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甚大规模集成电路制造中的离子注入技术
被引量：
5
1
作者
程玉华
王阳元
《微细加工技术》
1991年第3期50-57,64,共9页
本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的...
本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。
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关键词
集成电路
制造
离子注入
VLSI
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职称材料
题名
甚大规模集成电路制造中的离子注入技术
被引量：
5
1
作者
程玉华
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《微细加工技术》
1991年第3期50-57,64,共9页
文摘
本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。
关键词
集成电路
制造
离子注入
VLSI
Keywords
Ultra-Large
Scale
Integrated
Circuits
(ULSP
s)
Ion
implant
ation
technology
Shallow
junction
drain
engineering
in
mosfet
's
分类号
TN470.53 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
甚大规模集成电路制造中的离子注入技术
程玉华
王阳元
《微细加工技术》
1991
5
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