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光伏发电技术经济分析及发展预测 被引量：47
1
作者 曹石亚 李琼慧 +2 位作者 黄碧斌 汪晓露 王乾坤 《中国电力》 CSCD 北大核心 2012年第8期64-68,共5页
分析了光伏发电技术的发展现状和趋势,基于光伏发电系统单位电量发电成本(度电成本)影响因素的分析,结合国外典型光伏发电系统,对中国光伏发电度电成本进行了测算,并对光伏发电发展前景进行了研判,得出2050年前光伏发电发展路线。2020... 分析了光伏发电技术的发展现状和趋势,基于光伏发电系统单位电量发电成本(度电成本)影响因素的分析,结合国外典型光伏发电系统,对中国光伏发电度电成本进行了测算,并对光伏发电发展前景进行了研判,得出2050年前光伏发电发展路线。2020年前光伏产业将实现规模化发展,2020年后光伏发电将逐步成为具备市场竞争力的可再生能源发电技术。 展开更多
关键词 光伏发电 晶硅电池 薄膜电池 聚光太阳能电池 技术经济 规模预测
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电致发光成像在晶体硅电池和组件质量监测中的应用 被引量：7
2
作者 杨畅民 张豪 黄国锋 《中国建设动态（阳光能源）》 2009年第6期42-43,45,共3页
本文根据晶体硅光伏电池的电致发光成像理论,采用红外相机拍摄观测晶体硅光伏电池的电致发光图像。在大量实验中选取了一些典型图像,如硅片材料内在缺陷,烧结、污染、刻蚀引入的缺陷以及短路、裂纹、断栅等缺陷。实验结果表明,电致发光... 本文根据晶体硅光伏电池的电致发光成像理论,采用红外相机拍摄观测晶体硅光伏电池的电致发光图像。在大量实验中选取了一些典型图像,如硅片材料内在缺陷,烧结、污染、刻蚀引入的缺陷以及短路、裂纹、断栅等缺陷。实验结果表明,电致发光成像检测方法结合I-V测试方法,可以更快速、准确地找到缺陷位置及判定缺陷类型、成因,对监测晶体硅光伏电池及组件的生产工艺具有重要意义。 展开更多
关键词 电致发光成像 晶体硅电池 缺陷检测
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以技术创新推动晶体硅太阳能电池智慧生产线建设 被引量：6
3
作者 谢建国 赵加宝 《电子工业专用设备》 2014年第3期37-41,共5页
综述了晶体硅太阳能电池生产线的技术现状,并结合晶体硅电池技术的未来发展方向,分析了晶体硅太阳能电池生产线技术的发展趋势,认为创新工艺及设备、高产能及高效自动化、监控与决策智能化是未来晶体硅太阳能电池生产线的三大主要特征,... 综述了晶体硅太阳能电池生产线的技术现状,并结合晶体硅电池技术的未来发展方向,分析了晶体硅太阳能电池生产线技术的发展趋势,认为创新工艺及设备、高产能及高效自动化、监控与决策智能化是未来晶体硅太阳能电池生产线的三大主要特征,在此基础上,提出了一种晶体硅太阳能电池智慧生产线,简要介绍了其结构组成,特点及实现。 展开更多
关键词 晶体硅电池 智慧生产线 过程自动化
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迎接太阳能光伏产业发展的新高潮 被引量：2
4
作者 董镛 《真空》 CAS 北大核心 2008年第5期1-5,共5页
介绍百年来太阳能电池(光伏)发展历程与现状,结合国家《可再生能源中长期发展规划》及《可再生能源发展十一五规划》指明我国光伏产业发展的光明前景。分析晶体硅电池及薄膜电池产业链各个环节中的真空技术装备及存在问题,联系真空行业... 介绍百年来太阳能电池(光伏)发展历程与现状,结合国家《可再生能源中长期发展规划》及《可再生能源发展十一五规划》指明我国光伏产业发展的光明前景。分析晶体硅电池及薄膜电池产业链各个环节中的真空技术装备及存在问题,联系真空行业技术创新与企业运营现状,指出迅猛发展的光伏产业蕴涵巨大商机与空前的挑战。 展开更多
关键词 太阳能电池 晶体硅太阳能电池 薄膜太阳能电池
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晶硅电池在低倍聚光条件下短路电流变化规律分析 被引量：2
5
作者 许自霖 卢智恒 姚强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期618-624,共7页
在对常规晶硅电池的性能测量过程中发现,在常温非聚光情况下,晶硅电池短路电流Isc与温度保持线性关系;但在高温低倍聚光情况下,短路电流Isc出现偏离线性的现象。使用双二极管的晶硅电池等效模型进行分析,简化短路电流表达式。在此基础... 在对常规晶硅电池的性能测量过程中发现,在常温非聚光情况下,晶硅电池短路电流Isc与温度保持线性关系;但在高温低倍聚光情况下,短路电流Isc出现偏离线性的现象。使用双二极管的晶硅电池等效模型进行分析,简化短路电流表达式。在此基础上使用公式对Isc出现的偏离线性现象进行分析,指出并联电阻Rsh与串联电阻Rs的量级变化差别,引起Isc出现偏离线性,并据此定义了一个短路电流偏离线性系数αIsc。分析了短路电流偏离线性系数αIsc对Isc偏离线性的影响,在高温低倍聚光情况下,αIsc<1,晶硅电池的Isc出现明显下降。因此,在低倍聚光情况下,具有大并联电阻Rsh的晶硅电池,即αIsc≈1,能保证输出电流的稳定性。 展开更多
关键词 晶硅电池 双二极管模型 低倍聚光 短路电流 线性 短路电流偏离线性系数
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迎接太阳能光伏产业发展的新高潮(二)
6
作者 董镛 《真空》 北大核心 2008年第6期1-7,共7页
介绍百年来太阳能电池(光伏)发展历程与现状,结合国家《可再生能源中长期发展规划》及《可再生能源发展十一五规划》指明我国光伏产业发展的光明前景。分析晶体硅电池及薄膜电池产业链各个环节中的真空技术装备及存在问题,联系真空行业... 介绍百年来太阳能电池(光伏)发展历程与现状,结合国家《可再生能源中长期发展规划》及《可再生能源发展十一五规划》指明我国光伏产业发展的光明前景。分析晶体硅电池及薄膜电池产业链各个环节中的真空技术装备及存在问题,联系真空行业技术创新与企业运营现状,指出迅猛发展的光伏产业蕴涵巨大商机与空前的挑战。 展开更多
关键词 太阳能电池 晶体硅太阳能电池 薄膜太阳能电池
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体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响
7
作者 陆晓东 宋扬 +2 位作者 王泽来 赵洋 张金晶 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第10期39-44,共6页
采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和... 采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。 展开更多
关键词 晶硅电池 有限差分法 晶体缺陷 暗I-V特性曲线 理想因子 总电流密度
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有源层表面性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响
8
作者 陆晓东 宋扬 +4 位作者 王泽来 赵洋 张宇峰 吕航 张金晶 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第1期51-56,71,共7页
利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ... 利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线与理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线相同,但当正向偏压大于PN开启电压0.59V,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线,且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大;当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线;就对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响而言,复合中心最大,施主型次之,受主型最小。 展开更多
关键词 晶硅电池 暗I-V特性曲线 理想因子 总电流密度 缺陷态 有限差分
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非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响
9
作者 陆晓东 宋扬 +2 位作者 赵洋 王泽来 张金晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2812-2819,共8页
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重... 利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。 展开更多
关键词 晶硅电池 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线 理想因子 总电流密度
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高产能晶体硅太阳能电池制绒设备及工艺研究
10
作者 毛朝斌 李克 +2 位作者 李健志 林伯奇 陈特超 《电子工业专用设备》 2012年第9期11-13,17,共4页
制绒工艺作为晶体硅太阳能电池生产的重要环节,电池厂商在要求保证工艺质量的前提下,希望能扩大单台设备的产能。介绍了一种用于太阳能电池制绒设备及该系统中关键部件制绒槽和移载机械手。该系统结构简单,控制效果良好,通过对工艺的研... 制绒工艺作为晶体硅太阳能电池生产的重要环节,电池厂商在要求保证工艺质量的前提下,希望能扩大单台设备的产能。介绍了一种用于太阳能电池制绒设备及该系统中关键部件制绒槽和移载机械手。该系统结构简单,控制效果良好,通过对工艺的研究该系统能满足100 MW生产线的生产要求。 展开更多
关键词 制绒设备 晶体硅太阳能电池 高产能
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多晶硅太阳电池的等离子体预处理研究
11
作者 黄岳文 季凯春 +3 位作者 李华维 孙励斌 徐晓群 陈斌 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1348-1352,共5页
采用 H_2、NH_3和 H_2+NH_3等离子体在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进行预处理,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氮化硅薄膜,然后印刷烧结。利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)和紫外可见近红外分光光度计... 采用 H_2、NH_3和 H_2+NH_3等离子体在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进行预处理,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氮化硅薄膜,然后印刷烧结。利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)和紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS)等手段研究了等离子体预处理对多晶硅少子寿命的影响以及等离子体预处理对氮化硅薄膜 FTIR 光谱的影响和多晶电池性能的影响。结果表明:经等离子体预处理后多晶硅的少子寿命有所提高,使用 H_2+NH_3混合等离子体预处理后,制备的多晶电池的性能有明显提高,短路电流能提高约7%。 展开更多
关键词 多晶硅电池 等离子体预处理 氮化硅薄膜
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Te-Bi玻璃对晶体硅太阳能电池正银电极性能的影响 被引量：12
12
作者 付明 程思国 +2 位作者 王玥 周洪 范琳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期785-790,共6页
正银浆料是晶体硅太阳能电池金属化的关键材料,环保型浆料是正银电极的主要发展方向之一。通过正交实验方法,研究了不同配方和组分的Te-Bi玻璃对正银电极性能的影响。用TGA-DSC分析了Te-Bi玻璃和正银浆料的热处理特性,用SEM分析了Ag-Si... 正银浆料是晶体硅太阳能电池金属化的关键材料,环保型浆料是正银电极的主要发展方向之一。通过正交实验方法,研究了不同配方和组分的Te-Bi玻璃对正银电极性能的影响。用TGA-DSC分析了Te-Bi玻璃和正银浆料的热处理特性,用SEM分析了Ag-Si界面处银微晶的分布和大小,利用隧道电流模型分析了玻璃对正银电极性能的影响规律。结果表明:Te O_2含量45wt%,Bi_2O_3含量36wt%的Z7玻璃,其T_g为379.07℃,对应的正银浆料在612.8℃出现吸热反应,同时发生失重(–0.16%),制作的多晶硅电池效率达到16.87%,电极的附着力达到4.35 N。 展开更多
关键词 晶体硅太阳能电池 无铅玻璃 正银电极 电池性能
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氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池 被引量：8
13
作者 艾凡凡 张光春 +7 位作者 顾晓峰 李果华 汪义川 杨健 陈如龙 贾积凯 张杰 黄治国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期382-386,共5页
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩... 本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极。丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现。最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3%。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 选择性发射极 PECVD 氮化硅掩膜
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晶体硅太阳电池工艺技术新进展 被引量：8
14
作者 赵汝强 梁宗存 +2 位作者 李军勇 金井升 沈辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期25-29,共5页
晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池。以晶体硅太阳电池的生产流程为基础,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果,并对各种制备工艺进行了评价。
关键词 晶体硅太阳电池 制备工艺 最新进展
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晶硅太阳能电池制备过程中硅渣和金刚石线切割硅废料的回收利用研究进展
15
作者 何乾 范斌 +3 位作者 宋剑飞 邹应萍 伍继君 马文会 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2456-2467,共12页
随着晶硅太阳能电池的快速发展,晶体硅片的需求大幅增加。晶体硅片在生产制备过程中,大量的硅以硅渣和金刚石线切割硅废料的形式流失。硅渣和金刚石线切割硅废料中硅的回收再循环利用对降低晶硅太阳能电池的成产成本、有效解决晶体硅片... 随着晶硅太阳能电池的快速发展,晶体硅片的需求大幅增加。晶体硅片在生产制备过程中,大量的硅以硅渣和金刚石线切割硅废料的形式流失。硅渣和金刚石线切割硅废料中硅的回收再循环利用对降低晶硅太阳能电池的成产成本、有效解决晶体硅片短缺以及环境污染等问题具有重要意义。本文通过对从硅渣和金刚石线切割硅废料中回收制备高纯硅的现有工艺和研究进展进行综述,对不同回收工艺的优势、缺陷以及改进措施进行分析,有助于研究人员选择合理的高纯硅回收策略,为晶硅太阳能电池产业的低成本、绿色可持续发展提供参考。 展开更多
关键词 晶硅太阳能电池 硅渣 金刚石线切割硅废料 高纯硅回收
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“双碳”背景下新能源材料技术发展策略——以松山湖材料实验室为例 被引量：6
16
作者 邱细妹 王燕 +6 位作者 吕海明 徐坚 武怿达 马晓威 支春义 杜小龙 黄学杰 《中国科学院院刊》 CSSCI CSCD 北大核心 2022年第3期375-383,共9页
降低对于化石燃料的依赖,从源头节能减排是早日实现“双碳”目标的根本路径之一,变革性能源材料技术将为“双碳”目标的实现提供强有力的战略性支撑。发展太阳能—储能电池供电体系和交通能源电动化,让煤、石油和天然气从燃料回归到材料... 降低对于化石燃料的依赖,从源头节能减排是早日实现“双碳”目标的根本路径之一,变革性能源材料技术将为“双碳”目标的实现提供强有力的战略性支撑。发展太阳能—储能电池供电体系和交通能源电动化,让煤、石油和天然气从燃料回归到材料,松山湖材料实验室正在为此而努力。该实验室新能源材料与器件研发中心按照从应用基础研究到产业转化的全链条创新模式进行研发,文章重点选取了实验室高效晶硅太阳能电池、锂离子电池材料、柔性及锌基电池3个团队的工作予以介绍。为了打通成果转化的“最后一公里”,各团队3年多来建立了研究和中试线,把相关核心关键材料和器件转化成产品,通过创新工场模式与产业界密切合作。建议统筹规划,稳定支持实验室研发,以及打造研发中心—创新工场—产业园区集群式发展模式。 展开更多
关键词 新能源材料 晶硅太阳能电池 锂离子动力电池 锌基储能电池
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晶体硅太阳电池焊接工艺研究 被引量：5
17
作者 任现坤 徐振华 +3 位作者 姜言森 贾河顺 张春艳 马继磊 《当代化工》 CAS 2013年第6期781-783,共3页
晶体硅太阳电池主栅与焊带之间的连接性能直接影响光伏组件的光电转化效率和使用寿命。研究了不同焊接温度和时间对焊接质量的影响,结果表明,焊接温度380℃、焊接时间3 s时,焊接后电池主栅与焊带的连接性能最佳。
关键词 晶体硅太阳电池 光伏组件 焊接温度 焊接时间
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激光在PERC晶硅电池中背面点接触电极制备中的应用 被引量：4
18
作者 王仕建 贾锐 +6 位作者 张希清 孙昀 孟彦龙 丁武昌 崔冬萌 陈晨 任高全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期634-638,共5页
在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种... 在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比,发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结,以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7Ω.cm2降到1.24Ω.cm2,效率从4.2%提高到10.7%。 展开更多
关键词 晶硅电池 AL2O3 局部接触 激光烧蚀 激光烧结
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基于光学微结构减小硅太阳能电池的反射 被引量：4
19
作者 廖同庆 彭露露 +2 位作者 吴昇 刘波 肖广东 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第1期201-204,共4页
为了在理想的光频范围内扩展硅太阳能电池的低反射特性,设计了一种由方柱形粒子周期排列构成的光学微结构,根据等效介质理论分析了方柱形粒子高度、占空比对反射率的影响。利用所得结论合理选择方柱形粒子的尺寸,使用MEEP仿真软件建立... 为了在理想的光频范围内扩展硅太阳能电池的低反射特性,设计了一种由方柱形粒子周期排列构成的光学微结构,根据等效介质理论分析了方柱形粒子高度、占空比对反射率的影响。利用所得结论合理选择方柱形粒子的尺寸,使用MEEP仿真软件建立了结构模型并进行了仿真。结果表明:该光学微结构在理想的光频范围内具有超低反射特性。 展开更多
关键词 晶体硅太阳能电池 等效介质理论 光学微结构 超低反射
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背面钝化晶体太阳能电池铝浆局部背电场性能研究
20
作者 周浩 曾凯 +1 位作者 孟文静 刘建龙 《湖南工业大学学报》 2023年第3期27-33,共7页
首先制备了4款不同玻璃粉添加量的背钝化铝浆样品,并在工业链式快速烧结炉上与背银和正银共烧得到背面钝化晶硅太阳能(PERC)电池片,然后采用扫描电子显微镜(SEM)、电阻测试仪以及电池片效率分选机对电池片样品进行表征,探讨了玻璃粉添... 首先制备了4款不同玻璃粉添加量的背钝化铝浆样品,并在工业链式快速烧结炉上与背银和正银共烧得到背面钝化晶硅太阳能(PERC)电池片,然后采用扫描电子显微镜(SEM)、电阻测试仪以及电池片效率分选机对电池片样品进行表征,探讨了玻璃粉添加质量分数、烧结温度以及印刷单耗对局部铝掺杂背电场(L-BSF)厚度和效率的影响。结果表明:随着玻璃粉添加质量分数增加或烧结温度升高,L-BSF层厚度增大,转换效率和开路电压均先增大后降低,当玻璃粉添加质量分数为1.2%时样品的转换效率最高,达21.6%;当烧结峰值温度为780℃时,样品的转换效率最高,达21.4%;随着印刷单耗增大,转换效率先增加后降低,开路电压降低,L-BSF层厚度基本不变,当印刷单耗为0.18 g时,样品的转换效率最高,达21.6%。 展开更多
关键词 铝浆 晶硅太阳能电池 局部背电场 转换效率 开路电压
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