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一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应 被引量：10
1
作者 夏燚 徐伟 +5 位作者 农昊 潘星龙 诸葛健 华中一 周峥嵘 陶凤岗 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期349-351,共3页
报道了一种新的高稳定的有机分子 (SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物。由这种材料制成的薄膜 ,在室温 6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态 ,其跃迁时间小于 2 0ns ,并具有极佳的热稳定性。因此可望用于制作电子器... 报道了一种新的高稳定的有机分子 (SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物。由这种材料制成的薄膜 ,在室温 6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态 ,其跃迁时间小于 2 0ns ,并具有极佳的热稳定性。因此可望用于制作电子器件 ,如一次写入存储器 (WORM)等。进一步的研究还发现 ,在适当的工艺条件下 ,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu SCN Al结 ,这种结具有极性记忆效应 。 展开更多
关键词 有机络合物 电双稳态 极性记忆效应 有机电双稳薄膜 铜
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一种具有极性记忆效应的热可擦有机电双稳薄膜 被引量：4
2
作者 刘春明 吕银祥 +7 位作者 郭鹏 农昊 蔡永挚 徐伟 潘星龙 华中一 周峥嵘 陶凤岗 《真空电子技术》 2003年第6期11-14,共4页
报道了一种新型有机材料AOSCN(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷),能与Cu形成具有电双稳特性的络合物,在6 V电压下,薄膜发生从高阻态到低阻态的转变,跃迁时间小于30 ns,驰豫时间小于1 us。若薄膜已... 报道了一种新型有机材料AOSCN(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷),能与Cu形成具有电双稳特性的络合物,在6 V电压下,薄膜发生从高阻态到低阻态的转变,跃迁时间小于30 ns,驰豫时间小于1 us。若薄膜已发生高阻态到低阻态转变,高温热处理能使其恢复初始状态,这有望制成可擦写存储器。此外,在一定的工艺条件下,AOSCN与Cu和Al形成的金属-有机-金属(MOM)结,具有极性记忆效应。 展开更多
关键词 有机络合物 电双稳态 极性记忆效应 热可擦
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一种用作分子电子材料的螺杂环化合物
3
作者 夏燚 周峥嵘 +5 位作者 农昊 乐翊洲 徐伟 潘星龙 陶凤岗 华中一 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期156-158,164,共4页
设计并合成了一种具有螺环结构的高熔点有机分子 .这种分子能够和银形成络合物薄膜 ,并具有很好的热稳定性和电双稳特性 .络合物薄膜在 8V电压作用下 ,可以从高阻态转变成低阻态 ,跃迁时间为 15ns .
关键词 螺杂环化合物 分子电子材料 电双稳态 跃迁时间
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硫氰酸银钾复合薄膜的制备及其电存储特性 被引量：1
4
作者 季欣 董元伟 徐伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期230-236,共7页
采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定... 采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定的可逆电双稳特性,高、低电阻状态的电阻比高达106,并能实现连续"写-读-擦-读"操作.器件的可逆擦写特性归因于外电场作用下AgK2(SCN)3复合介质层内导电通道的形成-断裂;电流-电压曲线拟合显示,低电阻状态符合欧姆传输,而高电阻状态表现出空间电荷限制电流传输模式.在导电通道断裂的过程中,电离作用和焦耳热效应会共同起作用. 展开更多
关键词 电化学电离 电双稳态 导电通道 界面反应 真空热蒸发 焦耳热效应
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一种可擦写可读出的分子基电双稳器件 被引量：5
5
作者 徐伟 郭鹏 +3 位作者 吕银祥 刘春明 蔡永挚 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期401-403,共3页
报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 ... 报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 Ω ,两种状态的阻抗比 10 3 ～ 10 5。改变外加电场的大小 ,器件的两种状态随之发生多次转变 ,转换次数可超过 10 3 。高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲 (0 2V)来读取。这种简单器件具有可擦写可读出功能 ,可用于制作分子基开关和分子基存贮器。 展开更多
关键词 电双稳 分子 逆转换 可逆 连续 强电场 次数 器件 可擦写 高阻
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具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件 被引量：4
6
作者 郭鹏 董元伟 +2 位作者 霍钟祺 吕银祥 徐伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期89-91,共3页
报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性,并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构,Al/HPYM/Ag,HPYM为一种有机分子材料,通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实... 报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性,并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构,Al/HPYM/Ag,HPYM为一种有机分子材料,通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态(“0”态)、低阻态(“1”态)的转变,相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时,其状态信息可以长时间保持,并且被小电压脉冲读取,两种导电态的阻值比约为105。 展开更多
关键词 有机分子材料 可逆电双稳态 分子基器件 非易失性信息存储
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一种可擦写可读出的有机电双稳器件 被引量：1
7
作者 蔡永挚 郭鹏 +4 位作者 蓝碧健 邹振光 吕银祥 徐伟 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期410-412,共3页
本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状... 本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状态,阻值大于108Ω;而在较高电压(约5V)作用时,则为低阻态,阻值约为105Ω.两种状态的电阻值比为103～105.高低阻态均可通过一个较小的电压(1V)读出,并且低阻态可以用反向电压'擦除',回到高阻. 展开更多
关键词 可逆电双稳态 分子基器件 有机分子材料 原位聚合 紫外辐照
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一种分子基电双稳器件
8
作者 蔡永挚 郭鹏 +3 位作者 蓝碧健 邹振光 吕银祥 徐伟 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期359-361,366,共4页
报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件，Al／BN4/Al／BN4/Al．其中功能层为有机／金属/有机的夹层结构，而中间金属层要非常薄．该器件在较低电压作用时呈现高阻状态，阻值在10^6～10^9Ω；而当电压超过某一阈值时，器件导电态发生... 报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件，Al／BN4/Al／BN4/Al．其中功能层为有机／金属/有机的夹层结构，而中间金属层要非常薄．该器件在较低电压作用时呈现高阻状态，阻值在10^6～10^9Ω；而当电压超过某一阈值时，器件导电态发生改变，由高阻态跃迁为低阻态，阻值约为10^2～10^5Ω．两种状态的电阻值比为10^3～10^5．另外，还比较了不同功能层厚度器件的性能． 展开更多
关键词 有机分子材料 可逆电双稳态 分子基器件
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有机电双稳材料与器件的研究进展 被引量：7
9
作者 郭鹏 徐伟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期910-914,共5页
由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景。本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题... 由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景。本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题以及今后发展的方向。 展开更多
关键词 有机功能薄膜 电双稳态 有机电双稳材料 有机电双稳器件 电存储
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