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钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
被引量：
3
1
作者
陈俊
王希恩
+2 位作者
严非男
梁丽萍
耿滔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期188-192,共5页
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低...
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
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关键词
模拟计算
cdmoo
4
晶体
GULP
本征点缺陷
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职称材料
钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应
被引量：
2
2
作者
胡旭波
赵学洋
+3 位作者
魏冉
王敏刚
向军涛
陈红兵
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期1432-1437,共6页
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达Φ25mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光...
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达Φ25mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间。结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375nm以上波长具有良好光学透过性,在300nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804~1054ns。该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强。
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关键词
钼酸镉
单晶生长
坩埚下降法
光谱性能
退火效应
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职称材料
CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
3
作者
严非男
王希恩
陈俊
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3079-3082,共4页
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施...
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。
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关键词
cdmoo
4
:W6+晶体
DV-Xα
发射带
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职称材料
题名
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
被引量：
3
1
作者
陈俊
王希恩
严非男
梁丽萍
耿滔
机构
上海理工大学理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期188-192,共5页
基金
国家自然科学基金(61008044)
文摘
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。
关键词
模拟计算
cdmoo
4
晶体
GULP
本征点缺陷
Keywords
simulating
calculation
cdmoo
4
crystal
GULP
intrinsic
defect
分类号
O483 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应
被引量：
2
2
作者
胡旭波
赵学洋
魏冉
王敏刚
向军涛
陈红兵
机构
宁波大学材料科学与化学工程学院新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期1432-1437,共6页
基金
国家自然科学基金(21171102)
973计划前期研究专项(2011CB612306)
宁波大学王宽城幸福基金
文摘
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达Φ25mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间。结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375nm以上波长具有良好光学透过性,在300nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804~1054ns。该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强。
关键词
钼酸镉
单晶生长
坩埚下降法
光谱性能
退火效应
Keywords
cdmoo
4
crystal
growth
Bridgman
method
spectral
properties
annealing
effect
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
3
作者
严非男
王希恩
陈俊
机构
上海理工大学理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3079-3082,共4页
基金
沪江基金研究基地专项资助(B14004)
文摘
采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO_4:W^(6+)晶体的电子结构。计算结果显示,在CdMoO_4:W^(6+)晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO_4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25e V)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO_4晶体在500~600 nm区间的发射带的起源。
关键词
cdmoo
4
:W6+晶体
DV-Xα
发射带
Keywords
Cd
cdmoo
_
4
:W^(6+)
crystal
DV-Xα
emission
band
分类号
O76 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算
陈俊
王希恩
严非男
梁丽萍
耿滔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
下载PDF
职称材料
2
钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应
胡旭波
赵学洋
魏冉
王敏刚
向军涛
陈红兵
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
下载PDF
职称材料
3
CdMoO_4:W^(6+)晶体电子结构的模拟计算研究
严非男
王希恩
陈俊
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
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