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镉掺杂氧化锌纳米花的制备及其光催化活性 被引量:13
1
作者 翟英娇 李金华 +7 位作者 陈新影 宋星慧 任航 方铉 方芳 楚学影 魏志鹏 王晓华 《中国光学》 EI CAS 2014年第1期124-130,共7页
以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料,采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂,并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化活性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、光致发光谱(PL)及紫外-可见分... 以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料,采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂,并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化活性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、光致发光谱(PL)及紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等测试手段对材料物性进行表征。实验结果表明:当掺杂Cd2+时,样品形貌发生变化、粒径减小;掺杂Cd2+后的ZnO的吸收边和紫外峰对比于纯ZnO均发生红移,禁带宽度由3.24 eV减小到3.16 eV。通过光催化实验分析可知,掺杂后纳米ZnO光催化剂对罗丹明B水溶液的降解率有所提高,光照3 h其降解率高达98%,说明与纯ZnO相比,Cd掺杂ZnO纳米花具有更高的光催化活性。 展开更多
关键词 氧化锌 cd掺杂 光催化
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掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响 被引量:3
2
作者 陈航 邓宏 +2 位作者 戴丽萍 陈金菊 韦敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期213-217,共5页
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可... 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8%摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 cd掺杂 光学禁带 红移
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ZnMO(M=Cd,Mg)纳米管发光性能的第一性原理研究 被引量:4
3
作者 雷哲锋 王发展 +2 位作者 王欣 陈霞 王博 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期115-119,124,共6页
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射(UV NBE)从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M=Cd,Mg)单壁纳米管的电子... 采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射(UV NBE)从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M=Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构。分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移;而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性。 展开更多
关键词 ZnO纳米管 cd掺杂 Mg掺杂 红移
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Photocatalysis of Cd-doped ZnO synthesized with precipitation method 被引量:3
4
作者 Phattranit Dumrongrojthanath Anukorn Phuruangrat +1 位作者 Somchai Thongtem Titipun Thongtem 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第3期537-546,共10页
ZnO particles doped with 0 mol%-5 mol% Cd dopant were successfully synthesized by a precipitation method.The as-synthesized products were characterized by thermogravimetric analysis(TGA),differential scanning calorime... ZnO particles doped with 0 mol%-5 mol% Cd dopant were successfully synthesized by a precipitation method.The as-synthesized products were characterized by thermogravimetric analysis(TGA),differential scanning calorimetry(DSC),X-ray diffraction(XRD),photoluminescence(PL) spectroscopy,Raman spectroscopy,scanning electron microscopy(SEM) coupled with an energydispersive X-ray(EDX) spectroscopy and transmission electron microscopy(TEM).The precursors showed weight loss at 35-700℃ caused by phase transformation and evaporation processes.The as-synthesized products were specified as hexagonal wurtzite ZnO.The crystallite size of ZnO samples doped with 0 mol%-5 mol% Cd gradually increased with the increase in Cd content.The photocatalytic activities of 0 mol%-5 mol% Cd-doped ZnO samples were evaluated through photodecolorization of methylene blue(MB) under ultraviolet(UV) radiation.In this research,ZnO doped with 3 mol% Cd shows the best photocatalytic activity in degrading of MB molecules as much as 89% within 240 min. 展开更多
关键词 cd-doped ZnO Precipitation method PHOTOCATALYSIS
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镉掺杂类水滑石催化剂的制备及其在木素超临界催化解聚中的初步应用 被引量:1
5
作者 王荣海 王兴 周景辉 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2017年第2期96-100,共5页
采用化学共沉淀法制备不同镉掺杂量的镉镁铝类水滑石催化剂,并将其用在杨木乙醇木素超临界催化解聚中,解聚溶剂体系为乙醇。通过X射线衍射、热重分析、傅里叶变换红外光谱等方法对催化剂进行表征,确定了可形成镉镁铝类水滑石结构的最佳... 采用化学共沉淀法制备不同镉掺杂量的镉镁铝类水滑石催化剂,并将其用在杨木乙醇木素超临界催化解聚中,解聚溶剂体系为乙醇。通过X射线衍射、热重分析、傅里叶变换红外光谱等方法对催化剂进行表征,确定了可形成镉镁铝类水滑石结构的最佳摩尔比。解聚产物GC-MS分析结果表明,木素超临界解聚产物复杂,主要为酯类和含苯环类物质。随着镁离子与镉离子摩尔比的增大,水滑石的结晶度先升高随后降低,其比值为8时结晶度最高,产物中酯类和苯环类物质含量最高,催化剂起到定向解聚的作用。 展开更多
关键词 木素 镉掺杂 类水滑石 超临界解聚
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Cd掺杂Zn0阵列纳米梳子
6
作者 周少敏 《零陵学院学报》 2004年第6期53-57,共5页
作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子。这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线能量损失谱仪(EDS)、选区电子衍射仪(SAED)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌... 作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子。这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线能量损失谱仪(EDS)、选区电子衍射仪(SAED)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米梳子的臂直径为15-50 nm、臂长为400 nm,它们都有单晶的结构及相应的生长机制为传统的气固生长机制。 展开更多
关键词 II-VI族半导体 cd掺杂 纳米结构 ZnO阵列
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Cd掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究 被引量:29
7
作者 唐鑫 吕海峰 +2 位作者 马春雨 赵纪军 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1066-1072,共7页
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨... 采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制.随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象.此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致CdxZn1-xO禁带宽度变小的原因之一. 展开更多
关键词 密度泛函理论 电子结构 cd掺杂ZnO
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掺杂Fe、Cd闪锌矿电子结构的第一性原理计算 被引量:4
8
作者 丁聪 李艳 鲁安怀 《岩石矿物学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期382-386,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对掺Fe和(或)Cd的闪锌矿型Zn S的电子结构进行了计算。计算结果表明,纯闪锌矿的禁带宽度为2.85 e V;掺Fe浓度为3.125%的闪锌矿禁带宽度为2.58 e V,且Fe的3d和S的3p轨道杂化在禁带中引入了两... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对掺Fe和(或)Cd的闪锌矿型Zn S的电子结构进行了计算。计算结果表明,纯闪锌矿的禁带宽度为2.85 e V;掺Fe浓度为3.125%的闪锌矿禁带宽度为2.58 e V,且Fe的3d和S的3p轨道杂化在禁带中引入了两条杂质能级;随着掺Fe量的增加,杂质能级的宽度和峰高也随之增大;掺Cd闪锌矿的禁带宽度为2.68 e V,并在下价带底引入一条杂质能级;Fe/Cd共掺杂的闪锌矿禁带宽度为2.49 e V,在禁带中出现的两条施主杂质能级可提高闪锌矿的可见光响应及催化能力。计算结果为深入探讨天然闪锌矿的可见光催化机制提供了理论支持。 展开更多
关键词 第一性原理计算 闪锌矿 Fe、cd掺杂 光催化
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Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究 被引量:1
9
作者 陈瀚 邓宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期700-703,共4页
采用Sol—Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强... 采用Sol—Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600~800℃热处理。X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象。随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO:Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO:Cd薄膜的禁带宽度平均为3.10eV;800℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 展开更多
关键词 Sol—Gel法 光学禁带 透射光谱 ZnO:cd薄膜
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纤锌矿Cd_xZn_(1-x)O电子结构的第一性原理研究
10
作者 赵冬秋 刁先锋 +3 位作者 王桂丽 邱国莉 黄晓伟 李蕴才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7814-7821,共8页
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn4s态能级... 采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn4s态能级逐渐降低,同时由pd反键轨道控制的价带顶能级逐渐升高. 展开更多
关键词 密度泛函理论 超软赁势方法 cd掺杂ZnO
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Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能
11
作者 张凯 蒋书文 +2 位作者 程鹏 张鹰 齐增亮 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期33-35,共3页
用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz... 用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。 展开更多
关键词 无机非金属材料 cd掺杂BZCN薄膜 射频磁控溅射 介电性能 介电可调率
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加成脉冲锁模(APM)激光器的研究
12
作者 蒋捷 于建 +1 位作者 杨天新 李世忱 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1997年第1期78-80,共3页
利用半导体掺杂玻璃CdSxSe_(1-x)山产生自相位调制效应,实现了加成脉冲锁模激光器的稳定运转,获得了锁模脉宽从300ps到180ps的压缩,平均输出功率达10W以上。
关键词 加成脉冲 锁模激光 半导体掺杂玻璃
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溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究
13
作者 陈瀚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期605-607,673,共4页
主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温... 主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿C轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)-6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 展开更多
关键词 掺镉ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 透射光谱 光学禁带
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Cd掺杂ZnS量子点的光学性能研究
14
作者 胡智学 李兴华 朱俊杰 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期753-757,共5页
以谷胱甘肽(GSH)为表面包覆剂,用水相法制备出Cd掺杂ZnS(Zn。Cd1-x S)量子点。用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)和等离子光谱(ICP)对样品进行表征。用荧光光谱(FL)和傅立叶红外光谱(FTIR)等技术对样品的光学性... 以谷胱甘肽(GSH)为表面包覆剂,用水相法制备出Cd掺杂ZnS(Zn。Cd1-x S)量子点。用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)和等离子光谱(ICP)对样品进行表征。用荧光光谱(FL)和傅立叶红外光谱(FTIR)等技术对样品的光学性能进行研究。实验表明:样品为立方闪锌矿结构,粒径约2nm,在波长430~500nm有较强的荧光发射峰,且具有良好的荧光上转换性质。 展开更多
关键词 掺杂量子点 水相合成 光学性能 上转换
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PbS/Ru(Ⅱ)配合物敏化Cd(Ⅱ)掺杂TiO_2纳米晶电极的光电化学 被引量:9
15
作者 李卫华 郝彦忠 +5 位作者 王艳芹 乔学斌 高恩勤 余赤贞 杨迈之 蔡生民 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期6-10,共5页
合成了Cd(Ⅱ)掺杂TiO2纳米粒子(掺杂5%Cd(Ⅱ)),用光电化学方法测定了PbS、RuL2(NCS)2(L=2,2′联吡啶4,4′二羧酸)分别敏化及PbS/RuL2(NCS)2复合敏化该纳米晶膜电极的光电... 合成了Cd(Ⅱ)掺杂TiO2纳米粒子(掺杂5%Cd(Ⅱ)),用光电化学方法测定了PbS、RuL2(NCS)2(L=2,2′联吡啶4,4′二羧酸)分别敏化及PbS/RuL2(NCS)2复合敏化该纳米晶膜电极的光电化学行为,实验证明,PbS、RuL2(NCS)2单独敏化和PbS/RuL2(NCS)2复合敏化的Cd掺杂电极比纯的TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;在380~600nm范围内。 展开更多
关键词 镉掺杂 纳米晶电极 二氧化钛 太阳能电池 光电极
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铁、镉复合掺杂氧化锌纳米粉体的制备及其光降解性能 被引量:9
16
作者 刘金生 刘少友 赵钟兴 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期752-757,742,共7页
以ZnCl2,CdSO4,FeCl3和CO(NH2)2为原料采用水热合成法制备了铁镉复合掺杂ZnO纳米材料,并用红外、紫外光谱、XRD等技术对材料进行了表征。以甲基橙为降解底物,以紫外光为光源,探讨了前驱体的干燥温度、干燥时间、煅烧温度、煅烧时间、... 以ZnCl2,CdSO4,FeCl3和CO(NH2)2为原料采用水热合成法制备了铁镉复合掺杂ZnO纳米材料,并用红外、紫外光谱、XRD等技术对材料进行了表征。以甲基橙为降解底物,以紫外光为光源,探讨了前驱体的干燥温度、干燥时间、煅烧温度、煅烧时间、铁镉的掺杂量以及降解体系pH值对样品光催化降解甲基橙的影响。结果表明:铁、镉复合掺杂制得的改性ZnO粉体属六方晶系,掺杂的铁、镉离子进入了ZnO晶格,没有新相出现,粒子直径在8~9nm;掺杂使得样品红外吸收增加,紫外-可见光谱出现蓝移;在160℃下干燥30min,290℃煅烧1h时所得1.65%Fe-0.39%Cd-ZnO纳米材料的光催化能力最好;在弱碱性条件下,加入质量1g/L时,样品对浓度为20mg/L甲基橙光照2h,其光催化降解率超过85%;甲基橙的光降解遵从一级反应动力学规律。 展开更多
关键词 水热合成 氧化锌 铁、镉掺杂 甲基橙 光催化
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Mg/Cd共掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:7
17
作者 薛晓峰 李维学 +1 位作者 戴剑锋 王青 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期2028-2034,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,研究了Mg/Cd(不同的Cd浓度)共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。研究表明:Mg/Cd共掺杂ZnO,体系的晶胞尺寸变大,但结构稳定。当Mg/Cd为1:1时,吸收边略微发生蓝移。随Cd的掺杂浓度增加,导... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,研究了Mg/Cd(不同的Cd浓度)共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。研究表明:Mg/Cd共掺杂ZnO,体系的晶胞尺寸变大,但结构稳定。当Mg/Cd为1:1时,吸收边略微发生蓝移。随Cd的掺杂浓度增加,导带部分逐渐下移,禁带宽度变窄,出现红移现象。除此之外体系的吸收率和反射率也减小。说明Mg/Cd共掺杂ZnO,不仅使得体系光学谱丰富,而且透射性增强。这对实验中制备出高透射率的材料具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 Mg/cd共掺杂 密度泛函理论 电子结构 光学性质
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第一性原理研究Cd掺杂对ZnO电子结构与光学性质的影响 被引量:5
18
作者 熊金龙 杨晓红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期3194-3200,共7页
采用第一性原理平面波超软赝势方法超软赝势方法,研究了Cd掺杂前后ZnO的电子结构以及光学性质。计算结果发现:Cd的掺入使得ZnO的电子结构发生了改变,晶胞变大,禁带宽度变窄。Cd掺杂使ZnO的光学性质也发生了变化,4.3eV处的介电峰增强并... 采用第一性原理平面波超软赝势方法超软赝势方法,研究了Cd掺杂前后ZnO的电子结构以及光学性质。计算结果发现:Cd的掺入使得ZnO的电子结构发生了改变,晶胞变大,禁带宽度变窄。Cd掺杂使ZnO的光学性质也发生了变化,4.3eV处的介电峰增强并发生红移,12.9eV处的介电峰减弱,对紫外光吸收作用增强。 展开更多
关键词 cd掺杂ZnO 电子结构 光学性质
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钆、镉共掺纳米TiO_2光催化剂的合成及其光催化性能研究 被引量:2
19
作者 吉列凤 王丹军 +2 位作者 郭莉 张理平 刘启瑞 《延安大学学报(自然科学版)》 2010年第2期71-75,共5页
以钛酸四正丁酯、硝酸钆和硝酸镉为原料,采用溶胶-凝胶法合成了Gd和Cd共掺杂型纳米TiO2光催化剂,借助X-射线粉末衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)及UV-vis等测试手段对样品进行了表征,并以罗丹明B为模型污染物考察了掺杂量对样品光催... 以钛酸四正丁酯、硝酸钆和硝酸镉为原料,采用溶胶-凝胶法合成了Gd和Cd共掺杂型纳米TiO2光催化剂,借助X-射线粉末衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)及UV-vis等测试手段对样品进行了表征,并以罗丹明B为模型污染物考察了掺杂量对样品光催化活性的影响规律。XRD分析表明,所得粉体均为锐钛矿相纳米TiO2,且Gd和Cd共掺后随着掺杂量的增加,纳米TiO2特征衍射峰宽化,强度降低;UV-vis光谱分析表明,适量钆(0.2%)掺杂使得催化剂在400~600nm的可见光区域对光响应,而在Gd掺杂的基础上掺杂Cd后,催化剂在紫外光区及400~600nm的可见光区吸收显著增强,对光具有更高的利用率;光催化实验表明,钆和镉掺杂对纳米TiO2光催化活性有显著的影响,当钆和镉掺杂量为0.2%、0.3%时其光催化活性最好。 展开更多
关键词 纳米TIO2 钆-镉共掺杂 溶胶-凝胶法 光催化性能
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气体分子吸附调控CdG电子结构和磁性的第一性原理研究
20
作者 张建宁 马欢 +1 位作者 马玲 张建民 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第6期1030-1039,共10页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,深入研究单个气体分子CO、NO、NO2、SO2、O2和H2S吸附对Cd掺杂石墨烯(CdG)电子结构和磁性的影响及调控机理。结果表明:六种气体分子以较大的吸附能与CdG基底中的Cd原子键合并形成Cd-X键(X代表C,O,... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,深入研究单个气体分子CO、NO、NO2、SO2、O2和H2S吸附对Cd掺杂石墨烯(CdG)电子结构和磁性的影响及调控机理。结果表明:六种气体分子以较大的吸附能与CdG基底中的Cd原子键合并形成Cd-X键(X代表C,O,N,S),属于化学吸附;由气体吸附注入的空穴使得复合体系的电子分布发生重构,致使复合体系电子结构和磁性明显改变。CO吸附后,体系仍保持CdG基底原有的半导体性,但带隙宽度有所变化;NO、NO2、SO2和O2吸附的CdG基底转变为金属性,H2S@CdG为半金属性。CO的吸附使得原本自旋极化的CdG基底磁性消失;NO2、H2S、NO和O2吸附基底时,产生局域自旋极化。对于NO2@CdG和H2S@CdG,自旋极化主要分布于基底之上且极化方向相同,NO2和H2S发生弱极化且自旋方向相反;而NO@CdG和O2@CdG的自旋分布特征与之相反;SO2@CdG呈现完全自旋极化特征,即SO2和基底皆有显著的自旋分布但自旋方向不同。据此,由各气体分子引起体系电子结构和磁性的不同变化特征,可有效检测和甄别气体分子。 展开更多
关键词 cd掺杂的石墨烯 电子结构 磁性 调控机理
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