期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
集成电路关键面积研究方法的发展与挑战
被引量：
4
1
作者
张国霞
马佩军
+1 位作者
张旭
郝跃
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期704-709,共6页
关键面积研究方法是集成电路可制造性(DFM)领域的重要研究内容。对主流关键面积研究方法进行了综述与分析,讨论了Monte Carlo方法、多边形算子方法、Voronoi图方法的优缺点;对亚波长光刻阶段关键面积研究面临的挑战进行了分析与探讨。
关键词
集成电路
关键面积
关键面积提取
深亚微米光刻
下载PDF
职称材料
题名
集成电路关键面积研究方法的发展与挑战
被引量：
4
1
作者
张国霞
马佩军
张旭
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期704-709,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60506020)
陕西省自然科学基础研究项目(SJ08-ZT13)
文摘
关键面积研究方法是集成电路可制造性(DFM)领域的重要研究内容。对主流关键面积研究方法进行了综述与分析,讨论了Monte Carlo方法、多边形算子方法、Voronoi图方法的优缺点;对亚波长光刻阶段关键面积研究面临的挑战进行了分析与探讨。
关键词
集成电路
关键面积
关键面积提取
深亚微米光刻
Keywords
Integrated
circuits
critical
area
critical
area
algorithm
Deep
submicron
lithography
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成电路关键面积研究方法的发展与挑战
张国霞
马佩军
张旭
郝跃
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
