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Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes 被引量:6
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作者 Satoshi Kamiyama Motoaki Iwaya +3 位作者 Tetsuya Takeuchi Isamu Akasaki Mikael Syvjrvi Rositza Yakimova 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期24-26,共3页
Fluorescent-SiC (f-SiC), which contains donor and acceptor impurities with optimum concentrations, has high conversion efficiency from NUV to visible light caused by donor-acceptor-pair (DAP) recombination. This m... Fluorescent-SiC (f-SiC), which contains donor and acceptor impurities with optimum concentrations, has high conversion efficiency from NUV to visible light caused by donor-acceptor-pair (DAP) recombination. This material can be used as a substrate for a near UVlight-emitting diode (LED) stack, and leads to monolithic white LED device with suitable spectral property for general lighting applications. In this paper, we describe basic technologies of the white LED, such as optical properties of f-SiC substrate, and epitaxial growth of NUV stack on the f-SiC substrate. 展开更多
关键词 white LED PHOSPHOR SIC donor-acceptor-pair GaN general lighting
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All-Polymer Solar Cells with Perylenediimide Polymer Acceptors 被引量:3
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作者 Yi-kun Guo Yun-ke Li +2 位作者 Han Han 颜河 赵达慧 《Chinese Journal of Polymer Science》 SCIE CAS CSCD 2017年第2期293-301,共9页
Four polymers based on perylenediimide co-polymerized with thiophene, bithiophene, selenophone and thieno[3,2-b]thiophene were investigated as the acceptor materials in all-polymer solar cells. Two different donor pol... Four polymers based on perylenediimide co-polymerized with thiophene, bithiophene, selenophone and thieno[3,2-b]thiophene were investigated as the acceptor materials in all-polymer solar cells. Two different donor polymers, poly[4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[ 1,2-b;4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-(4-(2-ethylhexyl)-3-fluorothieno[3,4- b]thiophene)-2-carboxylate-2,6-diyl] (PTB7-Th) and poly[(5,6-difluoro-2,1,3-benzothiadiazol-4,7-diyl)-alt-(3,3'-di(2- dodecyltetradecyl)-2,2';5',2";5",2'-quaterthiophen-5,5'"-diyl)] (PffBT4T-2DT), with suitably complementary absorption spectra and energy levels were applied and examined. Among all different donor-acceptor pairs studied here, the combination of PTB7-Th:poly[NN-bis(1-hexylheptyl)-3,4,9,10-pery,enediimide-1,6/1,7-diyl-alt-2,5-thiophene] (PDI-Th) exhibited the best power conversion efficiency (PCE) of 5.13%, with open-circuit voltage (Vo:) = 0.79 lV, short-circuit current density (Jsc) = 12.35 mA.cm-2 and fill-factor (FF) = 0.52. The polymer of PDI-Th acceptor used here had a regio-irregular backbone, conveniently prepared from a mixture of 1,6- and 1,7-dibromo-PDI. It is also noteworthy that neither additive nor post- treatment is required for obtaining such a cell performance. 展开更多
关键词 All-polymer solar cells Polymer acceptor Perylenediimides donor-acceptor pair
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In-situ transformed Mott-Schottky heterointerface in silver/manganese oxide nanorods boosting oxygen reduction,oxygen evolution,and hydrogen evolution reactions
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作者 Ruiqi Cheng Kaiqi Li +5 位作者 Huanxin Li Fengzhan Sun Xiaoqian He Tianshuo Zhao Jiao Zhang Chaopeng Fu 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2024年第5期3622-3632,共11页
The development of non-platinum group metal(non-PGM)and efficient multifunctional electrocatalysts for oxygen reduction reaction(ORR),oxygen evolution reaction(OER),and hydrogen evolution reaction(HER)with high activi... The development of non-platinum group metal(non-PGM)and efficient multifunctional electrocatalysts for oxygen reduction reaction(ORR),oxygen evolution reaction(OER),and hydrogen evolution reaction(HER)with high activity and stability remains a great challenge.Herein,by in-situ transforming silver manganese composite oxide heterointerface into boosted Mott-Schottky heterointerface through a facile carbon reduction strategy,a nanorod-like silver/manganese oxide with superior multifunctional catalytic activities for ORR,OER and HER and stability was obtained.The nanorod-like silver/manganese oxide with Mott-Schottky heterointerface(designated as Ag/Mn_(3)O_(4))exhibits an ORR half-wave potential of 0.831 V(vs.RHE)in 0.1 M KOH,an OER overpotential of 338 mV and a HER overpotential of 177 mV at the current density of 10 mA·cm^(-2)in 1 M KOH,contributing to its noble-metal benchmarks comparable performance in aqueous aluminum-air(Al-air)battery and laboratorial overall water splitting electrolytic cell.Moreover,in-situ electrochemical Raman and synchrotron radiation spectroscopic measurements were conducted to further illustrate the catalytic mechanism of Ag/Mn_(3)O_(4)Mott-Schottky heterointerface towards various electrocatalytic reactions.At the heterointerface,the Ag phase serves as the electron donor and the active phase for ORR and HER,while the Mn_(3)O_(4)phase serves as the electron acceptor and the active phase for OER,respectively.This work deepens the understanding of the Mott-Schottky effect on electrocatalysis and fills in the gap in fundamental physical principles that are behind measured electrocatalytic activity,which offers substantial implications for the rational design of cost-effective multifunctional electrocatalysts with Mott-Schottky effect. 展开更多
关键词 HETEROINTERFACE electron donor-acceptor pair ELECTROCATALYST Al-air battery water splitting
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受体光漂白FRET技术的实践与优化
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作者 刘双双 王君 +1 位作者 尹伟 娄绘芳 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第12期39-43,共5页
蛋白质之间的相互作用对生命活动的调节具有重要意义,为了精确检测纳米级蛋白质之间的相互作用,促进高端成像技术的发展。利用共聚焦显微镜系统和图像处理软件ImageJ,开发和优化了受体光漂白荧光共振能量转移(FRET)技术。该实验总结了F... 蛋白质之间的相互作用对生命活动的调节具有重要意义,为了精确检测纳米级蛋白质之间的相互作用,促进高端成像技术的发展。利用共聚焦显微镜系统和图像处理软件ImageJ,开发和优化了受体光漂白荧光共振能量转移(FRET)技术。该实验总结了FRET荧光对的特点并提出选择方法,确定了受体光漂白FRET技术的操作步骤,分析了FRET技术的限制条件并给出了优化方案,详细描述了图像展示和数据分析的具体方法。该文建立了从实验设计到数据分析的一整套实用可靠的操作方案,可为显微成像技术从业者提供借鉴。 展开更多
关键词 荧光共振能量转移 供体-受体对 蛋白质相互作用
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GaInP_2外延膜中施主──受主对复合发光带的能量关量
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作者 梁家昌 《中国民航学院学报》 1994年第3期79-87,共9页
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用MOCVD方法、生长在GaAs衬底上的Ga0.5In0.5P(GaInP2)外延薄膜的1.17eV发射带的发光特性。1.17eV发光带性质与0.99eV及0.85eV发光带... 通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用MOCVD方法、生长在GaAs衬底上的Ga0.5In0.5P(GaInP2)外延薄膜的1.17eV发射带的发光特性。1.17eV发光带性质与0.99eV及0.85eV发光带的性质有着明显的差别。1.17eV发光带的机理可用施主-受主对的复合发光来解释,其中施主-受主对系白处在Ga格位上的Si(SiGa)及其最邻近的Ga空位(VGa)所组成,记作SiGa-VGa。考虑到GaInP2中存在着很强的电子-格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序,所以在施主-受主对复合发光中应计及Franck-Condon位移△FC及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Es(DAP)。X—射线衍射实验表明,部分有序结构相当于成分调制,因而可用Kronig-Penney模型来计算Es(DAP)值。这样,我们就导出了施主-受主对复合发光的新的能量表示式。 展开更多
关键词 GaInP2外延薄膜 变激发强度 复合发光带
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Ga_xIn_(1-X)P外延膜中成份调制对光致发光的影响
6
作者 梁家昌 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第4期7-,1-6,共7页
通过用一高分辨、微机控制的三晶体x-射线衍射仪来测量Ga_xIn_(1-x)P外延膜中(11)与()衍射峰的积分强度差,定量地确定了有序度。讨论Ga_xIn_(1-x)P外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调... 通过用一高分辨、微机控制的三晶体x-射线衍射仪来测量Ga_xIn_(1-x)P外延膜中(11)与()衍射峰的积分强度差,定量地确定了有序度。讨论Ga_xIn_(1-x)P外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调制与施主-受主对复会发光能量间的关联。通过计及施主一受主对在由成份调制所导致的超格子势场中的附加能量,导出了施主一受主对在部分有序相中跃迁时新的能量方程。 展开更多
关键词 Ga_xIn_(1-x)P外延膜 成份调制 有序度 施主一受主对的能量方程
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在Si上生长的外延GaAs的深能级研究(英文)
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作者 梁家昌 高瑛 +1 位作者 赵家龙 高洪楷 《中国民航学院学报》 1996年第1期39-45,共7页
本文对在Si衬底上用金属—有机的化学汽相沉积法生长的GaAs外延膜中的1.04eV发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该1.04eV发射可用由V_((As))^((1-))施主及V_((Ga))^((1-))受主所组成的施主—受主对的复合发光来给予很好解... 本文对在Si衬底上用金属—有机的化学汽相沉积法生长的GaAs外延膜中的1.04eV发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该1.04eV发射可用由V_((As))^((1-))施主及V_((Ga))^((1-))受主所组成的施主—受主对的复合发光来给予很好解释。计及Franck-Condon位移及带隙移动之后,给出了施主—受主对复合发光的新的能量方程。 展开更多
关键词 施主-受主对 砷化镓 带隙移动 跃迁能
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Ga_(0.5)In_(0.5)P外延薄膜的近红外光致发光
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作者 梁家昌 赵家龙 高瑛 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第2期1-7,共7页
在本工作中,首次用近红外光致发光法观察到在GaAs衬底上用金属有机化学相沉积方法(MOCVD)生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延薄膜所发射的1.17、0.99及0.85eV的个新发光峰。其中只有1.17eV... 在本工作中,首次用近红外光致发光法观察到在GaAs衬底上用金属有机化学相沉积方法(MOCVD)生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延薄膜所发射的1.17、0.99及0.85eV的个新发光峰。其中只有1.17eV发射与Ga_(0.5)In_(0.5)P外延薄膜的部分有序结构有关。实验获得的1.17eV发射的变温与变激发强度特性可用受主-施主对复合来很好地给予解释。该受主-施主对系由镓空位作为受主及与其最邻近的镓子格子上的碳作为施主所组成。在考察Ga_(0.5)In_(0.5)P外延薄膜的部分有序结构与其受主-施主对复合能间关系的基础上,导出了受主-施主对跃迁的新的能量方程。 展开更多
关键词 薄膜 光致发光 GAINP MOCVD
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由供体受体对的发射谱直接拟合计算荧光共振能量转移效率 被引量:3
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作者 陈同生 曾绍群 骆清铭 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期300-303,共4页
荧光共振能量转移 (FRET)广泛用于研究分子间的距离以及相互作用 ,但是由于光谱的串扰和荧光强度对浓度依赖的复杂性 ,很难定量测量 FRET效率 .本文提出了一种利用供体、受体和供体受体对的发射谱通过计算机拟合计算 FRET效率的理论和方... 荧光共振能量转移 (FRET)广泛用于研究分子间的距离以及相互作用 ,但是由于光谱的串扰和荧光强度对浓度依赖的复杂性 ,很难定量测量 FRET效率 .本文提出了一种利用供体、受体和供体受体对的发射谱通过计算机拟合计算 FRET效率的理论和方法 .该方法适用于选择性地激发供体和受体与供体的浓度比已知的情况 ,因而适合基于绿色荧光蛋白 (GFP)供体 -受体对 .本文利用该方法拟合计算了 Cameleon分别在零钙和饱和钙时的FRET效率 . 展开更多
关键词 供体-受体对 荧光能量共振转移 FRET效率 发射谱 拟合
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GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究
10
作者 乐小云 梁家昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期25-28,共4页
各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直... 各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染GaInP2/GaAs的微量杂质是Si,而不是C.由GaInP2/GaAs在1.17eV附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主-受主对复合发光.进一步分析表明,施主为处在Ga格位上的Si杂质(SiGa),受主为Ga空位(VGa). 展开更多
关键词 外延薄膜 污染杂质 镓铟磷 砷化镓 复合发光
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