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Ce^(3+)注入掺杂金刚石薄膜蓝区电致发光研究
被引量：
2
1
作者
王丽军
王子
+2 位作者
朱玉传
章诗
王小平
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期290-293,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积了一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的Ce3+,从而制备出了Ce3+掺杂的金刚石薄膜。研究了其电致发光特性,得到了发光主峰位于蓝区(476 nm和435 nm处)...
采用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积了一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的Ce3+,从而制备出了Ce3+掺杂的金刚石薄膜。研究了其电致发光特性,得到了发光主峰位于蓝区(476 nm和435 nm处)的光发射。实验中发现随着Ce3+注入剂量的增加,电致发光强度也随之增加。
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关键词
薄膜
掺杂金刚石薄膜
电致发光
^
ce
^
3
+注入
化学气相沉积
原文传递
题名
Ce^(3+)注入掺杂金刚石薄膜蓝区电致发光研究
被引量：
2
1
作者
王丽军
王子
朱玉传
章诗
王小平
机构
上海理工大学理学院
同济大学交通运输工程学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期290-293,共4页
基金
上海市人才发展资金项目(2009023)
上海市教育发展基金重点项目(07ZZ95)
上海市教委085建设项目资助课题
文摘
采用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积了一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的Ce3+,从而制备出了Ce3+掺杂的金刚石薄膜。研究了其电致发光特性,得到了发光主峰位于蓝区(476 nm和435 nm处)的光发射。实验中发现随着Ce3+注入剂量的增加,电致发光强度也随之增加。
关键词
薄膜
掺杂金刚石薄膜
电致发光
^
ce
^
3
+注入
化学气相沉积
Keywords
thin
films
doped
diamond
thin
films
electrolumines
ce
n
ce
（EL）
^
ce
^3＋
ion
implant
chemical
vapour
deposit
ion
（CVD）
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ce^(3+)注入掺杂金刚石薄膜蓝区电致发光研究
王丽军
王子
朱玉传
章诗
王小平
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
原文传递
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参考文献
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