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磁控溅射法制备CrTiAlCN镀层中主要元素的化学态
被引量:
3
1
作者
胡鹏飞
蒋百灵
李洪涛
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期41-44,共4页
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅(111)衬底上沉积了CrTiAlCN镀层,研究了不同C靶电流CrTiAlCN物相组成,并分析了镀层中主要元素的化学态。X射线衍射分析表明,当C靶电流IC从0增大到2.4 A时,镀层由晶态向非晶态转变;X射线光电...
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅(111)衬底上沉积了CrTiAlCN镀层,研究了不同C靶电流CrTiAlCN物相组成,并分析了镀层中主要元素的化学态。X射线衍射分析表明,当C靶电流IC从0增大到2.4 A时,镀层由晶态向非晶态转变;X射线光电子能谱分析表明,碳元素主要以C-C、C-Cr和C-Ti键形式存在;N元素是主要以CrN、Cr2N和TiN的形式存在;Cr元素主要以CrN、Cr2N及CrCx的形式存在。
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关键词
磁控溅射
crtialcn
镀层
X射线衍射
X射线光电子能谱
碳键
原文传递
题名
磁控溅射法制备CrTiAlCN镀层中主要元素的化学态
被引量:
3
1
作者
胡鹏飞
蒋百灵
李洪涛
机构
西安理工大学材料科学与工程学院
出处
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期41-44,共4页
基金
国家"863"科技攻关项目(2005AA33H010)
文摘
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅(111)衬底上沉积了CrTiAlCN镀层,研究了不同C靶电流CrTiAlCN物相组成,并分析了镀层中主要元素的化学态。X射线衍射分析表明,当C靶电流IC从0增大到2.4 A时,镀层由晶态向非晶态转变;X射线光电子能谱分析表明,碳元素主要以C-C、C-Cr和C-Ti键形式存在;N元素是主要以CrN、Cr2N和TiN的形式存在;Cr元素主要以CrN、Cr2N及CrCx的形式存在。
关键词
磁控溅射
crtialcn
镀层
X射线衍射
X射线光电子能谱
碳键
Keywords
magnetron
sputtering
crtialcn
coating
XRD
XPS
carbon
bond
分类号
TG178 [金属学及工艺—金属表面处理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射法制备CrTiAlCN镀层中主要元素的化学态
胡鹏飞
蒋百灵
李洪涛
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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参考文献
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