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CMOS门电路电磁信息泄漏评估
被引量：
1
1
作者
丁国良
常小龙
+1 位作者
陈家文
武翠霞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第5期67-70,共4页
通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的与非门,并用提出的评估方法对门电路的电磁信息泄漏进行评估....
通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的与非门,并用提出的评估方法对门电路的电磁信息泄漏进行评估.仿真结果表明,该评估方法能够对CMOS门电路的电磁信息泄漏程度进行量化评估,同时还表明了双轨门电路电磁信息泄漏弱于单轨门电路.
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关键词
电磁信息泄漏
差分电磁分析
电偶极子模型
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职称材料
题名
CMOS门电路电磁信息泄漏评估
被引量：
1
1
作者
丁国良
常小龙
陈家文
武翠霞
机构
军械工程学院计算机工程系
河北工业大学
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第5期67-70,共4页
基金
国家"八六三"计划项目(2007AA01Z454)
文摘
通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的与非门,并用提出的评估方法对门电路的电磁信息泄漏进行评估.仿真结果表明,该评估方法能够对CMOS门电路的电磁信息泄漏程度进行量化评估,同时还表明了双轨门电路电磁信息泄漏弱于单轨门电路.
关键词
电磁信息泄漏
差分电磁分析
电偶极子模型
Keywords
electr
omagnetic
Information
Leakage（EMIL）
Difference
electr
omagnetic
Analysis（DEMA）
electric
dipole
model
（
edm
）
分类号
TP309 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS门电路电磁信息泄漏评估
丁国良
常小龙
陈家文
武翠霞
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011
1
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