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稀土掺杂对锡基Half-Heusler合金热电特性的影响
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作者 李晓光 霍德璇 +2 位作者 何才君 赵士超 吕燕飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期573-576,共4页
采用电弧熔炼法和放电等离子体烧结法,制备了稀土掺杂的金属间化合物Zr1-xLaxNiSn(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3,0.4)和Zr0.98R0.02NiSn0.98X0.02(R=La,Ce;X=Sb,Bi).用X射线衍射仪分析研究了它们的晶体结构随稀土替代量演化的规律.在室温到7... 采用电弧熔炼法和放电等离子体烧结法,制备了稀土掺杂的金属间化合物Zr1-xLaxNiSn(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3,0.4)和Zr0.98R0.02NiSn0.98X0.02(R=La,Ce;X=Sb,Bi).用X射线衍射仪分析研究了它们的晶体结构随稀土替代量演化的规律.在室温到700K的范围内,对其热电特性进行了评价.研究结果表明,代换量x小于0.15时,稀土原子可以进入晶格形成单相化合物.代换量x大于0.15的样品中含有非half-Heusler的第二相,且含量随x增大而增加.少量稀土掺杂可以有效地降低材料的热导率而保持良好的电输运特性.在575K,Zr0.98La0.02NiSn0.98Sb0.02的热电优值达到0.5. 展开更多
关键词 热电特性 ZRNISN cenisn half-Heusler 稀土
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Cu掺杂对Kondo绝缘体CeNiSn低温比热的影响 被引量：3
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作者 胡小华 陈兆甲 +3 位作者 雒建林 王玉鹏 白海洋 金铎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期2109-2112,共4页
CeNiSn是一种很有趣的重费米子化合物 ,其基态为Kondo绝缘体 .采用化学元素替代的方法研究Cu掺杂对CeNiSn多晶样品低温比热的影响 .在流动高纯氩气的保护下 ,用电弧炉制备了一系列的多晶样品CeNi1-xCuxSn(x =0 ,0 0 2 ,0 0 6 ,0 0 8)... CeNiSn是一种很有趣的重费米子化合物 ,其基态为Kondo绝缘体 .采用化学元素替代的方法研究Cu掺杂对CeNiSn多晶样品低温比热的影响 .在流动高纯氩气的保护下 ,用电弧炉制备了一系列的多晶样品CeNi1-xCuxSn(x =0 ,0 0 2 ,0 0 6 ,0 0 8) .X射线粉末衍射分析表明 ,制备出来的样品均为单相多晶 .随着Cu掺杂量的增加 ,样品的晶格参数增大 .采用绝热热脉冲法测量样品的比热 ,结果表明随着Cu掺入量的增加 ,相应样品的低温比热也随之增大 ,能隙逐渐减小 .其物理机制在于 ,铜替代镍引起Kondo格子的无序和 3d电子数的增加 . 展开更多
关键词 KONDO绝缘体 比热 铜 掺杂 重费米子半导体
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