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题名掺铜TiO2薄膜的制备及结构与光学性能的研究
被引量：4
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作者
高飞
吴再华
刘晓艳
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机构
湖南信息职业技术学院
中南大学材料科学与工程学院
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期87-89,98,共4页
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文摘
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结晶质量,提高薄膜的光吸收性能。随着掺铜量的增加,TiO2薄膜的锐钛矿(101)衍射峰越来越强,且吸收边逐渐红移。Cu靶的溅射功率大于3 W,薄膜中就会出现CuO晶相。掺Cu后,TiO2薄膜的光催化性能明显增强。随着Cu的溅射功率的增大,TiO2薄膜的光催化性能先增强,后减弱。Cu的溅射功率为5 W的样品光催化性能最好。
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关键词
TIO2薄膜
双靶直流磁控共溅射
铜掺杂
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Keywords
TiO2, thin films
DC reactive magnetron co-sputtering with two targets
cudoped
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分类号
O484.4
[理学—固体物理]
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题名缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响
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作者
郝嘉伟
赵鹤平
肖立娟
李长山
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机构
吉首大学物理与机电工程学院
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出处
《磁性材料及器件》
北大核心
2014年第4期11-14,40,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11264011)
湖南省自然科学基金资助项目(13A077)
湖南省研究生科研创新项目(JGY201223)
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文摘
采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔测试仪(HALL8800)以及超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的结构、表面形貌、电学特性和磁性进行表征,研究了AZO缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜磁性的影响。结果表明,加入缓冲层的样品结晶质量有所改善,但不利于磁性的产生;空气退火使样品中氧空位大量减少,同时磁性减弱;真空退火使样品中氧空位得以保留,磁性增强,氧空位缺陷对磁性的产生有很大贡献。样品中载流子浓度不高,电阻率较大,载流子浓度对样品磁性的影响不明显。
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关键词
稀磁半导体
ZNO薄膜
CU掺杂
缓冲层
退火
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Keywords
diluted magnetic semiconductor
ZnO films
cudoping
buffer layers
annealing treatment
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分类号
O472.5
[理学—半导体物理]
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