期刊文献+
共找到74篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
马岭河峡谷漂流探险生态旅游开发研究 被引量:26
1
作者 文传浩 陈厚义 杨勇 《经济地理》 CSSCI 北大核心 2002年第1期111-114,119,共5页
生态旅游已成为国内外旅游业中的一种时尚 ,漂流探险生态旅游由于其自身的特殊性 ,已逐渐成为生态旅游者中勇敢者最富旅游体验的项目之一。本文对贵州马岭河峡谷国家级风景名胜区的漂流探险生态旅游的开发优势、劣势条件进行了探讨 ,提... 生态旅游已成为国内外旅游业中的一种时尚 ,漂流探险生态旅游由于其自身的特殊性 ,已逐渐成为生态旅游者中勇敢者最富旅游体验的项目之一。本文对贵州马岭河峡谷国家级风景名胜区的漂流探险生态旅游的开发优势、劣势条件进行了探讨 ,提出了对其开发规划的一些具体措施和对策。 展开更多
关键词 马岭河峡谷 漂流探险旅游 生态旅游 自然地理条件 制约因素 旅游开发 旅游管理
下载PDF
太赫兹返波振荡器的PIC仿真
2
作者 曹飞 刘文鑫 +1 位作者 王勇 王书见 《计算机仿真》 CSCD 北大核心 2013年第12期182-186,共5页
研究太赫兹(THz)频点的返波振荡器(BWO)设计问题。由于信号源被加载不同位置的漂移区对于矩形波导光栅式返波振荡器输出信号的功率不同,同时频率以及输出信号功率达到稳定需要一定的时间。为了得到最大的输出功率,以及使输出功率达到稳... 研究太赫兹(THz)频点的返波振荡器(BWO)设计问题。由于信号源被加载不同位置的漂移区对于矩形波导光栅式返波振荡器输出信号的功率不同,同时频率以及输出信号功率达到稳定需要一定的时间。为了得到最大的输出功率,以及使输出功率达到稳定所需时间最少,运用单模近似的场匹配方法推导得到色散关系,依据牛顿迭代法原理用数值计算软件MATLAB编制数值计算程序,计算了慢波结构的色散特性,用粒子仿真软件完成电子注和电磁波互作用的仿真。仿真结果表明,漂移区在慢波线的位置并不影响输出信号的频率,但是会影响输出功率,以及输出功率达到稳定所需要的时间。最后结果为太赫兹返波振荡器的设计提供了依据。 展开更多
关键词 色散曲线 太赫兹 返波振荡器 漂移区 慢波结构
下载PDF
风沙活动区工程线路走向与风沙危害程度的关系——以塔里木沙漠公路为例 被引量:17
3
作者 王雪芹 雷加强 《干旱区地理》 CSCD 北大核心 2000年第3期221-226,共6页
在风沙活动区 ,公路或铁路等工程线路的走向无疑会对其本身及防护体系所受的风沙危害程度产生影响。本文以塔里木沙漠公路为例 ,提出在将风况与公路走向结合起来考虑的同时 ,以风沙活动强度垂直分量的转化率作为评价公路走向的一种数学... 在风沙活动区 ,公路或铁路等工程线路的走向无疑会对其本身及防护体系所受的风沙危害程度产生影响。本文以塔里木沙漠公路为例 ,提出在将风况与公路走向结合起来考虑的同时 ,以风沙活动强度垂直分量的转化率作为评价公路走向的一种数学方法 。 展开更多
关键词 风沙活动区 工程线走向 塔里木 沙漠公路
下载PDF
植被生态系统防风固沙功能价值动态变化研究——以榆阳区为例 被引量:21
4
作者 莫宏伟 任志远 王欣 《干旱区研究》 CSCD 北大核心 2006年第1期56-59,共4页
以榆阳区北部风沙过渡带1988-2003年的土地利用数据为依据,运用按研究区实际情况建立的测算模型,对该区1988-2003年的林草植被的年度防风固沙服务功能价值进行了测算和动态分析。研究表明:(1)1988-2003年,榆阳区北部风沙草滩区林草植被... 以榆阳区北部风沙过渡带1988-2003年的土地利用数据为依据,运用按研究区实际情况建立的测算模型,对该区1988-2003年的林草植被的年度防风固沙服务功能价值进行了测算和动态分析。研究表明:(1)1988-2003年,榆阳区北部风沙草滩区林草植被的防风固沙价值在波动中增加,其中1988-1998年和2001-2002年为上升期;1998-2001年和2002-2003年为下降期。(2)榆阳区林草生态系统防风固沙服务功能价值量的变化是国家生态政策、自然因素、经济因素等合力驱动的结果。“退耕还林还草”和“营造防护林”等生态措施的实施,对保育风沙区的环境起到了积极作用。(3)人类对生态系统服务功能的干预主要通过改变土地利用方式来实现,土地利用类型的动态变化会产生相应的生态响应。 展开更多
关键词 风沙过渡带 榆阳区 防风固沙 生态价值 动态变化
原文传递
Continental drift, plateau uplift, and the evolutions of monsoon and arid regions in Asia, Africa, and Australia during the Cenozoic 被引量:9
5
作者 Xiaodong LIU Buwen DONG +2 位作者 Zhi-Yong YIN Robin S.SMITH Qingchun GUO 《Science China Earth Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期1053-1075,共23页
Monsoon and arid regions in the Asia-Africa-Australia(A-A-A) realm occupy more than 60% of the total area of these continents. Geological evidence showed that significant changes occurred to the A-A-A environments of ... Monsoon and arid regions in the Asia-Africa-Australia(A-A-A) realm occupy more than 60% of the total area of these continents. Geological evidence showed that significant changes occurred to the A-A-A environments of the monsoon and arid regions, the land-ocean configuration in the Eastern Hemisphere, and the topography of the Tibetan Plateau(TP) in the Cenozoic. Motivated by this background, numerical experiments for 5 typical geological periods during the Cenozoic were conducted using a coupled ocean-atmosphere general circulation model to systemically explore the formations and evolutionary histories of the Cenozoic A-A-A monsoon and arid regions under the influences of continental drift and plateau uplift. Results of the numerical experiments indicate that the timings and causes of the formations of monsoon and arid regions in the A-A-A realm were very different. The northern and southern African monsoons existed during the mid-Paleocene, while the South Asian monsoon appeared in the Eocene after the Indian Subcontinent moved into the tropical Northern Hemisphere. In contrast, the East Asian monsoon and northern Australian monsoon were established much later in the Miocene. The establishment of the tropical monsoons in northern and southern Africa, South Asia, and Australia were determined by both the continental drift and seasonal migration of the Inter-Tropical Convergence Zone(ITCZ), while the position and height of the TP were the key factor for the establishment of the East Asian monsoon. The presence of the subtropical arid regions in northern and southern Africa,Asia, and Australia depended on the positions of the continents and the control of the planetary scale subtropical high pressure zones, while the arid regions in the Arabian Peninsula and West Asia were closely related to the retreat of the Paratethys Sea. The formation of the mid-latitude arid region in the Asian interior, on the other hand, was the consequence of the uplift of the TP.These results from this study provide insight to the import 展开更多
关键词 CENOZOIC MONSOON region ARID region Continental drift Tibetan Plateau UPLIFT Climate simulation
原文传递
LDMOSFET漂移区参数灵敏度分析 被引量:3
6
作者 孙智林 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 陆生礼 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期198-202,共5页
 高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求。结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响。根据分析结果,提出了一种改进方案。模拟结果表明...  高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求。结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响。根据分析结果,提出了一种改进方案。模拟结果表明,此方案可以使器件击穿电压提高27%,导通电阻降低10%以上。 展开更多
关键词 LDMOSFET 漂移区 击穿电压 导通电阻 长度 结深 浓度 灵敏度
下载PDF
工业场景下高斯引导的非显著性字符抹除
7
作者 姚超 庞雄文 《计算机系统应用》 2023年第8期278-285,共8页
图像文本信息在日常生活中无处不在,在传递信息的同时,也带来了信息泄露的问题.近年来文本擦除模型很好地解决了这个问题.然而,在工业场景下,图像会出现高光,对比度较大的非字符区域,模型往往很容易其影响发生注意力偏移的现象,从而忽... 图像文本信息在日常生活中无处不在,在传递信息的同时,也带来了信息泄露的问题.近年来文本擦除模型很好地解决了这个问题.然而,在工业场景下,图像会出现高光,对比度较大的非字符区域,模型往往很容易其影响发生注意力偏移的现象,从而忽略了字符区域导致不理想的文本抹除效果.为了克服这一局限性,基于注意力提出了一种新的文本擦除网络,即在网络中嵌入了一层额外的特征层用以给生成图中存在字符的区域进行评分.同时,引入了高斯热力图并将其作为基础设计损失函数,采用监督的方式纠正模型的注意力,将模型注意力引导至正确的字符区域.通过在4种不同的数据集上进行对比,本文所提方法总体上拥有更好的抹除效果.同时,该方法在图像存在复杂的背景情况下,其在图像抹除任务中仍然具有较高的灵活性. 展开更多
关键词 字符抹除 注意力漂移 高斯引导 区域评分
下载PDF
针对板正电晕放电电场强度及电流密度理论分析 被引量:3
8
作者 杨树 张零零 +2 位作者 葛辉 宓东 朱益民 《中国科技论文在线》 CAS 2010年第5期377-381,共5页
在前期针板式电晕放电伏安特性研究及电晕放电电离区形貌确定的实验基础上,主要对针板式正直流电晕放电电离区及迁移区内电场强度和电流密度的分布进行了理论分析。结合实验确定的边界条件,理论分析得到的两区域内电场强度和电流密度的... 在前期针板式电晕放电伏安特性研究及电晕放电电离区形貌确定的实验基础上,主要对针板式正直流电晕放电电离区及迁移区内电场强度和电流密度的分布进行了理论分析。结合实验确定的边界条件,理论分析得到的两区域内电场强度和电流密度的变化趋势与实验结果是一致的。 展开更多
关键词 气体放电 电晕放电 电离区 迁移区 电场强度 电流密度
下载PDF
SOI LDMOS栅漏电容特性的研究 被引量:3
9
作者 俞军军 孙伟锋 +2 位作者 易扬波 李海松 陆生礼 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期352-356,共5页
借助软件,模拟并研究了SOILDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOILDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法。
关键词 SOI LDMOS 栅漏电容 栅氧化层 漂移区 P阱
下载PDF
寒区流冰撞击输水隧洞的数值模拟分析 被引量:3
10
作者 王鸿 贡力 +2 位作者 康春涛 杨轶群 王忠慧 《水资源与水工程学报》 CSCD 2020年第4期90-97,共8页
位于西北寒区的长距离输水工程在流冰期输水过程中,不同流速和不同碰撞角度的流冰对输水隧洞衬砌会形成不同程度的撞击作用,导致输水隧洞衬砌产生破损,因此为了研究该地区流冰对输水隧洞的撞击作用,采用了理论分析结合数值模拟的方法。... 位于西北寒区的长距离输水工程在流冰期输水过程中,不同流速和不同碰撞角度的流冰对输水隧洞衬砌会形成不同程度的撞击作用,导致输水隧洞衬砌产生破损,因此为了研究该地区流冰对输水隧洞的撞击作用,采用了理论分析结合数值模拟的方法。研究结果表明:当流冰速度一定时,随着流冰与隧洞衬砌碰撞角度的增大,其对隧洞衬砌的影响呈现出近似的非线性(多项式)关系;当碰撞角度一定时,随着流冰速度的增大,其对隧洞衬砌的影响呈现出近似的线性关系;综合不同组合工况还可以发现流冰速度对隧洞衬砌的影响作用要强于碰撞角度对其的影响作用,且碰撞角度对隧洞衬砌所受的撞击力及隧洞碰撞区位移的影响较为不明显。 展开更多
关键词 流冰 输水隧洞 撞击影响 有限元仿真 碰撞角度 寒区
下载PDF
MPS二极管的少子特性仿真 被引量:2
11
作者 孙霞霞 汪再兴 +2 位作者 刘晓忠 郑丽君 王永顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期270-275,285,共7页
混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度... 混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。 展开更多
关键词 混合pin/肖特基(MPS)二极管 少数载流子浓度 高频特性 反向恢复时间 漂移区
下载PDF
超结VDMOS漂移区的几种制作工艺 被引量:2
12
作者 马万里 赵圣哲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期689-693,702,共6页
超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区。此p型区具有较大的深度与宽度比,利用一次注入与驱入工艺无法实现,所以这种超结结构的制造工艺难度比常规VDMOS大。介绍了目前实现超结结... 超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区。此p型区具有较大的深度与宽度比,利用一次注入与驱入工艺无法实现,所以这种超结结构的制造工艺难度比常规VDMOS大。介绍了目前实现超结结构的多次外延与注入法、多次高能离子注入法、深沟槽填p型外延法及深沟槽侧壁倾斜注入法四种主要工艺方法,重点探讨了每种方法的优缺点、制造工艺难度和适用性。对各种方法的产业化前景进行了分析,认为深沟槽填p型外延法是最适宜产业化的工艺技术。 展开更多
关键词 超结 垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS) 漂移区 外延 工艺
下载PDF
500V体硅N-LDMOS器件研究 被引量:2
13
作者 陆生礼 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 伍玉萍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期521-525,539,共6页
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,... 借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。 展开更多
关键词 漂移区 金属场极板 击穿电压 体硅
下载PDF
图形化SOI LDMOS跨导特性的研究
14
作者 曲越 李德昌 习毓 《电子器件》 CAS 2007年第6期2122-2124,共3页
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进... 借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进行的参数调节提供了参考. 展开更多
关键词 图形化SOI LDMOS 跨导 栅氧化层 漂移区
下载PDF
An analytical model for the drain-source breakdown voltage of RF LDMOS power transistors with a Faraday shield
15
作者 张文敏 张为 +1 位作者 付军 王玉东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第4期32-37,共6页
An analytical model for the drain-source breakdown voltage of an RF LDMOS power transistor with a Faraday shield is derived on the basis of the solution of the 2D Poisson equation in a p-type epitaxial layer, as well ... An analytical model for the drain-source breakdown voltage of an RF LDMOS power transistor with a Faraday shield is derived on the basis of the solution of the 2D Poisson equation in a p-type epitaxial layer, as well as an n-type drift region by means of parabolic approximation of electrostatic potential. The model captures the influence of the p-type epitaxial layer doping concentration on the breakdown voltage, compared with the previously reported model, as well as the effect of the other device parameters. The analytical model is validated by comparing with a numerical device simulation and the measured characteristics of LDMOS transistors. Based on the model, optimization of LDMOS device parameters to achieve proper trade-off between the breakdown voltage and other characteristic parameters such as on-resistance and feedback capacitance is analyzed. 展开更多
关键词 RF LDMOSFET Faraday shield breakdown voltage surface electrical field drift region
原文传递
An analytical model for the surface electrical field distribution of LDMOSFETs with shield rings
16
作者 陈蕾 杜寰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期48-51,共4页
An analytical model of an LDMOSFET with a shield ring is established according to the 2D Poisson equation. Surface electrical field distribution along the drift region is obtained from this model and the influence of ... An analytical model of an LDMOSFET with a shield ring is established according to the 2D Poisson equation. Surface electrical field distribution along the drift region is obtained from this model and the influence of shield length and oxide thickness on the electrical field distribution is studied. The robustness of this model is verified using ISE TCAD simulation tools. The breakdown voltage of a specific device is also calculated and the result is in good agreement with experimental data. 展开更多
关键词 RF LDMOS shield ring RESURF surface electrical field drift region
原文传递
阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究 被引量:1
17
作者 陈文兰 孙晓红 +2 位作者 胡善文 陈强 高怀 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第2期56-60,共5页
提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保... 提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%. 展开更多
关键词 LDMOS 漂移区 浅沟槽隔离 击穿电压
下载PDF
高压VDMOS器件的SP ICE模型研究
18
作者 赵野 孙伟锋 +2 位作者 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期410-415,共6页
基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解... 基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0~100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要. 展开更多
关键词 SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区
下载PDF
高压功率VDMOST的SPICE直流模型
19
作者 赵野 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 鲍嘉明 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期604-609,共6页
基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确的高压六角型VDMOST三维物理模型,进而提出了VDMOST的直流(DC)... 基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确的高压六角型VDMOST三维物理模型,进而提出了VDMOST的直流(DC)等效电路模型.该模型由level3 NMOS管、控制源、电容等元件组成,较准确地模拟了高压器件的特性.与以往文献的结果相比,该模型物理概念清晰,准确性高,避免过多工艺参数引入的同时,简化了等效电路.将该模型嵌入SPICE进行仿真,得到了全电压范围内连续的I-V特性曲线,与实际测试结果相比,误差接近5%. 展开更多
关键词 模型 高压集成电路 高压VDMOST 漂移区 等效电路
下载PDF
具有漂移区场氧化层结构的射频LDMOS器件研究 被引量:1
20
作者 冯曦 王纪民 刘道广 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期626-629,共4页
介绍了一种改进型RF LDMOS器件。通过对传统RF LDMOS器件的工艺流程进行修改,并在漂移区上方引入场氧化层结构,改善了器件的准饱和现象。当工作在Vgs=5 V,Vds=10 V条件下时,与传统RF LDMOS器件相比,改进后RF LDMOS器件的跨导提高约81%,... 介绍了一种改进型RF LDMOS器件。通过对传统RF LDMOS器件的工艺流程进行修改,并在漂移区上方引入场氧化层结构,改善了器件的准饱和现象。当工作在Vgs=5 V,Vds=10 V条件下时,与传统RF LDMOS器件相比,改进后RF LDMOS器件的跨导提高约81%,截止频率提高约89%,击穿电压提高约15%。 展开更多
关键词 RF LDMOS 准饱和 漂移区 场氧化层
下载PDF
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部