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SiC的高温抗氧化性分析 被引量：24
1
作者 常春 陈传忠 孙文成 《山东大学学报（工学版）》 CAS 2002年第6期581-585,共5页
研究了碳化硅表面高温氧化层的微观结构 ,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响 .碳化硅材料在 136 0℃以下 ,表面氧化较为轻微 ,抗氧化性能稳定 .温度高于 136 0℃后 ,SiC颗粒的尖角部位首先被氧化 .所形成的表面氧化层与碳化硅基体... 研究了碳化硅表面高温氧化层的微观结构 ,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响 .碳化硅材料在 136 0℃以下 ,表面氧化较为轻微 ,抗氧化性能稳定 .温度高于 136 0℃后 ,SiC颗粒的尖角部位首先被氧化 .所形成的表面氧化层与碳化硅基体的分界清晰 ,无过渡区 ,并且始终不能形成致密氧化层 .表面二氧化硅层中除了存在石英和方石英以外 ,还存在非晶态的二氧化硅 . 展开更多
关键词 氧化 显微结构 碳化硅电热元件
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