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氧化钒薄膜微观结构的研究 被引量:26
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作者 潘梦霄 曹兴忠 +5 位作者 李养贤 王宝义 薛德胜 马创新 周春兰 魏龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1956-1960,共5页
采用直流磁控反应溅射在Si(1 0 0 )衬底上溅射得到 (0 0 1 )取向的V2 O5薄膜 .x射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和傅里叶变换红外光谱 (FTIR)的结果表明 ,氧分压影响薄膜的成分和生长取向 ,在氧分压 0 4Pa时溅射得到 (0 0 1 )取向的纳... 采用直流磁控反应溅射在Si(1 0 0 )衬底上溅射得到 (0 0 1 )取向的V2 O5薄膜 .x射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和傅里叶变换红外光谱 (FTIR)的结果表明 ,氧分压影响薄膜的成分和生长取向 ,在氧分压 0 4Pa时溅射得到 (0 0 1 )取向的纳米V2 O5薄膜 ,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜 .V2 O5薄膜经过真空退火得到 (0 0 1 )取向的VO2 薄膜 ,晶体颗粒长大 .对薄膜的分子结构和退火过程的晶格转换进行了分析 。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 微观结构 择优取向 直流磁控溅射 傅里叶变换红外光谱分析
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ITO薄膜的微结构表征及其组分特性 被引量:23
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作者 蔡琪 曹春斌 +2 位作者 江锡顺 宋学萍 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期195-199,共5页
用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱... 用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。 展开更多
关键词 ITO薄膜 直流磁控溅射 微结构 组分
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磁控溅射法制备电磁屏蔽织物的研究 被引量:25
3
作者 陈文兴 杜莉娟 +1 位作者 姚玉元 吕慎水 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期264-268,共5页
本文采用直流磁控溅射在无纺布基底上溅射沉积金属铜来制备电磁屏蔽织物。通过原子力显微镜观察发现,工艺参数对溅射沉积速率以及膜层的表面形貌都有较大的影响。在一定范围内,溅射功率越大,沉积速率越大,膜层颗粒分布越均匀致密。溅射... 本文采用直流磁控溅射在无纺布基底上溅射沉积金属铜来制备电磁屏蔽织物。通过原子力显微镜观察发现,工艺参数对溅射沉积速率以及膜层的表面形貌都有较大的影响。在一定范围内,溅射功率越大,沉积速率越大,膜层颗粒分布越均匀致密。溅射压力一般选取0.9 Pa左右为宜,在此压力下,溅射沉积速率最大。经测试膜层与基底结合牢度较好,溅射沉积铜后透气性变化较小。频谱分析仪测试结果表明织物的屏蔽性能十分优良。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 原子力显微镜 表面电阻 电磁屏蔽性能
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溅射功率对直流磁控溅射Ti膜结构的影响 被引量:17
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作者 程丙勋 吴卫东 +3 位作者 何智兵 许华 唐永建 卢铁城 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期961-964,共4页
采用直流磁控溅射方法制备了纯Ti膜,研究了不同功率下Ti膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其应力进行了研究。研究表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而增加,当溅射功率为20 W时,原子力显微镜(AFM)图像显示Ti膜光洁、致密,均方... 采用直流磁控溅射方法制备了纯Ti膜,研究了不同功率下Ti膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其应力进行了研究。研究表明:薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而增加,当溅射功率为20 W时,原子力显微镜(AFM)图像显示Ti膜光洁、致密,均方根粗糙度最小可达0.9 nm。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的晶体结构为六方晶型,Ti膜应力先随溅射功率增大而增大,在60 W时达到最大值(为945.1 MPa),之后随溅射功率的增大有所减小。 展开更多
关键词 应力 六方晶型 直流磁控溅射 Ti膜 直流磁控溅射
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高导电性ZAO陶瓷靶材及薄膜的制备 被引量:13
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作者 龙涛 朱德贵 王良辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期31-34,共4页
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2?03·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3?04·cm,可见光平均透射率大于85%。浅析了靶材的组... 用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2?03·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3?04·cm,可见光平均透射率大于85%。浅析了靶材的组织结构及靶材的电学、力学性能和薄膜制备的主要实验参数对其光、电性能的影响。 展开更多
关键词 陶瓷靶材 ZAO透明导电薄膜 热等静压 直流磁控溅射
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直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究 被引量:18
6
作者 夏冬林 杨晟 +1 位作者 王树林 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期272-275,232,共5页
以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底... 以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ITO薄膜 衬底温度 透过率
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柔性衬底ITO透明导电薄膜的光电性能研究 被引量:14
7
作者 孙裔 刁训刚 +2 位作者 杨盟 武哲 舒远杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期86-90,共5页
利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了氧含量、薄膜厚度、衬底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能... 利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了氧含量、薄膜厚度、衬底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能的影响,优化了柔性衬底ITO薄膜的制备工艺条件。制得样品的最佳可见光平均透过率为85.6%,方块电阻为6Ω/□。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 柔性衬底 ITO透明导电薄膜
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柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究 被引量:11
8
作者 郝雷 刁训刚 +3 位作者 胡小草 张鲁豫 郝维昌 王天民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期256-260,共5页
在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨... 在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。 展开更多
关键词 ITO膜 直流磁控溅射 光电性能 红外发射率
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直流磁控溅射沉积(Ti,Al)N膜的研究 被引量:10
9
作者 蒋生蕊 彭栋梁 +2 位作者 赵学应 谢亮 李强 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期B232-B237,共6页
研究了用直流磁控反应性溅射法在Ar+N2气氛中沉积(Ti,Al)N膜的工艺。(Ti,Al)N膜具有比TiN膜高的耐磨性、硬度和高温抗氧化性。AES深度分析表明,由Al的选择性氧化形成的Al2O3保护层,是(Ti,Al... 研究了用直流磁控反应性溅射法在Ar+N2气氛中沉积(Ti,Al)N膜的工艺。(Ti,Al)N膜具有比TiN膜高的耐磨性、硬度和高温抗氧化性。AES深度分析表明,由Al的选择性氧化形成的Al2O3保护层,是(Ti,Al)N膜具有优良高温抗氧化性能的原因. 展开更多
关键词 磁控溅射 高温氧化 (Ti Al)N膜
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直流磁控溅射沉积WO_3薄膜电致变色性能研究 被引量:11
10
作者 何延春 邱家稳 《真空与低温》 2007年第1期16-20,共5页
以金属钨为靶材,采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃上制备电致变色WO3薄膜。利用X射线衍射(XRD)方法对薄膜的结构进行了分析,得出了WO3薄膜的沉积工艺。制备了WO3)ITO)Glass电致变色器件,并对其性能进行了研究。结果表明:在Li+注入前后,... 以金属钨为靶材,采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃上制备电致变色WO3薄膜。利用X射线衍射(XRD)方法对薄膜的结构进行了分析,得出了WO3薄膜的沉积工艺。制备了WO3)ITO)Glass电致变色器件,并对其性能进行了研究。结果表明:在Li+注入前后,薄膜的透射率平均变化约50%,具有较好的可逆变色特性;Li+注入后,WO3薄膜中的一部分W6+转变为W5+,转化比例约为25%。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 WO3 电致变色 薄膜
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Mechanical,Microstructural and Tribological Properties of Reactive Magnetron Sputtered Cr-Mo-N Films 被引量:11
11
作者 Dongli Qi Hao Lei +3 位作者 Tiegang Wang Zhiliang Pei Jun Gong Chao Sun 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期55-64,共10页
The Cr-Mo-N films were deposited on high speed steel(HSS) substrates by a DC reactive magnetron sputtering equipment coupled with two horizontal magnetron sources.The effects of substrate negative bias voltage(Vb)... The Cr-Mo-N films were deposited on high speed steel(HSS) substrates by a DC reactive magnetron sputtering equipment coupled with two horizontal magnetron sources.The effects of substrate negative bias voltage(Vb),substrate temperature(Ts) and gas flow ratio(R= N2/(N2+ Ar)) on the microstructure,morphology,as well as the mechanical and tribological properties of the Cr-Mo-N films were investigated by virtue of X-ray diffraction(XRD) analysis,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),field emission scanning electron microscopy(FESEM),atomic force microscopy(AFM),nano-indentation test,ball-on-disk tribometer,and Rockwell indenter et al.With increasing Vbto-100 V,the preferred orientation of the films changed from(111) to(200) and their mechanical and tribological properties were improved gradually,too.It was also found that Tsgave a significant effect on mechanical property enhancement.When the Tsreached 300 ℃,the film obtained the highest hardness and effective elastic modulus of approximately 30.1 and 420.5 GPa,respectively and its critical load increased to about 54 N.With increasing R,the phase transformation from body-centered-cubic(bcc) Cr and hexagonal CrMoNxmultiphase to single face-centered-cubic(fcc) solid solution phase was observed.The correlations between values of hardness(H),effective elastic modulus(E*),HIE*,H3/E*2,elastic recovery(1/14) and tribological properties of the films were also investigated.The results showed that the elastic recovery played an important role in the tribological behavior. 展开更多
关键词 Cr-Mo-N films dc magnetron sputtering Hardness CRI
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基底负偏压对直流磁控溅射CrN薄膜择优取向及表面形貌的影响 被引量:11
12
作者 谈淑咏 张旭海 +2 位作者 李纪宏 吴湘君 蒋建清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1015-1018,共4页
直流磁控溅射法制备不同基底负偏压下的CrN薄膜,采用XRD分析薄膜相结构,EDS分析薄膜表面成分,SEM观察薄膜表面形貌,并对偏压作用机制进行了探讨。结果表明,当Ar流量6ml/min、N2流量30ml/min时,在基底负偏压增大过程中,CrN薄膜始终由CrN... 直流磁控溅射法制备不同基底负偏压下的CrN薄膜,采用XRD分析薄膜相结构,EDS分析薄膜表面成分,SEM观察薄膜表面形貌,并对偏压作用机制进行了探讨。结果表明,当Ar流量6ml/min、N2流量30ml/min时,在基底负偏压增大过程中,CrN薄膜始终由CrN相组成,但薄膜生长发生了(111)(-50V)向(200)(-125V)再向无明显择优生长(-225V)的转变。低偏压时,CrN薄膜[111]向[200]取向转变主要是轰击表面氮离子浓度增加导致;高偏压时,薄膜中Ar浓度大幅增长,高能离子长时间轰击破坏晶粒取向性,使薄膜呈无择优取向。同时,负偏压增加使薄膜表面形貌从具有棱角的不规则形状逐渐变为粒状结构,且晶粒逐渐细小。 展开更多
关键词 基底负偏压 择优生长 表面形貌 直流磁控溅射
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Preparation and properties of tungsten-doped indium oxide thin films 被引量:9
13
作者 Li, Yuan Wang, Wenwen +1 位作者 Zhang, Junying Wang, Rongming 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期158-163,共6页
Tungsten-doped indium oxide (IWO) thin films were deposited on glass substrate by DC reactive magnetron sputtering. The effects of sputtering power and growth temperature on the structure, surface morphology, optical ... Tungsten-doped indium oxide (IWO) thin films were deposited on glass substrate by DC reactive magnetron sputtering. The effects of sputtering power and growth temperature on the structure, surface morphology, optical and electrical properties of IWO thin films were investigated. The thickness and surface morphology of the films are both closely dependent on the sputtering power and the substrate temperature. The transparency of the films decreases with the increase of the sputtering power but is not seriously influenced by substrate temperature. All the IWO thin film samples have high transmittance in near-infrared spectral range. With either the sputtering power or the growth temperature increases, the resistivity of the film decreases at the beginning and increases after the optimum parameters. The as-deposited IWO films with minimum resistivity of 6.4 10 4 cm were obtained at a growth temperature of225 C and sputteringpower of 40 W, with carrier mobility of 33.0 cm 2 V 1 s 1 and carrier concentration of 2.8 10 20 cm 3 and the average transmittance of about 81% in near-infrared region and about 87% in visible region. 展开更多
关键词 In 2 O 3 : W thin film dc magnetron sputtering substrate temperature sputtering current optical and electrical properties
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Influence of Nitrogen Flow Ratio on the Microstructure, Composition, and Mechanical Properties of DC Magnetron Sputtered Zr-B-O-N Films 被引量:10
14
作者 Tie-Gang Wang Yanmei Liu +2 位作者 Tengfei Zhang Doo-In Kim KwanKHo Kim 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期981-991,共11页
Nanocrystalline ZrB2 film and nanocomposite Zr-B-O-N films were prepared by non-reactive as well as re- active magnetron sputtering techniques, respectively. By means of X-ray diffraction analysis, electron probe micr... Nanocrystalline ZrB2 film and nanocomposite Zr-B-O-N films were prepared by non-reactive as well as re- active magnetron sputtering techniques, respectively. By means of X-ray diffraction analysis, electron probe microanalysis, X-ray photoelectron spectroscopy, and scanning electron microscopy, the influence of nitrogen flow ratio on the film microstructure and characteristics were investigated systematically, including the depo- sition rate, chemical compositions, phase constituents, grain size, chemical bonding, as well as cross-sectional morphologies. Meanwhile, the hardness and adhesion of above films were also evaluated by micro-indentation method and a scratch tester. With increasing the nitrogen flow ratio, the deposition rate of above films de- creased approximately linearly, whereas the contents of N and O in the films increased gradually and tended to saturation. Moreover, the film microstructure was also altered gradually from a fine columnar microstructure to a featureless glass-structure. As the nitrogen flow ratio was 11.7%, the Zr-B-O-N film possessed an typical nanocomposite structure and presented good mechanical properties. During the process of reactive sputtering of metal borides, the introduction of nitrogen can show a pronounced suppression of columnar grain growth and strong nanocomposite structure forming ability. 展开更多
关键词 FILMS dc magnetron sputtering NANOCOMPOSITE MICROHARDNESS ADHESION
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直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响 被引量:11
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作者 彭寿 蒋继文 +7 位作者 李刚 张宽翔 杨勇 姚婷婷 金克武 曹欣 徐根保 王芸 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期987-994,共8页
采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与... 采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比,410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜;随着衬底温度的增加,电阻率单调减小,光学吸收边出现蓝移;在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下,可制备出电阻率为1.4×10^(–4)?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 氧化铟锡薄膜 衬底温度 溅射功率
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衬底温度对直流磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜性能的影响(英文) 被引量:10
16
作者 张化福 刘瑞金 +3 位作者 刘汉法 陈钦生 王新峰 梅玉雪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期766-770,775,共6页
利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实... 利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验所制备ZnO:Zr薄膜的晶化程度和导电性能对衬底温度有很强的依赖性。当衬底温度为300℃时,ZnO:Zr薄膜具有最小电阻率7.58×10-4Ω.cm,其可见光平均透过率超过了91%。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌 衬底温度 直流磁控溅射 薄膜
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磁控溅射低阻ITO薄膜的气体参数优化 被引量:9
17
作者 王军 成建波 +2 位作者 饶海波 蒋亚东 杨刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期115-117,共3页
用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随... 用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大,随氧气比例增加薄膜(400)晶向消失。优化参数为气压266.664 mPa,V(Ar):V(O2)=15:0,制备的ITO薄膜方阻为22Ω/□,在可见光区域平均透过率为85%。 展开更多
关键词 薄膜 氧化铟锡(ITO) 直流磁控溅射 沉积气压 流量比
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溅射功率对Mo薄膜微结构和性能的影响 被引量:10
18
作者 廖国 何智兵 +4 位作者 陈太红 许华 李俊 谌加军 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2386-2390,共5页
实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐... 实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1~17.9nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40W时达到最大值(2.383GPa),后随溅射功率的增大有所减小。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 溅射功率 表面形貌 X射线衍射
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低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用 被引量:8
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作者 林慧 蒋亚东 +3 位作者 于军胜 李军建 王军 邓建芳 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1068-1070,共3页
通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响。利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg... 通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响。利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg∶Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15V的条件下,发光亮度达到了3000cd/m2。 展开更多
关键词 ITO薄膜 直流磁控溅射 透明有机电致发光器件(TOLEDs) 光电性能
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溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究 被引量:8
20
作者 王生浩 张静全 +9 位作者 王波 冯良桓 蔡亚平 雷智 黎兵 武莉莉 李卫 曾广根 郑家贵 蔡伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期717-719,723,共4页
采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:... 采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大。在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO薄膜。 展开更多
关键词 氧化铟锡 直流磁控溅射 电阻率 透光率
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