转变中,Mg与NiH4的离子相互作用减弱是造成合金氢化物的稳定性下降的一个原因。 展开更多
关键词 MG2NI MG2NIH4 电子结构 成键特性
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稀土无机发光材料:电子结构、光学性能和生物应用 被引量:14
10
作者 郑伟 涂大涛 +4 位作者 刘永升 罗文钦 马恩 朱浩淼 陈学元 《中国科学:化学》 CSCD 北大核心 2014年第2期168-179,共12页
目前,稀土无机发光材料在激光、光通讯、平板显示、荧光生物标记和纳米光电子器件等领域具有广泛的应用前景.稀土离子(从Ce到Yb)是一类性能优异的结构和光谱探针,其在不同介质材料中的光学性能主要取决于其局域态的电子结构和激发态动力... 目前,稀土无机发光材料在激光、光通讯、平板显示、荧光生物标记和纳米光电子器件等领域具有广泛的应用前景.稀土离子(从Ce到Yb)是一类性能优异的结构和光谱探针,其在不同介质材料中的光学性能主要取决于其局域态的电子结构和激发态动力学.对稀土发光材料开展深入的光学和光电子学基础研究有助于发现新颖的光学性能或开辟新的应用领域.依托研制的低温高分辨激光光谱和上转换量子产率等仪器,本课题组致力于稀土无机发光材料电子结构与性能研究,近年来在发光材料的控制合成、电子结构、光学性能及生物应用等方面取得了系列重要结果.这些研究有望加快实现稀土无机发光材料在生物应用的突破,实现稀土资源的高值利用. 展开更多
关键词 稀土发光 电子结构 激发态动力学 上转换 荧光生物标记
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ZnO氧化物的电子结构与热学性能的研究 被引量:13
11
作者 张飞鹏 曾宏 +2 位作者 路清梅 张忻 张久兴 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期63-68,共6页
采用密度泛函理论基础上的平面波超软赝势第一性原理计算的方法研究了纤锌矿结构热电氧化物ZnO的电子结构和热学性能。电子结构计算结果表明,纤锌矿结构的ZnO存在着约1.0eV的直接带隙,价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质... 采用密度泛函理论基础上的平面波超软赝势第一性原理计算的方法研究了纤锌矿结构热电氧化物ZnO的电子结构和热学性能。电子结构计算结果表明,纤锌矿结构的ZnO存在着约1.0eV的直接带隙,价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;靠近价带顶的能带中的电子主要为p态电子,靠近导带底的能带中的电子主要为p,d态电子。体系分态密度计算结果表明,费米能级附近的能带主要由Znp,Znd和Op态电子构成,且Znp和Op态电子之间存在着很强的杂化作用。声子态密度及分布计算结果表明,体系晶格振动频率主要集中在3~10THz和10~12THz范围之内,其中振动频率约为11THz的振动模式在体系中数量较多,主要为光学波声子。热电性能理论分析结果表明,ZnO基热电氧化物应该具有较高的Seebeck系数和热电性能。 展开更多
关键词 ZnO热电氧化物 电子结构 热学性能
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γ-TiAl中掺杂原子取代位置的量子化学研究 被引量:10
12
作者 黄尊行 王秀丽 +1 位作者 周立新 李俊篯 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期218-221,共4页
用(EHT)紧束缚能带计算方法计算了g -TiAl及其掺杂合金的原子间成键强度,并依据键强度建立了判断掺杂原子取代位置的模型。掺杂原子的位置应根据取代前后的键强度相近的取代方式进行确定。模型预测的结果与场理论方法的结果是一致的,也... 用(EHT)紧束缚能带计算方法计算了g -TiAl及其掺杂合金的原子间成键强度,并依据键强度建立了判断掺杂原子取代位置的模型。掺杂原子的位置应根据取代前后的键强度相近的取代方式进行确定。模型预测的结果与场理论方法的结果是一致的,也与实验结果基本相符,据此能够定性判断掺杂原子的取代位置。 展开更多
关键词 掺杂 原子取代位置 γ-TiAI 紧束缚能带方法 量子化学 电子结构 钛铝合金
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Nb原子链的结构稳定性和电子性质 被引量:10
13
作者 沈汉鑫 蔡娜丽 +1 位作者 文玉华 朱梓忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5362-5366,共5页
使用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了Nb原子链的结构稳定性和电子结构性质.计算表明,Nb原子可以形成线性链,平面之字形,二聚化以及梯子形等一系列的一维链式结构.结果也显示,其中之字形结构最为稳定,其他结构均为亚稳... 使用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了Nb原子链的结构稳定性和电子结构性质.计算表明,Nb原子可以形成线性链,平面之字形,二聚化以及梯子形等一系列的一维链式结构.结果也显示,其中之字形结构最为稳定,其他结构均为亚稳的.通过第一性原理计算的电子结构和Jahn-Teller效应,讨论了这些结构的相对稳定性以及各链式结构的电子能带、态密度和电荷密度等性质. 展开更多
关键词 Nb原子链 结构稳定性 电子结构 从头计算 结构稳定性 电子性质 原子链 JAHN-TELLER效应 Nb 第一性原理计算 密度泛函理论 链式结构 相对稳定性
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Co-Cr共掺杂金红石型TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:12
14
作者 杨志怀 张云鹏 +2 位作者 康翠萍 张蓉 张美光 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期144-152,共9页
基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法计算了Co、Cr单掺杂以及Co-Cr共掺杂金红石型TiO2的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明:纯金红石的禁带宽度为3.0eV,Co掺杂金红石型TiO2的带隙为1.21eV,导带顶和价带底都位于G点处... 基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法计算了Co、Cr单掺杂以及Co-Cr共掺杂金红石型TiO2的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明:纯金红石的禁带宽度为3.0eV,Co掺杂金红石型TiO2的带隙为1.21eV,导带顶和价带底都位于G点处,仍为直接带隙,在价带与导带之间出现了由Co 3d和Ti 3d轨道杂化形成的杂质能级;Cr掺杂金红石型TiO2的直接带隙为0.85eV,在价带与导带之间的杂质能级由Cr 3d和Ti 3d轨道杂化轨道构成,导带和价带都向低能级方向移动;Co-Cr共掺杂,由于电子的强烈杂化,使O-2p态和Ti-3d态向Co-3d和Cr-3d态移动,使价带顶能级向高能级移动而导带底能级向低能方向移动,极大地减小了禁带的宽度,也是共掺杂改性的离子选择依据.掺杂金红石型TiO2的介电峰、折射率和吸收系数峰都向低能方向移动;在E<2.029eV的范围内,纯金红石的ε2、k和吸收系数为零,掺杂后的跃迁强度都大于未掺杂时的跃迁强度,Co-Cr共掺杂的跃迁强度大于Co掺杂及Cr掺杂,说明Co、Cr共掺杂更能增强电子在低能端的光学跃迁,具有更佳的可见光催化性能. 展开更多
关键词 第一性原理 电子结构 光学性质 金红石型TIO2 Co-Cr共掺杂
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In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究 被引量:12
15
作者 刘小村 季燕菊 +3 位作者 赵俊卿 刘立强 孙兆鹏 董和磊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期4925-4929,共5页
采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,InxZn1-xO的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多... 采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,InxZn1-xO的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多,这导致了带隙的变窄.此外,In掺杂使晶胞晶格常数增大,这对带隙的变窄也有一定作用. 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子结构 In掺杂ZnO
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新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究 被引量:10
16
作者 王爱玲 毋志民 +2 位作者 王聪 胡爱元 赵若禺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期444-452,共9页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875Mn0.125)As,Li1.1(Zn0.875Mn0.125)As和Li0.9(Zn0.875Mn0.125)As均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性,Li过量和不足下体系的半金属性明显增强.Li过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明LiZnAs半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到Li的化学计量数的影响. 展开更多
关键词 掺杂电子结构光学性质第一性原理
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InSb的锂嵌入形成能第一原理计算 被引量:8
17
作者 刘慧英 侯柱锋 +2 位作者 朱梓忠 黄美纯 杨勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1732-1736,共5页
InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视 .使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构 .讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密... InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视 .使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构 .讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质 .计算发现 ,闪锌矿结构的InSb材料 ,锂嵌入到主体材料的间隙位置时的形成能平均每个锂原子都在 2 展开更多
关键词 INSB 锂嵌入形成能 第一原理计算 锂离子电池 负极材料 局域密度泛函理论 电子结构 锑化铟
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Cr掺杂锐钛矿相TiO_2光学性质的第一性原理研究 被引量:9
18
作者 陈俊 严非男 +2 位作者 梁丽萍 刘廷禹 耿滔 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期758-762,共5页
本文对Cr掺杂TiO2进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究。模拟计算了完整及Cr掺杂TiO2的电子结构,介电函数及吸收光谱的偏振特性。计算结果表明完整的锐钛矿型TiO2晶体在可见光范围内无吸收;掺Cr后晶体的禁带宽度减小到2.25 eV,吸收... 本文对Cr掺杂TiO2进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究。模拟计算了完整及Cr掺杂TiO2的电子结构,介电函数及吸收光谱的偏振特性。计算结果表明完整的锐钛矿型TiO2晶体在可见光范围内无吸收;掺Cr后晶体的禁带宽度减小到2.25 eV,吸收边红移,并在可见光区域出现了2.51 eV(495 nm)的吸收峰,表明Cr掺杂有利于提高TiO2对太阳光的吸收。计算结果与实验结果基本相符。 展开更多
关键词 CR掺杂 锐钛矿型TiO2 电子结构 光学性质
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碳、氧、硫掺杂二维黑磷的第一性原理计算 被引量:10
19
作者 谭兴毅 王佳恒 +2 位作者 朱祎祎 左安友 金克新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第20期288-292,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了二维黑磷中的碳原子(C P)、氧原子(C P)、硫原子(S P)掺杂的几何结构、磁学性质和电子结构.发现掺杂体系结构稳定,C P和O P体系形变较大,而S P体系形变较小;二维黑磷本身无磁矩,掺杂... 基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了二维黑磷中的碳原子(C P)、氧原子(C P)、硫原子(S P)掺杂的几何结构、磁学性质和电子结构.发现掺杂体系结构稳定,C P和O P体系形变较大,而S P体系形变较小;二维黑磷本身无磁矩,掺杂后都具有1μB的总磁矩.由于掺杂体系具有稳定的铁磁性,使其在自旋电子器件方面可发挥重要的作用. 展开更多
关键词 二维黑磷 电子结构 磁学性质 第一性原理
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B、N单掺杂3C-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:9
20
作者 杨云飞 张晋敏 +1 位作者 范梦慧 李鑫 《原子与分子物理学报》 北大核心 2017年第6期1187-1192,共6页
采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减小,价带顶上移,费米能级进入价带,形成p型半导体;N掺杂使得禁... 采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减小,价带顶上移,费米能级进入价带,形成p型半导体;N掺杂使得禁带宽度减小,导带底下移,费米能级进入导带,形成n型半导体.B、N掺杂均提高了3C-SiC在低能区的折射率、消光系数和吸收系数,增强了对红外光谱的吸收. 展开更多
关键词 3C-SIC 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
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